城轨交通单侧计轴传感器智能校准仪研究与运用

针对地铁信号系统中单侧计轴传感器长期受到温度、湿度、振动、电磁干扰等因素影响,最终导致其参数发生变化而需要维修工远赴现场定期巡检等问题,提出基于电流检测原理的单侧计轴传感器智能校准方案,研制了一款单侧计轴传感器智能校准仪。该校准仪采用单片机、键盘驱动芯片、直流信号隔离转换器、液晶显示模块等设计,在室内防雷分线柜上即可检测计轴传感器回传信号,方便远程检测计轴传感器的工作参数;同时,具有操作便利、测试安全等特点。经模拟测试并与现场实测数据比较,该智能校准仪具有较高的检测精度,能够满足地铁信号系统功能需求。

基于日盲紫外成像检测的复合绝缘子电晕放电光子数变化特性

为将光子数参数用于放电强度的量化分析,以10、35、110 kV的复合绝缘子为研究对象,利用CoroCAM504紫外成像仪研究了电晕放电时,紫外光子数随放电强度、仪器增益和观测距离的变化特性。结果表明：光子数和电流脉冲峰值具有近似线性关系,且都随着电压的增加而增大;但上述3种复合绝缘子的光子数与电流脉冲峰值之间的比例系数不同。随着仪器增益的增大,光子数一般呈现出先增加后减小、在高增益时又增加的变化特性,且观测距离越近,仪器增益对光子数的影响越显著。光子数随观测距离的增大而减小,2者之间具有幂函数关系,幂指数在1.1~1.6之间。

供电系统电力参数的计算机检测方法

供电系统是我国最早成功运用计算机的行业之一,对电力参数的不同的计算机检测方法,构成了各种不同的计算机监测系统。这里就几种常用的供电系统计算机检测方法及其系统进行了分析和比较。

喷射电沉积镍枝晶的试验研究

采用自行设计的喷射电沉积设备制备了镍枝晶沉积物,考察了不同试验参数对枝晶生长过程以及生成的枝晶形貌的影响,根据计盒维数原理计算了枝晶图片的分形维数.结果表明:较高的电流密度有利于枝晶的形成;随电解液中镍离子浓度的增加,生成的枝晶明显变得稀疏,分枝减少;枝晶形貌由致密紧凑型结构向疏松弥散型结构转变;随电解液温度的增加,沉积层逐步致密化.镍枝晶具有明显的分形结构,分形维数随着电流密度的增加而增大,随着电解液温度的增加先增大后减小,随着镍离子浓度的增加而减小.

夹层式中子-γ射线联合探测器设计原理

针对可能存在的单次脉冲高γ射线与中子比、10 ns级γ射线和10 m s级聚变中子辐射场,根据射线与物质的相互作用原理,初步提出了综合利用电流和计数模式的方法对辐射场中的γ射线和聚变中子进行探测。该辐射场中的γ射线脉冲比聚变中子提前到达,从而降低了辐射探测背景,更有利于信号的提取。

具有防止过流误判断功能的LD驱动电源的设计

研制了一种新型的基于单片机和FPGA控制的半导体激光器(LD)驱动电源,该电源通过采用越限计数的方法实现过流保护,有效地消除了宽幅大脉冲电流干扰,具有防止过流误判断和失效保护的功能,从而保证LD工作的连续性、可靠性。

基于Si-PIN探测器的电流型计数式α粒子测量

为解决基于Si-PIN探测器的传统计数型粒子测量系统在测量低强度脉冲辐射场时存在的计数率低和不能直接测量粒子时间信息的问题,提出了电流型计数测量方法。其原理是对电流型Si-PIN探测器在粒子入射时输出的脉冲信号进行线性放大和高速数字化,并使用数字信号处理算法进行数据分析以获得粒子测量信息。利用电流型Si-PIN探测器、电流型前置放大器和高带宽数字示波器组建了电流型计数测量系统,并在241 Am-244 Cm和239 Pu源上开展了α粒子测量实验。实现了脉冲幅度谱和粒子入射时间的联合测量,同时利用FIR及IIR型数字滤波器改善了能谱测量的能量分辨率。系统的最大计数率达2×106 s-1,适用于低强度脉冲辐射场测量。

单光子实验的测试与研究

阐述了单光子计数实验中采用脉冲幅度甄别器和光子计数器测量光子数的实验原理,绘制了样品在0电流和不同光照时间下的实验曲线,讨论了可能影响实验测量精度及产生误差的原因。

基于分形盒维数串联电弧故障诊断技术研究

通过搭建串联故障电弧实验平台,进行多种类型负载实验,对其正常工作和发生串联电弧故障时的电流信号进行分析,提出了一种基于分形盒维数的串联故障电弧诊断方法。进一步研究了不同信噪比下分形盒维数的计算误差,分析了分形盒维数的抗噪性能,同时计算了不同负载在正常工作和发生串联电弧故障下分形盒维数的参考区间。实验证明,基于分形盒维数的故障诊断方法能够准确辨别出负载的串联电弧故障,具有较好的通用性。

阻性板探测器RPC的性能分析

本文介绍了目前在国际上较为先进的气体探测器——RPC阻性板探测器,结合北京谱仪上的Muon探测器的研制和组装测试,展示了此探测器的良好性能和优良的发展前景。实验测试系统是在Linux操作系统下实现的基于Root图形界面的宇宙线测试系统,通过对大量的实验数据的统计分析,比较了不同体电阻率和面电阻的RPC的探测效率、单计数率和暗电流,并分析了体电阻率、面电阻与RPC性能的定性关系。

考虑局部磁滞损耗的复合电机铁损耗计算

磁性齿轮复合电机无论是机械结构还是磁路结构,均比普通永磁同步电机复杂,如何高效准确地计算出铁损耗,对该类电机的设计与优化具有重要的意义。该文设计制造了一台磁性齿轮复合电机样机,并采用有限元时步法进行了详细计算。在此基础上,通过对每一个铁心单元的磁密变化进行分析,计算了该复合电机的铁损耗计算。在计算磁滞损耗时,应用通常用于机械应力应变迟滞计算的雨流计数法,快速统计出构成局部磁滞回环的峰谷点,从而计算出局部磁滞损耗。最后通过两个试验步骤,把电机的铁损耗从空载损耗中分离出来,所得的试验结果验证了所述方法的有效性。

一种动静态测量结合及大小数记数分离的直流光栅测试系统

针对直流光栅测试系统分辨率低、精度难以提高的问题,提出了一种动静态测量结合、大小数记数分离的直流光栅测试系统。在光栅付相对移动的动态测量过程中,获得当量数为1/4光栅栅距的大数记数,在相对移动开始之前和结束之后的静态时刻,获得当量数为1/360光栅栅距的小数记数,最后通过大小数的正确结合,获得测量结果。

应用网络分析法分析正比计数管输出电压

研究了将正比计数管等效为电流源后,应用时域分析中常用的卷积积分的方法,分析含正比计数管的网络的输出电压。此法不但有利于通过网络分析的概念理解这一物理过程,而且便于计算正比计数管的输出电压或电流。所得的输出电压的表达式与应用其他方法所得出的结果相同,因此可根据输出电压的波形与电路时间常数的关系,选择时间常数以确定输出脉冲宽度,使正比计数管适用于不同的计数率。

SRAM辐射效应测试装置的研制与应用

SRAM辐射效应测试装置由主机和下位计算机测试板构成,可在多种辐射源下进行SRAM单粒子翻转、单粒子锁定等实验。介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。利用该装置在激光辐射效应实验装置及HI-13串列加速器上成功地进行了SRAM的辐射效应实验。通过对SRAM芯片电流的检测,断电保护解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题。

直流牵引供电系统稳态短路分析

直流系统的短路计算是一个复杂的过程,既与交流系统有关,又要对整流电路进行分析,同时还要兼顾直流供电网络的供电模式,以往都是采用仿真计算。采用解析法分析直流供电系统稳态短路计算,引用戴维南电路定理,建立直流牵引供电回路等效电路,分析三相桥式整流电路及十二脉波整流电路外特性,对其进行线性化处理;并给出不同系统短路容量时直流母线稳态短路计算结果报表,用以作为其他轨道交通工程供电系统设计的参考。

8253定时/计数器方式3计数过程的实验研究

对于我系选用教材和部分参考资料关于8253定时/计数器在方式3的计数过程中表述中所存在的矛盾之处,基于武汉众友电子科技有限公司的接口实验台,提出了一个探究8253计数过程的实验方案。通过分析实验结果,指出了正确的计数过程。

XCP调频波脉冲计数鉴频系统的FPGA实现

为提高XCP中三路调频信号鉴频解调的抗干扰性能,采用脉冲计数式鉴频解调法,鉴频中采用倍频技术,提高了鉴频灵敏度。由参考信号发生器产生正交CQR和同相CIR两个参考信号,利用这两个相互正交的同步信号,并行控制多路脉冲计数器实施数字鉴频。采用现场可编程逻辑门阵列FPGA进行鉴频器硬件电路设计来降低系统复杂度并提高系统稳定性。测试结果表明,系统完全满足精度及可靠性等方面要求。

脉冲中子辐射场测量过程的仿真与分析

基于非齐次泊松过程的削薄方法,本文提出了一种脉冲辐射场测量过程的仿真方法,并仿真得到了探测器的输出信号。按照波形信息提取、绝对探测效率修正、时间谱重建3个过程求解了脉冲中子时间谱,对时间谱积分得到了脉冲辐射场的中子总数。时间谱重建的过程中使用了逐窗统计算法和小波包变换算法,仿真重建的时间谱与理论谱符合较好,表明本文提出的仿真方法是可行的。

磷铵料浆三效逆流浓缩蒸发器的工艺计算

以物料、热量衡算方法计算磷铵料浆三效逆流浓缩时各效的蒸发水量及传热面积，并编制成电算程序。

多种状态检修技术排查罐式金属氧化物避雷器绝缘老化

目前状态检修技术规程对于各类变电设备状态检修检测结果判定尚不完善,特别是对气体绝缘全封闭式组合电器(GIS)用的罐式金属氧化物避雷器(MOA)的检测判定。因GIS用的罐式MOA既有户外式避雷器的特点又有GIS的特点,对目前仍不成熟的状态检修造成较大障碍。通过对某220kV变电站罐式MOA绝缘老化进行排查的案例,阐述了避雷器放电记数在线监测、运行中持续电流检测以及GIS超声波局放检测的基本方法和数据分析,最终结合停电试验数据证明了上述状态检修技术联合判断的正确性。