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一种BiCMOS过温保护电路
被引量:
7
1
作者
谭春玲
常昌远
邹一照
《电子器件》
CAS
2006年第2期357-359,364,共4页
在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对...
在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0.6μmBiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。
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关键词
过温保护电路
BICMOS
ptat
电流源
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职称材料
题名
一种BiCMOS过温保护电路
被引量:
7
1
作者
谭春玲
常昌远
邹一照
机构
东南大学微电子中心
出处
《电子器件》
CAS
2006年第2期357-359,364,共4页
文摘
在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0.6μmBiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。
关键词
过温保护电路
BICMOS
ptat
电流源
Keywords
thermal-shutdown circuit
BiCMOS
current source ptat(propotional fo absolute temperature)
分类号
TN709 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种BiCMOS过温保护电路
谭春玲
常昌远
邹一照
《电子器件》
CAS
2006
7
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