期刊文献+
共找到18篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
晶体Cu和Ar弹性模量随压强和温度的变化关系 被引量:5
1
作者 张浩波 王莉艳 《西南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期67-70,共4页
应用统计物理理论导出了弹性模量B(T,p)随压强p和温度T的变化关系式,并具体计算出Cu与Ar的弹性模量B(T,p).结果表明:压强较低时,Cu和Ar的弹性模量随压强的变化很小,然而当Cu和Ar的压强分别大于1012Pa和1011Pa时,B随p的增大而迅速增大,B... 应用统计物理理论导出了弹性模量B(T,p)随压强p和温度T的变化关系式,并具体计算出Cu与Ar的弹性模量B(T,p).结果表明:压强较低时,Cu和Ar的弹性模量随压强的变化很小,然而当Cu和Ar的压强分别大于1012Pa和1011Pa时,B随p的增大而迅速增大,B随T的升高而减小. 展开更多
关键词 弹性模量 压强 温度 晶体铜 晶体氩 晶体材料
下载PDF
结晶器Ar气泡运动行为模拟研究 被引量:1
2
作者 沈铁 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2011年第1期69-71,共3页
采用数值模拟与物理模拟相结合的方法研究了结晶器中Ar气泡的运动行为。结果表明,提高拉速和吹Ar量会使气泡更靠近窄边分布,且分布更为均匀;吹Ar量的增大,导致结晶器温度场和流场发生变化;吹入Ar气后,增强了钢液的上循环流动。
关键词 结晶器 吹氩气 温度场 流场
下载PDF
Ar^+激光器泵浦的连续光学参量振荡器的理论设计
3
作者 邴丕彬 丁春峰 +3 位作者 姚建铨 郑义 李忠洋 王冠军 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期132-134,共3页
对Ar+激光器产生的514.5nm的连续光泵浦KTP晶体的光学参量振荡器(CW-KTP-OPO)做了理论分析,讨论了KTP晶体采用II类临界相位匹配(CPM)时的角度调谐曲线、有效非线性系数以及走离角,并针对所设计的条件计算了KTP晶体的泵浦阈值。合理设计... 对Ar+激光器产生的514.5nm的连续光泵浦KTP晶体的光学参量振荡器(CW-KTP-OPO)做了理论分析,讨论了KTP晶体采用II类临界相位匹配(CPM)时的角度调谐曲线、有效非线性系数以及走离角,并针对所设计的条件计算了KTP晶体的泵浦阈值。合理设计腔内各个器件的参数,最终确定晶体切割角度为θ=67°,φ=0,°此时可以产生中心波长为1.55μm的信号光。 展开更多
关键词 连续波光学参量振荡器(CW-OPO) KTP晶体 ar^+激光器 临界相位匹配
下载PDF
Ar对微波等离子体CVD单晶金刚石生长的影响 被引量:4
4
作者 林晓棋 满卫东 +2 位作者 吕继磊 张玮 江南 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期337-341,共5页
采用自主研发的5 k W不锈钢谐振腔式MPCVD设备,在Ar/H2/CH4气氛下,保持总气压与CH4气流量不变,研究了不同Ar/H2比例对单晶金刚石生长速度和晶体质量的影响。通过拉曼光谱与高分辨率XRD摇摆曲线,从生长速度与生长质量两点对所得样品进行... 采用自主研发的5 k W不锈钢谐振腔式MPCVD设备,在Ar/H2/CH4气氛下,保持总气压与CH4气流量不变,研究了不同Ar/H2比例对单晶金刚石生长速度和晶体质量的影响。通过拉曼光谱与高分辨率XRD摇摆曲线,从生长速度与生长质量两点对所得样品进行分析。结果表明,适量Ar的存在能够显著提高单晶金刚石的生长速度,并且不损害金刚石的晶体质量。当Ar/H2=30%时,生长速度最高,为35μm/h。随着Ar/H2比例的进一步增加,单晶金刚石的结晶质量会有所下降,Ar/H2比例过高则会严重破坏单晶金刚石的生长。 展开更多
关键词 MPCVD 单晶金刚石 ar
下载PDF
离子注入剥离铌酸锂单晶薄膜的Ar^+刻蚀研究 被引量:1
5
作者 方远苹 罗文博 +4 位作者 郝昕 白晓园 曾慧中 帅垚 张万里 《压电与声光》 CAS 北大核心 2020年第5期674-677,共4页
通过高能离子注入剥离制备的铌酸锂(LNO)单晶薄膜具备优良的电光、声光等性能,在射频器件、光波导等领域需求迫切。高能离子注入使LNO单晶薄膜表面存在损伤层,导致薄膜质量和器件性能的衰减。该文提出了Ar^+刻蚀去除LNO单晶薄膜损伤层... 通过高能离子注入剥离制备的铌酸锂(LNO)单晶薄膜具备优良的电光、声光等性能,在射频器件、光波导等领域需求迫切。高能离子注入使LNO单晶薄膜表面存在损伤层,导致薄膜质量和器件性能的衰减。该文提出了Ar^+刻蚀去除LNO单晶薄膜损伤层的方法,基于高能离子注入仿真,采用扫描电子显微镜、原子力显微镜分析了刻蚀参数对刻蚀速率、表面形貌的影响,并确定了LNO薄膜损伤层的刻蚀工艺参数。X线衍射分析表明,通过Ar^+刻蚀将LNO薄膜摇摆曲线半高宽减至接近注入前LNO单晶材料,压电力显微镜测试表明去除损伤层后的LNO单晶薄膜具备更一致的压电响应。 展开更多
关键词 铌酸锂(LNO)单晶薄膜 表面损伤层 ar^+刻蚀 晶体质量 压电性能
下载PDF
氩离子注入单晶硅表面的微观结构和微观力学性能研究 被引量:3
6
作者 孙蓉 徐洮 +1 位作者 寇冠涛 薛群基 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期759-763,共5页
通过离子注入技术对单晶硅表面进行氩离子注入处理,利用纳米压痕仪及其附件研究了单晶硅表面在离子注入前,后的微观力学性能和变形机理,并用透射电子显微镜研究了改性层的微观结构.研究结果表明:一定剂量的氩离子注入使单晶硅表面的断... 通过离子注入技术对单晶硅表面进行氩离子注入处理,利用纳米压痕仪及其附件研究了单晶硅表面在离子注入前,后的微观力学性能和变形机理,并用透射电子显微镜研究了改性层的微观结构.研究结果表明:一定剂量的氩离子注入使单晶硅表面的断裂韧性得到改善, 提高了其在纳米划痕过程中的失效负荷.原因是氩离子的注入使单晶硅表面形成了硅的微晶态与非晶态共存的混合态结构的改性层,改善了单晶硅的微观力学性能. 展开更多
关键词 单晶硅 氩离子注入 纳米划痕 断裂韧性
下载PDF
用Czochralski方法生长KMgF_3晶体的研究 被引量:2
7
作者 张万松 徐孝镇 +2 位作者 孙为 周广刚 冯金波 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期725-728,共4页
先把KF和MgF2以1∶1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物。然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3∶Cr2+、KMgF3∶Eu2+、KMgF3∶Sm2+等无色、透明的优质单晶体。并分析了能够成功地生长优质氟化物晶... 先把KF和MgF2以1∶1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物。然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3∶Cr2+、KMgF3∶Eu2+、KMgF3∶Sm2+等无色、透明的优质单晶体。并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节。 展开更多
关键词 Czochralski方法 KMgF3晶体 ar气体环境
下载PDF
514.5nm泵浦KTP晶体的连续光学参量振荡器的研究 被引量:1
8
作者 邴丕彬 丁春峰 +3 位作者 闫昕 樊心民 姚建铨 郑义 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期6-7,共2页
对Ar+激光器产生的514.5nm的连续光泵浦KTP晶体的光学参量振荡器(CW-KTP-OPO)做了理论上的分析,分别讨论了KTP晶体在Ⅱ类相位匹配时x-z平面和x-y平面内的匹配情况,数值模拟了其角度调谐曲线,并且计算了两种匹配方式下的有效非线性系数... 对Ar+激光器产生的514.5nm的连续光泵浦KTP晶体的光学参量振荡器(CW-KTP-OPO)做了理论上的分析,分别讨论了KTP晶体在Ⅱ类相位匹配时x-z平面和x-y平面内的匹配情况,数值模拟了其角度调谐曲线,并且计算了两种匹配方式下的有效非线性系数及其阈值功率,证实了其实验的可行性,并最终确定了晶体的切割角为θ=-90°、φ=50.6°,可以有效输出1.029μm左右的的参量光。 展开更多
关键词 连续波光学参量振荡器(CW-OPO) KTP晶体 ar+激光器 Ⅱ类相位匹配
下载PDF
ZnO单晶薄膜光电响应特性 被引量:4
9
作者 李瑛 冯士维 +4 位作者 杨集 张跃宗 谢雪松 吕长志 卢毅成 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期96-99,共4页
对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积Si O2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积Si O2在ZnO表... 对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积Si O2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积Si O2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象. 展开更多
关键词 单晶ZnO MOCVD光电响应 ar RF溅射损伤
下载PDF
新疆北部晚古生代以来中基性岩脉的年代学、岩石学、地球化学研究 被引量:37
10
作者 徐芹芹 季建清 +3 位作者 韩宝福 朱美妃 储著银 周晶 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期977-996,共20页
新疆北部中基性岩脉 K-Ar 表观年龄为187~271Ma,岩性以辉长、辉绿岩以及闪长、闪长玢岩为主,属于亚碱性系列。主量元素、稀土元素以及微量元素分析表明,中基性岩脉经历了源区地壳物质的混合以及侵位过程中的分离结晶作用,并在区域分布... 新疆北部中基性岩脉 K-Ar 表观年龄为187~271Ma,岩性以辉长、辉绿岩以及闪长、闪长玢岩为主,属于亚碱性系列。主量元素、稀土元素以及微量元素分析表明,中基性岩脉经历了源区地壳物质的混合以及侵位过程中的分离结晶作用,并在区域分布特点上受部分熔融程度的影响,而且由于结晶分异和部分熔融的不同,还出现了中基性岩脉系列的成分变异。排除上述岩浆作用的干扰,有证据显示岩脉起源于亏损地幔,由于 Nd 同位素模式年龄 t_(DM)集中在363~769Ma,反映源区是一个古生代时期的新生岩石圈地幔,该地幔源区属于大洋岩石圈地幔。新疆北部广泛出露的中基性岩脉在时间和空间上具有多样性,但是在产状、岩性组合和同位素特征上具有相似的特点,指示研究区在古生代以来具有一个相对统一和完整的源区,推测这个源区与北疆地区古生代以来长期存在的残余洋盆及其相关岩石圈有关。 展开更多
关键词 中基性岩脉 K-ar年龄 地球化学 结晶分异 部分熔融 新疆北部
下载PDF
直流磁控溅射工艺对ZnO薄膜结构影响的研究 被引量:8
11
作者 吕文中 贾小龙 何笑明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期35-39,共5页
ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对... ZnO是一种新型的Ⅱ Ⅵ族直接带隙化合物材料,是一种很有潜力的短波长光电器件材料。当ZnO薄膜具有良好的c轴取向和晶格结构时,可得到优良的光电性能比如紫外光受激发射。本实验用XRD和SEM研究了工艺条件如基片温度、氩氧比及退火工艺对ZnO薄膜结构特性的影响。结果表明在基片温度250℃、氩氧比为1∶4的条件下,可得到结晶质量良好的ZnO薄膜;通过退火可以使薄膜应力得到驰豫,降低缺陷浓度,改善薄膜的结构特性。本实验采用直流磁控溅射的方法,最终在(100)硅衬底基片上制备出了高c轴取向、晶粒尺寸约70nm的ZnO薄膜。 展开更多
关键词 直流磁控溅射工艺 ZNO薄膜 薄膜结构 基片温度 C轴取向 晶格结构 退火 氩氧比 结晶质量
下载PDF
不同的氧氩比对ZnO薄膜性能的影响 被引量:4
12
作者 潘志峰 袁一方 +2 位作者 李清山 孔繁之 张利宁 《曲阜师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第1期65-68,共4页
利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍... 利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能.随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动.随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 晶体结构 导电性能 氧氩比
下载PDF
氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响 被引量:2
13
作者 潘志峰 袁一方 +2 位作者 李清山 孔繁之 张利宁 《光学仪器》 2007年第1期84-88,共5页
探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响。利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能。随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射... 探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响。利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能。随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动。随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 晶体结构 导电性能 氧氩比
下载PDF
Ce∶Cu∶BSO晶体生长及光折变效应的研究
14
作者 石绍君 徐悟生 朱质彬 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期168-,共1页
硅酸铋 (Bi12 SiO2 0 简称BSO)晶体具有电光效应和非线性光学效应 ,它的响应时间是光折变晶体中最短的 ,光折变灵敏度 ( 30 0 μJ/cm2 )比LiNbO3 晶体高 3个数量级。BSO晶体可用于光放大、相位共轭、全息存储、图象处理等方面。在BSO中... 硅酸铋 (Bi12 SiO2 0 简称BSO)晶体具有电光效应和非线性光学效应 ,它的响应时间是光折变晶体中最短的 ,光折变灵敏度 ( 30 0 μJ/cm2 )比LiNbO3 晶体高 3个数量级。BSO晶体可用于光放大、相位共轭、全息存储、图象处理等方面。在BSO中掺进CeO2 和CuO以Czochralski法生长Ce∶Cu∶BSO晶体 ,原料配比为Bi2 O3 ∶SiO2 =6∶1 ,CeO2 和CuO的掺量为 0 .0 1mol%。采用二波耦合光路 ,以Ar+激光器作光源 ,λ =488nm泵浦光I10 和信号光I2 0 以 2θ角入射在晶体上 ,在晶体内产生干涉 ,形成折射率光栅。晶体尺寸为 8mm× 8mm× 8mm衍射率 η定义为衍射光强I’2 和透射光强I2 之比η=I’2 /I2 × 1 0 0 %  在实验中晶体外加电场为 6kV/cmI10 =I2 0 =80mW/cm2 测得Ce∶Cu∶BSO晶体的衍射效率为 4% ,响应时间为 880ms。相位共轭是一种非线性光学效应。光与非线性介质相互作用后 ,产生一种新波场 ,即相位共轭波 ,相位共轭波可以消除原光束在传播过程中产生的相位畸变。采用四波混频光路测试Ce∶Cu∶BSO晶体相位共轭反射率和响应时间。晶片 1 1 0面通光光源为He Ne激光λ =6 32 .8nm。I1和I2 为二束反向泵浦光 ,其强度 1 8mW ,I4为信号光 ,I4=0 .8mW ,I1与I4的夹角 2θ =1 1° ,I3 为相位共轭光 。 展开更多
关键词 Ce∶Cu∶BSO晶体 光折变效应 非线性光学晶体 引上法晶体生长
下载PDF
Bi2O3-B2O3掺杂对BaAl2Si2O8陶瓷结构及微波介电性能的影响
15
作者 黄龙 丁士华 +2 位作者 严欣堪 宋天秀 张云 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期1-6,共6页
采用固相反应法制备BaAl2Si2O8-x wt%Bi2O3-B2O3(x=0,1,2,3,4)陶瓷。探究了添加不同量的Bi2O3-B2O3(BiB)烧结助剂对BaAl2Si2O8(BAS)陶瓷的烧结温度、结构及微波介电性能的影响。结果表明:添加1 wt%的BiB烧结助剂可促进BAS晶体结构由六... 采用固相反应法制备BaAl2Si2O8-x wt%Bi2O3-B2O3(x=0,1,2,3,4)陶瓷。探究了添加不同量的Bi2O3-B2O3(BiB)烧结助剂对BaAl2Si2O8(BAS)陶瓷的烧结温度、结构及微波介电性能的影响。结果表明:添加1 wt%的BiB烧结助剂可促进BAS晶体结构由六方相全部转变为单斜相,并且BiB烧结助剂添加量在1~4 wt%范围内,均为单一单斜相。添加3 wt%的Bi B烧结助剂可使BAS陶瓷烧结密度增加到最大值,并能将烧结温度由1400℃降低至1250℃。在x=3,烧结温度为1250℃时,BAS陶瓷的介电常数和品质因数均达到最大值,并且谐振频率温度系数的绝对值也显著减小,其介电性能为:εr=6.2,Q·f=21 972 GHz,τf=-17.06×10^-6℃^-1。 展开更多
关键词 钡长石 烧结助剂 晶体结构 介电性能
下载PDF
低温制备针对KDP晶体的防潮双层宽带增透膜
16
作者 肖波凯 沈军 +3 位作者 李晓光 王晓栋 周小卫 张清华 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期37-39,共3页
在惯性约束聚变(ICF)装置中,大量使用有变频特性的水溶性磷酸二氢钾(KDP)类晶体材料,但KDP晶体需要有效的保护膜防止其潮解。由于KDP晶体元件晶相转变温度低,对湿度比较敏感,在很大的程度上限制了膜层制备和后处理工艺。以甲基三乙氧基... 在惯性约束聚变(ICF)装置中,大量使用有变频特性的水溶性磷酸二氢钾(KDP)类晶体材料,但KDP晶体需要有效的保护膜防止其潮解。由于KDP晶体元件晶相转变温度低,对湿度比较敏感,在很大的程度上限制了膜层制备和后处理工艺。以甲基三乙氧基硅烷(MTES)为原料,采用溶胶-凝胶技术和提拉方式制作防潮膜,仅仅以100℃以下温度进行热处理,再以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,在镀有热处理后的防潮膜的基底上采用上述工艺镀制光学减反膜。对组合薄膜的防潮、光学性能、结构等进行了测试表征。结果显示防潮性能佳,而且在特定波长532nm有高达99.76%的透过率。薄膜中存在大量的甲基(—CH3),是性能优良的且能在较低的温度下进行制备的防潮增透膜,可用于三倍频晶体KDP的增透与保护。 展开更多
关键词 防潮 增透 MTES-TEOS双层膜 KDP晶体 溶胶-凝胶法
下载PDF
Calculations of lattice constants, energies of cohesion, and compressibilities of G@C_(60) (G= He, Ne, Ar ) molecular crystals 被引量:1
17
作者 LIU Fengling, WANG Zexin and JIANG YunshengShandong Normal University, Jinan 250014, China 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1997年第13期1082-1085,共4页
SINCE the discovery and subsequent macroscopic synthesis of fullerenes,due to their unusualstructure and widely potential applications,many theoretical and experimental scientists havedone a lot of work on fullerenes.... SINCE the discovery and subsequent macroscopic synthesis of fullerenes,due to their unusualstructure and widely potential applications,many theoretical and experimental scientists havedone a lot of work on fullerenes.Fullerenes are the hollow cage molecules,the large,closedspheroidal shapes suggest that they could hold a variety of small guest atoms and/or 展开更多
关键词 G@C60(G=He NE ar) endohedral fullerene complex molecular crystal lattice constant energy of cohesion.
原文传递
Ar^+激光器泵浦的连续光学参量振荡器的环形腔设计
18
作者 丁春峰 邴丕彬 郑义 《应用激光》 CSCD 北大核心 2008年第1期22-24,共3页
对Ar+激光器产生的514.5nm连续光泵浦的光学参量振荡器(CW-OPO)做了理论分析,从几个方面对非线性晶体KTP、LBO、BBO做了分析比较.最后选择KTP作为参量振荡晶体,采用Ⅱ类非临界相位匹配,可以减少走离效应,并针对所设计的条件计算了KTP晶... 对Ar+激光器产生的514.5nm连续光泵浦的光学参量振荡器(CW-OPO)做了理论分析,从几个方面对非线性晶体KTP、LBO、BBO做了分析比较.最后选择KTP作为参量振荡晶体,采用Ⅱ类非临界相位匹配,可以减少走离效应,并针对所设计的条件计算了KTP晶体的泵浦阈值.为了进一步提高参量光的输出转换效率,采用环形腔进行腔型优化,并合理设计腔内各个器件的参数,理论上可以输出1029nm左右的参量光. 展开更多
关键词 连续波光学参量振荡器(CW-OPO) KTP晶体 ar^+激光器 环形腔
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部