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Electrical bistable devices using composites of zinc sulfide nanoparticles and poly-(N-vinylcarbazole) 被引量:2
1
作者 曹亚鹏 胡煜峰 +8 位作者 李剑焘 叶海航 吕龙锋 宁宇 鲁启鹏 唐爱伟 娄志东 侯延冰 滕枫 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第3期298-301,共4页
N-dodecanethiol capped zinc sulfide(Zn S) nanocrystals were synthesized by the one-pot approach and blended with poly(N-vinylcarbazole)(PVK) to fabricate electrical bistable devices. The corresponding devices di... N-dodecanethiol capped zinc sulfide(Zn S) nanocrystals were synthesized by the one-pot approach and blended with poly(N-vinylcarbazole)(PVK) to fabricate electrical bistable devices. The corresponding devices did exhibit electrical bistability and negative differential resistance(NDR) effects. A large ON/OFF current ratio of 104 at negative voltages was obtained by applying different amplitudes of sweeping voltage. The observed conductance switching and the negative differential resistance are attributed to the electric-field-induced charge transfer between the nanocrystals and the polymer,and the charge trapping/detrapping in the nanocrystals. 展开更多
关键词 electrical bistable devices ON/OFF current ratio electric-field-induced charge transfer trapping/detrapping
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反射式光耦的CTR工艺控制
2
作者 王卫东 《光电子技术与信息》 2004年第5期21-25,共5页
文章介绍了光电耦合器结构及其CTR参数,分析红外发光芯片和光敏接收芯片对光耦CTR值影响,重点讨论了工艺上内点胶操作与CTR的关系,提出了内点胶操作所形成光学通道的椭圆模型理论和各种点胶方式,并用实验进行验证和说明。最后总结出在... 文章介绍了光电耦合器结构及其CTR参数,分析红外发光芯片和光敏接收芯片对光耦CTR值影响,重点讨论了工艺上内点胶操作与CTR的关系,提出了内点胶操作所形成光学通道的椭圆模型理论和各种点胶方式,并用实验进行验证和说明。最后总结出在生产过程中控制CTR值的芯片配对方案和工艺操作方法。 展开更多
关键词 光耦 ctr 工艺 芯片 点胶
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基于工程应用的CW-GMAW熔滴过渡形态表征
3
作者 孙咸 《焊接》 2024年第2期63-73,共11页
综述了涉及工程应用的冷丝熔化极气体保护焊(Cold wire gas metal arc welding,CW-GMAW)熔滴过渡形态特征。结果表明,在大电流、强规范、富氩混合气体保护下,CW-GMAW工艺的熔滴过渡形态呈喷射过渡;当电流较小、电弧电压较低时,可能为滴... 综述了涉及工程应用的冷丝熔化极气体保护焊(Cold wire gas metal arc welding,CW-GMAW)熔滴过渡形态特征。结果表明,在大电流、强规范、富氩混合气体保护下,CW-GMAW工艺的熔滴过渡形态呈喷射过渡;当电流较小、电弧电压较低时,可能为滴状过渡,甚至在弧压很低时,呈现短路过渡形态。该工艺电弧发生偏向冷丝的位移,弧长变短甚至发生短路,与冷丝送进速率比增高及冷丝在电弧中产生大量金属蒸气时弧柱电阻下降有关。在具有富氩混合保护气体的相同工艺参数下,CWGMAW转变电流比GMAW降低了4%~7%。焊接工艺参数对CW-GMAW和GMAW工艺熔滴过渡形态的影响规律大致相近,但前者因涉及冷丝送进速率比和电极焊丝送进速度,以及它们的匹配等,使焊接电流的影响更为复杂。 展开更多
关键词 熔滴过渡 冷丝熔化极气体保护焊 转变电流 冷丝送进速率比 金属蒸气产生
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基于三级式可扩展多模块并联架构的低压大电流高距径比无线电能传输系统
4
作者 沈豪杰 刘福鑫 +1 位作者 陈旭玲 金科 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第3期1144-1152,I0024,共10页
在低压大电流高距径比磁谐振式无线供电场合,由于传输线圈间的耦合系数很小,因此功率器件和谐振元件的电流很大,导致系统损耗大,难以优化设计。为此,文中提出一种三级式可扩展多模块并联无线电能传输系统架构,利用基波分析法对双模块并... 在低压大电流高距径比磁谐振式无线供电场合,由于传输线圈间的耦合系数很小,因此功率器件和谐振元件的电流很大,导致系统损耗大,难以优化设计。为此,文中提出一种三级式可扩展多模块并联无线电能传输系统架构,利用基波分析法对双模块并联系统建模并分析其传输特性。为提升系统效率,对比3种输出级结构及其控制策略并遴选出一种最优拓扑。进一步地,提出线圈级具体参数设计方法以减小电压电流应力并实现输入级软开关。最后搭建一台距径比为1(30 cm/30 cm)的1 kW原理样机验证理论分析,对比3种不同输出级拓扑的性能。实验结果表明,系统最高效率可达75.2%。 展开更多
关键词 磁谐振式无线电能传输 多模块并联 高距径比 低压 大电流
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光电耦合器的反应堆中子辐射效应 被引量:6
5
作者 黄绍艳 刘敏波 +3 位作者 唐本奇 肖志刚 王祖军 张勇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期801-805,共5页
选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的... 选择3种典型光电耦合器开展了反应堆中子辐照实验,中子注量为3×1011~5×1012cm-2时,位移效应导致电流传输比下降,饱和压降提高。发光器件相同,探测器为Si PIN光电二极管的光电耦合器比探测器为Si NPN光敏晶体管的光电耦合器的初始电流传输比要小,但其抗位移损伤能力更强。探测器均为Si NPN光敏晶体管,发光器件为异质结LED要比硅两性掺杂LED的光电耦合器的电流传输比抗位移损伤能力提高2个量级;以光敏晶体管为探测器的光电耦合器,在较大的正向电流和输出负载电阻条件下工作可提高抗辐射水平。此外,光电耦合器的位移损伤存在加电退火效应。 展开更多
关键词 光电耦合器 光敏晶体管 反应堆中子 电流传输比 饱和压降
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光电耦合器的结构设计及封装特点 被引量:12
6
作者 田浦延 布良基 +1 位作者 陈蒲生 冯文修 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第11期55-57,66,共4页
对光电耦合器的结构设计进行了研究,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了各自对应的支架结构和封装形式。同时研究了电流传输比(CTR)和绝缘电压(BV)随绝缘距离的影响关系,以及BV与封装尺寸的影响关系。
关键词 光电耦合器 结构设计 封装 电流传输比 绝缘距离 发光二极管 封装胶
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电流互感器饱和对单元件横差保护影响的仿真分析 被引量:4
7
作者 邰能灵 侯志俭 +2 位作者 李晓华 尹项根 陈德树 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期259-262,共4页
针对电流互感器 (CT)严重饱和会影响单元件横差保护的动作性能问题 .采用 ATP(Alternative Transients Program)仿真程序对 CT的饱和问题进行了研究 ,分析比较在不同条件下CT饱和的行为特征及其对单元件横差保护的影响 .研究表明 ,在各... 针对电流互感器 (CT)严重饱和会影响单元件横差保护的动作性能问题 .采用 ATP(Alternative Transients Program)仿真程序对 CT的饱和问题进行了研究 ,分析比较在不同条件下CT饱和的行为特征及其对单元件横差保护的影响 .研究表明 ,在各种防止 CT饱和的方法中 ,增大CT变比是最直接有效的 .在此基础上 ,给出了巨型发电机组单元件横差保护用电流互感器变比的选择方案以及几种提高电流互感器传变特性的方法 . 展开更多
关键词 电流互感器 饱和 单元件横差保护 仿真分析 发电机
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基于电流转移比例系数的复杂网络输电断面识别方法 被引量:7
8
作者 王紫琪 和敬涵 +1 位作者 张大海 陈泽龙 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2017年第3期915-921,共7页
输电断面的可靠识别对预防连锁过载跳闸具有重要意义。根据潮流转移的路径特征及电流特性,提出一种基于电流转移比例系数的复杂网络输电断面识别方法。构建电网拓扑模型及图论矩阵,并在此基础上简化系统网络;通过关联矩阵不定向搜索方... 输电断面的可靠识别对预防连锁过载跳闸具有重要意义。根据潮流转移的路径特征及电流特性,提出一种基于电流转移比例系数的复杂网络输电断面识别方法。构建电网拓扑模型及图论矩阵,并在此基础上简化系统网络;通过关联矩阵不定向搜索方法建立旁侧路径库,限定输电断面的识别范围;采用回路电流法快速求解复杂耦合网络中各线路电流转移比例系数;考虑潮流正向叠加及反向对消作用进行比例系数修正,并据此确定输电断面集合,有效避免了反向过载路径的遗漏。最后,将耦合系统、新英格兰10机39节点系统和IEEE 118节点系统的断面识别结果与仿真数据进行对比,验证了所提输电断面识别方法的准确性和有效性。 展开更多
关键词 输电断面 耦合网络 旁侧通路 电流转移比例系数 潮流转移
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计量用电流互感器在3种铁心条件下传变特性的试验与分析 被引量:8
9
作者 李春来 汤晓宇 罗坤明 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第4期104-106,共3页
计量用电流互感器(TA)作为最前端信号源器件,其性能直接影响电力仪器仪表的测量精度。文中通过试验与分析3种常用铁心TA的传变特性得出:TA的传变特性与铁心材料有关,具有非线性特性;超微晶铁心、坡莫合金铁心的TA传变特性明显优于硅钢... 计量用电流互感器(TA)作为最前端信号源器件,其性能直接影响电力仪器仪表的测量精度。文中通过试验与分析3种常用铁心TA的传变特性得出:TA的传变特性与铁心材料有关,具有非线性特性;超微晶铁心、坡莫合金铁心的TA传变特性明显优于硅钢片铁心的TA;用坡莫合金铁心和超微晶铁心的TA准确度可以达到0.1级;用硅钢片铁心TA准确度可以达到1级。选择性能优良的铁心材料,优化结构,是提高TA传变特性行之有效的方法。 展开更多
关键词 电流互感器 铁心材料 传变特性 比差 角差
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一种新的差动保护动作行为分析方法——原理篇 被引量:6
10
作者 林湘宁 刘沛 徐韬 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2003年第23期45-50,共6页
通过对ABB公司的两种新型标积制动判据的研究,提出了一种新的评估差动保护动作行为的分析方法,即在穿越电流倍数-电流互感器传变率(流出电流比)坐标平面(p-s坐标平面)上分析差动保护的性能。利用这种分析方法,可以直观地得到:对于任意... 通过对ABB公司的两种新型标积制动判据的研究,提出了一种新的评估差动保护动作行为的分析方法,即在穿越电流倍数-电流互感器传变率(流出电流比)坐标平面(p-s坐标平面)上分析差动保护的性能。利用这种分析方法,可以直观地得到:对于任意一种特定的判据,当外部故障的穿越电流造成电流互感器饱和时,判据的误动概率;在内部故障时有流出电流的场合,判据的拒动概率。该方法为有针对性地调节比例制动的各个比例系数、最大限度地发挥判据的效能奠定了理论基础。 展开更多
关键词 差动保护 标积制动 电流互感器 饱和 穿越电流 传变率
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0.1级超微晶微型电流互感器的研究 被引量:6
11
作者 李春来 汤晓宇 罗坤明 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2015年第7期52-53,60,共3页
研发高精度微型电流互感器(TA)是目前电力仪器仪表行业共同关注的课题。选用高磁导率低矫顽力的超微晶材料做铁心,采用单匝穿心式单铁心结构设计微型电流互感器,测试数据表明,测量精度达到0.1级。可见选择好的铁心材料,优化结构,减小励... 研发高精度微型电流互感器(TA)是目前电力仪器仪表行业共同关注的课题。选用高磁导率低矫顽力的超微晶材料做铁心,采用单匝穿心式单铁心结构设计微型电流互感器,测试数据表明,测量精度达到0.1级。可见选择好的铁心材料,优化结构,减小励磁电流,减少测量误差,在结构简单、成本不高的条件下设计出满足计量精度的微型电流互感器。 展开更多
关键词 电流互感器 单铁心结构 传变特性 比差 角差
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浅谈光耦的使用方法 被引量:9
12
作者 章圣焰 刘小康 胡水仙 《航空电子技术》 2015年第4期51-54,共4页
从航空电子设备实际应用出发,通过对光耦进行理论分析,较全面地介绍光耦器件的合理使用方法。针对在实际设备应用上遇到的问题,提出了两种解决方法,能给电子电路设计人员在设计光耦电路时提供指导。
关键词 光耦:电流传输比(ctr) 通用输入/输出(GPIO)
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光电耦合器的封装胶特性分析 被引量:3
13
作者 田浦延 陈蒲生 +1 位作者 布良基 冯文修 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期54-57,共4页
讨论了用于不同光传输结构光耦的各种内外封装胶的特性 ,对几种不同的封装胶进行了光谱测试实验 ,并通过实验数据对胶进行成分分析和特性分析 。
关键词 特性分析 隔离电压 二氧化硅 氧化钛 电流传输比 光电耦合器 封装胶 成分分析
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直流偏磁条件下高精度微型电流互感器的传变特性 被引量:4
14
作者 李春来 汤晓宇 +1 位作者 罗坤明 兰雄 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第5期124-126,共3页
高精度微型电流互感器(CT)是高端智能电力仪表常用的前端取样器件,其传变特性受直流偏磁的影响。以 0.02 级微型电流互感器为例,通过实验数据来定量分析直流偏磁对 CT 传变特性的影响。研究表明,CT 传变特性受直流偏磁的影响,这种影响... 高精度微型电流互感器(CT)是高端智能电力仪表常用的前端取样器件,其传变特性受直流偏磁的影响。以 0.02 级微型电流互感器为例,通过实验数据来定量分析直流偏磁对 CT 传变特性的影响。研究表明,CT 传变特性受直流偏磁的影响,这种影响随直流偏磁电流的增大而增大;角差随直流偏磁电流的增大而向正方向变化,随直流偏磁电流的增大而呈非线性快速增长;当直流偏磁电流超过微型电流互感器一次侧交流电流有效值的 2%时,比差超出 0.02 级 CT 比差误差限值。直流偏磁将导致仪表测量偏小。 展开更多
关键词 直流偏磁 高精度微型电流互感器 传变特性 比差 角差
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光电耦合器的结构设计及封装胶特性分析 被引量:5
15
作者 田浦延 陈蒲生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期340-343,397,共5页
研究了光电耦合器的结构设计,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了重要参数CTR和BV随绝缘距离的变化以及BV与封装尺寸的关系。分析了用于不同光传输结构光耦的内外封装胶特性,对几种不同的封装胶通过光谱测试实验讨论其成分与特性。
关键词 光电耦合器 电流传输比 绝缘电压 绝缘距离 发光二极管 封装胶
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材料特性对三乙烯四胺双向电渗技术短期效果试验研究 被引量:2
16
作者 郭柱 金骏 +2 位作者 朱育军 金伟良 许晨 《混凝土》 CAS 北大核心 2017年第1期71-75,共5页
沿海、盐碱地电厂等混凝土建、构筑物受盐害作用,导致其使用寿命降低。故引入对三乙烯四胺双向电渗短期效果的研究。对混凝土试块进行恒流通电,采用通电时间t=15 d,通电电流密度I=3 A/m2,研究不同水胶比、初始氯离子含量、保护层厚度作... 沿海、盐碱地电厂等混凝土建、构筑物受盐害作用,导致其使用寿命降低。故引入对三乙烯四胺双向电渗短期效果的研究。对混凝土试块进行恒流通电,采用通电时间t=15 d,通电电流密度I=3 A/m2,研究不同水胶比、初始氯离子含量、保护层厚度作用下,三乙烯四胺阻锈剂在混凝土试块中的双向电渗效果。结果表明,混凝土试块中氯离子排出量和水胶比、初始氯离子含量成递增关系,和保护层厚度成递减关系;三乙烯四胺阻锈剂迁入量和水胶比成递增关系,和初始氯离子含量关系不明显,和保护层厚度成递减关系。同时,通电后测量,钢筋的腐蚀电势以及钢筋/溶液界面电荷转移电阻均有不同程度增大,但其腐蚀电流也有一定程度增大。 展开更多
关键词 水胶比 初始氯离子含量 保护层厚度 三乙烯四胺 腐蚀电势 电荷转移电阻 腐蚀电流
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一种新的差动保护动作行为分析方法——分析篇 被引量:1
17
作者 林湘宁 刘沛 徐韬 《电力系统自动化》 EI CSCD 北大核心 2003年第24期32-36,62,共6页
运用在穿越电流倍数-电流互感器传变率(流出电流比)坐标平面上分析差动保护性能的方法,详细分析了两种新型标积制动判据中各个参数变化时,对判据的抗电流互感器饱和性能和反应内部故障灵敏性的影响。通过这个新的坐标平面,可以有针对性... 运用在穿越电流倍数-电流互感器传变率(流出电流比)坐标平面上分析差动保护性能的方法,详细分析了两种新型标积制动判据中各个参数变化时,对判据的抗电流互感器饱和性能和反应内部故障灵敏性的影响。通过这个新的坐标平面,可以有针对性地调节比例制动特性的各个参数,将判据在电流互感器饱和时最易误动的动作点配置电流互感器误差最小的区域。同时尽可能将拒动区配置在系统不可能或很少可能运行的区域,从而最大限度地发挥判据的效能。通过对比分析,明晰了两种判据的优缺点,两种判据在电流互感器饱和时具有同样的安全性,但采用条件动作区的判据在反应轻微内部故障时具有更好的灵敏性和灵活性,略优于采用制动区的判据。 展开更多
关键词 差动保护 标积制动 电流互感器饱和 穿越电流 传变率
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高频链TSMC的双极型空间矢量调制 被引量:3
18
作者 邓文浪 龙美志 +4 位作者 崔贵平 李辉 郭有贵 袁婷 刘和 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第11期75-82,共8页
针对传统双级矩阵变换器电压传输比最大只能为0.866的问题,研究了高频链双级矩阵变换器(TSMC)的拓扑结构,它是从常规双级矩阵变换器发展而成的一种新型功率变换器,具有功率密度大,传输损耗低的特点,不仅可以实现输入输出级的电气隔离,... 针对传统双级矩阵变换器电压传输比最大只能为0.866的问题,研究了高频链双级矩阵变换器(TSMC)的拓扑结构,它是从常规双级矩阵变换器发展而成的一种新型功率变换器,具有功率密度大,传输损耗低的特点,不仅可以实现输入输出级的电气隔离,还可以使电压传输比达到并超过1。本文提出了高频链TSMC的双极性空间矢量调制策略,即输入级双极性电流空间矢量和输出级双极性电压空间矢量相结合的协调控制策略,系统可实现输入级的零电流换流,高质量的输入电流和输出电压/电流,以及可调的输入功率因数。仿真结果验证了控制策略的正确性和有效性。 展开更多
关键词 高频链矩阵变换器 双极性空间矢量调制 TSMC 电压传输比 零电流换流
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红外光电晶体管结构参数优化及温度稳定性研究 被引量:1
19
作者 王宁 李伟 +1 位作者 范文兵 郭海松 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期55-62,共8页
基于非等温能量传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对红外光电晶体管外延层电阻率、基区表面浓度和基区宽度参数进行优化设计。根据不同环境温度情况下AlGaAs/GaAs发光二极管的发光强度,深入分析了光电晶体管结构参数对不同环境温度... 基于非等温能量传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对红外光电晶体管外延层电阻率、基区表面浓度和基区宽度参数进行优化设计。根据不同环境温度情况下AlGaAs/GaAs发光二极管的发光强度,深入分析了光电晶体管结构参数对不同环境温度下电流传输比及其温度变化率的影响。仿真结果表明:减小基区表面浓度和基区宽度有利于提高电流传输比的温度稳定性。相比于高温情况,低温下不同发射区表面浓度情况下的电流传输比温度变化率几乎相同。虽然发光二极管的光强随着温度的升高而降低,但是光电晶体管集电极电流始终低于发生大注入效应时的临界集电极电流,导致随着温度升高,光电晶体管电流传输比随之增大。 展开更多
关键词 光电晶体管 结构参数 电流传输比 击穿电压 饱和压降 温度稳定性 优化
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0.5级抗直流分量微型电流互感器的研究 被引量:1
20
作者 罗坤明 汤晓宇 +1 位作者 李春来 兰雄 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2019年第8期48-50,共3页
针对传统微型电流互感器在一次绕组存在直流分量时传变特性变差,分析了直流分量导致传统微型电流互感器失准的机理,研发了抗直流分量微型电流互感器。实验证明该抗直流分量微型电流互感器具有较好的抗直流性能,能达到0.5级测量精度。
关键词 微型电流互感器 直流分量 双铁心 传变特性 比差 角差
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