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Crystalline Electric Field Scheme of CeRh_2 Ga
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作者 李玉山 杜保立 +1 位作者 王海英 路庆凤 《Journal of Rare Earths》 SCIE EI CAS CSCD 2005年第S1期277-279,共3页
The crystalline electric field (CEF) scheme of rare earth compound CeRh_2Ga was obtained by means of fitting the temperature dependence of inverse magnetic susceptibility. The CEF analysis shows that this compound has... The crystalline electric field (CEF) scheme of rare earth compound CeRh_2Ga was obtained by means of fitting the temperature dependence of inverse magnetic susceptibility. The CEF analysis shows that this compound has a doublet ground state. The first and second excited CEF doublet levels are estimated to be about 56 and 937 K, respectively. The calculated results are in good agreement with experimental data. 展开更多
关键词 CeRh_2Ga magnetic susceptibility magnetic anisotropy crystalline electric field (cef) effect rare earths
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Non-Kramers doublet ground state in a quaternary cubic compound PrRu_(2)In_(2)Zn_(18) investigated by ultrasonic measurements
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作者 张化远 Kazuhei Wakiya +2 位作者 Mitsuteru Nakamura Masahito Yoshizawa Yoshiki Nakanish 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第6期405-411,共7页
We performed ultrasonic measurements on a quaternary cubic compound PrRu_(2)In_(2)Zn_(18) to explore the ground state properties derived from non-Kramers Γ_(3) doublet of Pr^(3+).PrRu_(2)In_(2)Zn_(18) is a quaternary... We performed ultrasonic measurements on a quaternary cubic compound PrRu_(2)In_(2)Zn_(18) to explore the ground state properties derived from non-Kramers Γ_(3) doublet of Pr^(3+).PrRu_(2)In_(2)Zn_(18) is a quaternary derivative of the ternary compound PrRu_(2)Zn_(20) that exhibits a structural phase transition at T_S=138 K.In PrRu_(2)In_(2)Zn_(18),the Zn atoms at the 16c site in PrRu_(2)Zn_(20) are selectively replaced by In atoms.A monotonic increase was observed in the temperature dependence of elastic constants C_L=(C_(11)+2C_(12)+4C_(44))/3 and C_(T)=(C_(11)-C_(12)+C_(44))/3 in the temperature range around T_(S) to which an elastic softening was observed in(C_(11)-C_(12))/2 for PrRu_(2)Zn_(20).The disappearance of the softening indicates that the structural transition in PrRu_(2)Zn_(20) is suppressed by the substitution of Zn ions by In ones with a larger ionic radius.Alternatively,the C_(T) of PrRu_(2)In_(2)Zn_(18) exhibits a precursor Curie-type elastic softening toward low temperatures being responsible for the non-Kramers Γ_(3) ground state.We discuss the ground state and the evolution of the elastic properties of the different single-crystal samples of PrRu_(2)In_(2)Zn_(18) grown under different conditions. 展开更多
关键词 ultrasonic measurements non-Kramers doublet structural phase transition crystalline electric field effect
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稀土化合物RCuAs_2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的晶场效应研究 被引量:3
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作者 袁延忠 李玉山 +1 位作者 王海英 路庆凤 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期71-74,共4页
通过对稀土化合物RCuAs2(R=Ce,Pr,Nd,Tb)的磁化率倒数—温度曲线的晶场模拟,得到了该系列化合物的晶场系数和晶场分裂能.并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响,计算结果与实验获得了较好的吻合.
关键词 CeCuAs2 PrCuAs2 NdCuAs2 TbCuAs2 磁化率 晶场效应
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稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场效应研究 被引量:3
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作者 李玉山 路莹 路庆凤 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2006年第6期532-535,共4页
通过模拟Kitazawa小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3+分裂为9个单态.计算得到PrPtAl的第... 通过模拟Kitazawa小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CePtAl和PrPtAl的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3+分裂为9个单态.计算得到PrPtAl的第一激发能和第二激发能与中子散射实验结果吻合较好. 展开更多
关键词 CePtAl erPtAl 磁化率 晶场效应
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化合物CeCuIn和PrCuIn的磁性与晶场效应 被引量:1
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作者 路莹 马宝红 +1 位作者 薛绛琴 路庆凤 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第5期613-615,共3页
基于晶场理论,模拟SzytuΙa小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeCuIn,PrCuIn的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双重态,而非Kramers离子Pr3+分裂为5个双态.模拟得到的... 基于晶场理论,模拟SzytuΙa小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeCuIn,PrCuIn的晶场分裂能和相应波函数.计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双重态,而非Kramers离子Pr3+分裂为5个双态.模拟得到的磁化率倒数随温度变化曲线与实验结果吻合得很好. 展开更多
关键词 CeCuIn PrCuIn 磁化率 晶场效应 晶场分裂能
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稀土化合物CeRhGe和CeRhSn晶场的理论计算(英文) 被引量:1
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作者 李玉山 杜保立 +2 位作者 王海英 张星 路庆凤 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期40-44,共5页
在晶场理论和分子场理论的基础上,通过模拟Taiki Ueda和M.S.Kim等人测量的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeRhGe和CeRhSn的晶场分裂,分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.计算结果表明,Ce3+晶场分裂得到了双基态,两种化合物的第一激... 在晶场理论和分子场理论的基础上,通过模拟Taiki Ueda和M.S.Kim等人测量的磁化率实验结果,得到了稀土化合物CeRhGe和CeRhSn的晶场分裂,分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.计算结果表明,Ce3+晶场分裂得到了双基态,两种化合物的第一激发能和总激发能分别是723 K、610 K和970 K、1130 K,与实验获得了较好的吻合. 展开更多
关键词 CeRhGe CeRhSn 磁化率 晶场效应
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稀土化合物ReRhZn(Re=Ce,Pr,Nd)的磁性模拟和晶场效应 被引量:1
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作者 路莹 付宏志 +1 位作者 薛绛琴 路庆凤 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2010年第2期19-21,共3页
基于晶场理论,通过对Hermes等人磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物ReRhZn(Re=Ce,Pr,Nd)的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数。它们的第一激发能和总激发能分别为:43.02meV,186.1meV;0.037meV,52.59meV和0.56meV,4.66meV... 基于晶场理论,通过对Hermes等人磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物ReRhZn(Re=Ce,Pr,Nd)的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数。它们的第一激发能和总激发能分别为:43.02meV,186.1meV;0.037meV,52.59meV和0.56meV,4.66meV。结果表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除得到了双重态,而非Kramers离子Pr3+分裂为9个单态,Nd3+分裂为5个单态,模拟结果与实验曲线吻合很好。 展开更多
关键词 CeRhZn PrRhZn NdRhZn 磁化率 晶场效应
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稀土化合物RPt_2In_2(R=Ce,Pr,Nd)的磁性和晶场效应 被引量:1
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作者 李玉山 王海英 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第5期618-621,共4页
基于晶场理论,通过对Chen测量的稀土化合物RPt2In2(R=Ce,Pr,Nd)磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了RPt2In2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3+和Nd3+在晶场效应的作用下基态简并部分消除... 基于晶场理论,通过对Chen测量的稀土化合物RPt2In2(R=Ce,Pr,Nd)磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了RPt2In2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3+和Nd3+在晶场效应的作用下基态简并部分消除得到了双基态,而非Kramers离子Pr3+基态分裂后得到了单基态. 展开更多
关键词 CePt2In2 Pr2Pt2In2 Nd2Pt2In2 磁化率 晶场效应
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Pr^(3+)基态在不同晶场影响下分裂的理论计算
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作者 杜保立 刘红艳 +1 位作者 张丙云 路庆凤 《河南理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第3期372-376,共5页
基于晶场理论,采用点电荷模型,通过模拟3种不同晶系含Pr化合物PrPtAl,Pr2Pt2In2和Pr2Ge2In的磁化率倒数—温度关系曲线,得到各自的晶场分裂能和相应的波函数,并从理论上分析了不同对称性的晶场对Pr3+离子基态的影响.模拟计算表明,非Kram... 基于晶场理论,采用点电荷模型,通过模拟3种不同晶系含Pr化合物PrPtAl,Pr2Pt2In2和Pr2Ge2In的磁化率倒数—温度关系曲线,得到各自的晶场分裂能和相应的波函数,并从理论上分析了不同对称性的晶场对Pr3+离子基态的影响.模拟计算表明,非Kram-ers离子Pr3+本来简并的九重基态受晶场影响分裂得到了单基态,模拟计算得到的PrPtAl第一激发能、第二激发能以及总分裂能与中子散射实验结果吻合较好. 展开更多
关键词 PrPtAl Pr2Pt2In2 Pr2Ge2In 磁化率 晶场效应
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近藤化合物Ce_2Cu_xNi_(1-x)Ge_6的磁性和晶场模拟
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作者 路庆凤 李玉山 路莹 《信阳师范学院学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第1期32-34,共3页
通过对磁化率的模拟,研究了晶场效应对Ce2CuxNi1-xGe6磁性的影响,得到了该系列化合物的分裂能和相应波函数.计算表明,Ce3+六重基态在晶场作用下分裂为混合的双基态,其晶场分裂能随X的增大而变大.Cu含量的增加引起了更加复杂的f电子和传... 通过对磁化率的模拟,研究了晶场效应对Ce2CuxNi1-xGe6磁性的影响,得到了该系列化合物的分裂能和相应波函数.计算表明,Ce3+六重基态在晶场作用下分裂为混合的双基态,其晶场分裂能随X的增大而变大.Cu含量的增加引起了更加复杂的f电子和传导电子的杂化,低温区域的电子—磁子近藤散射变得更加强烈. 展开更多
关键词 Ce2CuxNi1-xGe6 磁化率 晶场效应 晶场模拟
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稀土化合物TbNiAl_4的磁性和晶场效应研究
11
作者 杜保立 胡保付 +1 位作者 李玉山 路庆凤 《河南理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第6期523-526,共4页
采用点电荷晶场理论模型,通过模拟W.D.Hutchison小组测量的磁化率倒数与温度的关系曲线,得到了稀土化合物TbNiAl4的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响.计算表明,非Kramers离子Tb3+在晶场效... 采用点电荷晶场理论模型,通过模拟W.D.Hutchison小组测量的磁化率倒数与温度的关系曲线,得到了稀土化合物TbNiAl4的晶场系数、晶场分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应对化合物磁性的影响.计算表明,非Kramers离子Tb3+在晶场效应的作用下,基态简并消除得到了13个单态.计算得到的TbNiAl4的总分裂能913 K与实验吻合较好. 展开更多
关键词 TbNiAl4 磁化率 各向异性 晶场效应
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稀土化合物RE_2Ge_2In(RE=Ce,Pr,Nd)的磁性和晶场效应
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作者 李玉山 王海英 路庆凤 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2006年第3期20-23,共4页
基于晶场理论和分子场理论,采用点电荷晶场模型,通过模拟Zaremba小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物RE2Ge2In(RE=Ce,Pr,Nd)的晶场分裂能和相应波函数。计算表明,Kramer离子Ce3+和Nd3+在晶场效应的作用下简并部分消除得到了双基态,而... 基于晶场理论和分子场理论,采用点电荷晶场模型,通过模拟Zaremba小组的磁化率实验结果,得到了稀土化合物RE2Ge2In(RE=Ce,Pr,Nd)的晶场分裂能和相应波函数。计算表明,Kramer离子Ce3+和Nd3+在晶场效应的作用下简并部分消除得到了双基态,而非Kramer离子Pr3+分裂后得到了单基态。计算得到的Ce2Ge2In的第一激发能和总分裂能与Adroja小组中子散射实验结果吻合较好。 展开更多
关键词 Ce2Ge2In Pr2Ge2In Nd2Ge2In 磁化率 晶场效应
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稀土化合物CePd_(1-x)Rh_x的磁性与晶场效应
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作者 路莹 韩运侠 路庆凤 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2011年第4期362-364,368,共4页
采用结晶场参数拟合的方法对Sereni研究小组的CePd1-xRhx(x=0.65,0.70,0.80,0.87)样品的磁化率实验结果进行了计算模拟.结果表明:x=0.65,0.70,0.80,0.87时,样品的第1激发能分别为5.9,7.2,10.1,13.8 meV,总激发能分别为50.9,62.9,69.3,85... 采用结晶场参数拟合的方法对Sereni研究小组的CePd1-xRhx(x=0.65,0.70,0.80,0.87)样品的磁化率实验结果进行了计算模拟.结果表明:x=0.65,0.70,0.80,0.87时,样品的第1激发能分别为5.9,7.2,10.1,13.8 meV,总激发能分别为50.9,62.9,69.3,85.6 meV.在晶场效应的作用下,稀土Ce3+基态简并部分消除得到了双基态,模拟得出的CePd1-xRhx磁化率倒数随温度的变化曲线与实验结果相吻合. 展开更多
关键词 CePd1-xRhx 磁化率 晶场效应 晶场分裂能
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Ce_5Ni_2Si_3 CeNiGe_3和Ce_2NiGe_3晶场分裂能的理论计算
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作者 李玉山 韩玉晶 +1 位作者 王海英 路庆凤 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2007年第2期54-56,共3页
通过模拟Mari偄n Mihalik、Piku和Huo测量的Ce5Ni2Si3、CeNiGe3和Ce2NiGe3的磁化率倒数-温度曲线来计算稀土化合物的晶场系数、分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应为Ce3+基态的影响.本文的计算值与Mari偄n Mihalik、Piku和Hu... 通过模拟Mari偄n Mihalik、Piku和Huo测量的Ce5Ni2Si3、CeNiGe3和Ce2NiGe3的磁化率倒数-温度曲线来计算稀土化合物的晶场系数、分裂能和相应波函数,并从理论上分析了晶场效应为Ce3+基态的影响.本文的计算值与Mari偄n Mihalik、Piku和Huo分别通过模拟Schottky比热得到的值获得了较好的吻合. 展开更多
关键词 Ce5Ni2Si3 CeNiGe3 Ce2NiGe3 磁化率 晶场效应
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含铈化合物的晶场研究
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作者 夏继周 李玉山 路庆凤 《商丘师范学院学报》 CAS 2008年第3期59-61,共3页
通过模拟G.F.Chen小组和Heying小组测量的磁化率实验结果,得到了含铈稀土化合物CeRh2Ga和CeIrSi的晶场分裂能和相应波函数.计算结果表明,Kramers离子Ce3+六重基态2F5/2简并部分消除得到双基态;计算得到CeRh2Ga的第一激发能56 K与实验吻... 通过模拟G.F.Chen小组和Heying小组测量的磁化率实验结果,得到了含铈稀土化合物CeRh2Ga和CeIrSi的晶场分裂能和相应波函数.计算结果表明,Kramers离子Ce3+六重基态2F5/2简并部分消除得到双基态;计算得到CeRh2Ga的第一激发能56 K与实验吻合较好. 展开更多
关键词 CeIrSi CeRh2Ga 磁化率 晶场效应
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Ce_3Rh_2X_2(X=Ga,Ge)的磁性模拟和晶场效应研究
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作者 路莹 刘伟 《磁性材料及器件》 CSCD 北大核心 2011年第4期23-25,共3页
根据晶场理论,通过对Kaczorowski研究小组磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh2Ge2的晶场分裂能和相应波函数,它们的第一激发能和总激发能分别为3.62 meV,39.0meV和11.7 meV,61.5meV。计算表明,Kramers离... 根据晶场理论,通过对Kaczorowski研究小组磁化率倒数与温度关系曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh2Ge2的晶场分裂能和相应波函数,它们的第一激发能和总激发能分别为3.62 meV,39.0meV和11.7 meV,61.5meV。计算表明,Kramers离子Ce3+在晶场效应的作用下,基态简并部分消除,得到了Kramers双重态,模拟得到的化合物的磁化率倒数与温度关系曲线与实验曲线吻合很好,为进一步研究Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh2Ge2的磁结构提供了参考。 展开更多
关键词 Ce3Rh2Ga2 Ce3Rh2Ge2 磁化率 晶场效应
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镨离子基态分裂的晶场模拟
17
作者 王帅 李涛 《菏泽学院学报》 2007年第5期48-50,共3页
通过对A.Szytula小组测量的稀土化合物PrAg2Ge2磁化率倒数-温度曲线的晶场模拟,得到了PrAg2Ge2的分裂能和相应波函数.并从理论上分析了晶场效应对Pr3+基态的影响,计算结果与实验吻合较好.计算表明:非Kramer离子Pr3+的九重简并基态在四... 通过对A.Szytula小组测量的稀土化合物PrAg2Ge2磁化率倒数-温度曲线的晶场模拟,得到了PrAg2Ge2的分裂能和相应波函数.并从理论上分析了晶场效应对Pr3+基态的影响,计算结果与实验吻合较好.计算表明:非Kramer离子Pr3+的九重简并基态在四方晶场的影响下分裂为五个单态和两个双态. 展开更多
关键词 镨离子基态 磁化率 晶场效应
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四方晶系下钕离子的基态分裂
18
作者 王保松 刘红艳 夏继周 《温州大学学报(自然科学版)》 2011年第2期36-40,共5页
采用点电荷晶场模型,通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数-温度曲线,得到了Nd3+的各级分裂能和相应波函数,并分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.结果表明,Kramers离子Nd3+的十重简并基态4I9/2在晶场效应的作用下分裂... 采用点电荷晶场模型,通过模拟四方晶系化合物NdCuAs2和Nd2Ge2In的磁化率倒数-温度曲线,得到了Nd3+的各级分裂能和相应波函数,并分析了晶场效应对化合物磁性质的影响.结果表明,Kramers离子Nd3+的十重简并基态4I9/2在晶场效应的作用下分裂为5个双态,计算结果与实验吻合得较好. 展开更多
关键词 NdCuAs2 Nd2Ge2In 磁化率 晶场效应
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化合物Ce_3Rh_2Ga_2和Ce_3Rh_3Si_2的晶场效应计算 被引量:1
19
作者 薛绛琴 刘海瑞 +2 位作者 路莹 李玉山 路庆凤 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期44-46,共3页
通过对D.Kaczorowski等人磁化率倒数—温度曲线的模拟,得到了稀土化合物Ce3Rh2Ga2和Ce3Rh3Si2的晶场系数、分裂能和相应波函数,计算结果与实验吻合较好.计算表明:Kramers离子Ce3+基态简并部分消除得到了双基态.
关键词 Ce3Rh3 Ga2 Ce3Rh2Si2 磁化率 晶场效应
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硅基不同晶面上的空穴迁移率研究 被引量:1
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作者 张亚楼 蒋葳 +2 位作者 刘云飞 许静 尹海洲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期297-301,共5页
近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面... 近年来,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸减小并进入纳米尺度,为了改善器件的短沟道效应,器件由原来的平面结构改为立体结构。而在立体结构器件中,沟道由不同于传统Si(100)晶面的Si晶面所组成。因此,为了了解不同Si晶面上器件反型层空穴迁移率的变化情况,在不同晶面Si衬底上分别制作了pMOSFET,并研究了器件的空穴迁移率。采用Split C-V方法测试了Si(100),(110),(111)和(112)晶面上器件的空穴迁移率。结果表明,Si(110)晶面上的空穴迁移率最大,Si(112)晶面上<111>沟道方向空穴迁移率比(110)晶面上空穴迁移率小,而略大于(100)和(111)晶面上的空穴迁移率,(100)晶面上的空穴迁移率最小。 展开更多
关键词 空穴迁移率 晶面 沟道方向 有效电场 Si(112)晶面
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