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脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究
1
作者
梁琳
余岳辉
+1 位作者
颜家圣
周郁明
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期1-4,共4页
基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基...
基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A.μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.
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关键词
通态电流上升率
反向开关晶体管
短脉冲
开关
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职称材料
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
被引量:
2
2
作者
胡飞
宋李梅
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期274-279,320,共7页
金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)相比于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析...
金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)相比于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率(di/dt)由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。
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关键词
MOS控制晶闸管(MCT)
电流上升速率(
di/
dt
)
脉冲功率开关
开启瞬态
上升时间
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职称材料
地铁牵引供电系统直流馈线保护
被引量:
16
3
作者
王宏
《电气化铁道》
2002年第4期41-44,共4页
本文介绍了牵引供电系统中所采用的几种直流馈线保护方法﹐详细分析了过流保护﹑电流变化率di/dt保护和电流增量保护的基本保护原理﹐举例说明了如何通过对电流增量I和电流上升持续时间t的测量来区分故障情况和正常运行情况﹐并给出了...
本文介绍了牵引供电系统中所采用的几种直流馈线保护方法﹐详细分析了过流保护﹑电流变化率di/dt保护和电流增量保护的基本保护原理﹐举例说明了如何通过对电流增量I和电流上升持续时间t的测量来区分故障情况和正常运行情况﹐并给出了典型牵引供电系统中各保护定值的设定原则。
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关键词
地铁
牵引供电系统
直流馈线保护
大电流脱扣保护
过流保护
电流增量保护
地下铁道
电流变化率保护
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职称材料
6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
4
作者
杨燎
陈宏
+2 位作者
郑昌伟
白云
杨成樾
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期861-865,共5页
基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真...
基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟。在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试。测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致。
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关键词
碳化硅(SiC)
光控晶闸管(LTT)
脉冲开关
击穿电压
电流变化率(
di/
dt
)
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职称材料
微波炉加电启动瞬间高压二极管失效的机理分析
5
作者
许铁华
杨奇
《电子质量》
2013年第9期25-27,共3页
笔者以实际工作经验为基础结合专业技术理论知识,阐述了微波炉用高压二极管加电启动瞬间高失效的机理,可作为微波炉和高压二极管设计的重要参考。
关键词
高压二极管
击穿
失效模式
电流变化率
di/
dt
USURGE浪涌脉冲电压
浪涌能量
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职称材料
题名
脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究
1
作者
梁琳
余岳辉
颜家圣
周郁明
机构
华中科技大学电子科学与技术系
襄樊台基半导体有限公司
出处
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期1-4,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(50277016
50577028)
高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20050487044)
文摘
基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A.μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.
关键词
通态电流上升率
反向开关晶体管
短脉冲
开关
Keywords
current
rise
rate
(dⅠ
/dt
)
reversely switched dynistor (RSD)
short pulse
switch
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
被引量:
2
2
作者
胡飞
宋李梅
韩郑生
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院硅器件技术重点实验室
中国科学院大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期274-279,320,共7页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFB0901801)
文摘
金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)相比于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)具有高电流密度、低导通压降和快速开启等优势,在高压脉冲功率领域具有广阔的应用前景。作为脉冲功率开关,MCT开启过程对输出脉冲信号质量有很大影响。采用理论分析并结合仿真优化重点研究了MCT开启瞬态特性。通过对MCT开启过程进行详细地理论分析推导,给出了MCT开启过程中阳极电流和上升时间的表达式。结合Sentaurus TCAD仿真优化,将MCT开启过程中电流上升速率(di/dt)由40 kA/s提升至80 kA/s,极大地改善了器件开启瞬态特性。最后,总结提出了提高器件开启瞬间di/dt的设计途径。
关键词
MOS控制晶闸管(MCT)
电流上升速率(
di/
dt
)
脉冲功率开关
开启瞬态
上升时间
Keywords
MOS controlled thyristor (MCT)
current rise rate (di/dt)
pulse power switch
turn-on transient
rise
time
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
地铁牵引供电系统直流馈线保护
被引量:
16
3
作者
王宏
机构
中铁电气化勘测设计研究院
出处
《电气化铁道》
2002年第4期41-44,共4页
文摘
本文介绍了牵引供电系统中所采用的几种直流馈线保护方法﹐详细分析了过流保护﹑电流变化率di/dt保护和电流增量保护的基本保护原理﹐举例说明了如何通过对电流增量I和电流上升持续时间t的测量来区分故障情况和正常运行情况﹐并给出了典型牵引供电系统中各保护定值的设定原则。
关键词
地铁
牵引供电系统
直流馈线保护
大电流脱扣保护
过流保护
电流增量保护
地下铁道
电流变化率保护
Keywords
Protection of tripping of high
current
protection of over-
current
protection of changing
rate
of
current
di/
dt
protection of
current
increment
分类号
U231.8 [交通运输工程—道路与铁道工程]
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职称材料
题名
6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
4
作者
杨燎
陈宏
郑昌伟
白云
杨成樾
机构
中国科学院微电子研究所
中国科学院大学微电子学院
株洲中车时代半导体有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第11期861-865,共5页
文摘
基于Sentaurus TCAD软件,研制了一款6.5 kV SiC光控晶闸管。通过优化雪崩击穿模型,对多层外延材料的规格及渐变终端技术进行研究,有效抑制了芯片表面峰值电场,实现了6.5 kV的耐压设计;此外结合实际应用需求,对器件的开通特性进行了仿真模拟。在4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC工艺平台制备了6.5 kV SiC光控晶闸管,并对器件性能进行了测试。测试结果显示,芯片击穿电压超过6.5 kV,在4 kV电源电压以及365 nm波长紫外光触发的条件下,器件导通延迟约为200 ns,脉冲峰值电流约为2.1 kA,最大导通电流变化率(di/dt)达到6.3 kA/μs,测试结果与仿真模拟结果基本一致。
关键词
碳化硅(SiC)
光控晶闸管(LTT)
脉冲开关
击穿电压
电流变化率(
di/
dt
)
Keywords
silicon carbide(SiC)
light-triggered thyristor(LTT)
pulse switch
breakdown voltage
current
rate
(
di/
dt
)
分类号
TN342.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
微波炉加电启动瞬间高压二极管失效的机理分析
5
作者
许铁华
杨奇
机构
南通皋鑫电子股份有限公司
南通市交通建设咨询监理有限公司
出处
《电子质量》
2013年第9期25-27,共3页
文摘
笔者以实际工作经验为基础结合专业技术理论知识,阐述了微波炉用高压二极管加电启动瞬间高失效的机理,可作为微波炉和高压二极管设计的重要参考。
关键词
高压二极管
击穿
失效模式
电流变化率
di/
dt
USURGE浪涌脉冲电压
浪涌能量
Keywords
high voltage
di
ode
breakdown
failure mode
current
rate
di/
dt
USURGE surge pulse voltage
surgeof energy
分类号
TN313.1 [电子电信—物理电子学]
TM925.54 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究
梁琳
余岳辉
颜家圣
周郁明
《华中科技大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
下载PDF
职称材料
2
金属氧化物半导体控制晶闸管的di/dt优化
胡飞
宋李梅
韩郑生
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
下载PDF
职称材料
3
地铁牵引供电系统直流馈线保护
王宏
《电气化铁道》
2002
16
下载PDF
职称材料
4
6.5 kV SiC光控晶闸管的研制
杨燎
陈宏
郑昌伟
白云
杨成樾
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
下载PDF
职称材料
5
微波炉加电启动瞬间高压二极管失效的机理分析
许铁华
杨奇
《电子质量》
2013
0
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职称材料
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