白榆D33雄性不育花芽发育的形态及内源激素的动态变化

为了探究榆树雄性不育系花芽形态的特征及内源激素在榆树雄性不育系花芽中的调控作用,在花芽发育的不同时期,观察白榆D33雄性不育株和可育株Y3、Y4的花芽形态特征,并利用石蜡切片对其花药的内部形态进行观察;采用高效液相色谱法,对不育植株和可育植株花芽发育过程的玉米素(ZT)、赤霉素(GA3)和生长素(IAA)含量的动态变化进行比较分析。结果表明,与可育株Y3、Y4相比,不育系白榆D33在花蕾发育期间,花丝不伸长,花药干瘪,不能形成正常的花粉,但其雌蕊发育正常,能接受花粉而形成翅果;不育系白榆D33的ZT含量明显高于Y3、Y4,GA3含量动态变化较大,IAA含量出现下降趋势,并且在D33中GA3/IAA和GA3/ZT值动态变化幅度较大。不育系白榆花芽雄蕊发育不正常,花药不能产生花粉进行自花授粉,但其雌蕊发育正常;不育系白榆花芽的ZT、GA3和IAA含量不稳定。

用准静态d33测量仪和干涉法相结合测量晶体的压电应变常数

本文介绍了用准静态d33测量仪和干涉法^(1)相结合测量K0．1Li0.1Sr0.625Ba0.225Nb2O6晶体的压电应变常数，结果为d33=105.0,d31=-24.0,d15=101.7×10^-12C/N。

姜黄素类似物D33对大鼠机体免疫耐受的影响及机制

目的姜黄素类似物D33对同种异体肢体移植原位再植模型大鼠的免疫功能的作用及机制。方法构建SD/Wistar大鼠的同种异体肢体移植原位再植模型,随机分为对照组和D33组,D33组每日腹腔注射20mg/kg D33,对照组注射等体积生理盐水。另选择正常Wistar大鼠作为正常组。流式细胞术分析各组T细胞亚型分布以及血液中炎性因子TNF-α、IL-1、IL-2、IFN-γ、IL-4、IL-5和IL-10的含量。从D33组大鼠的胰岛和淋巴组织中分别分选受者来源DC细胞和供者来源DC细胞,Western blot法检测DC细胞中NF-κB、p38/MAPK、ERK/MAPK和Ⅰ型IFN(IFN-α/β)通路的激活情况。结果 D33的大鼠的移植手术效果较佳。D33组受鼠血液中CD4^+、CD8^+、CD4^+/CD8^+的比例均低于对照组,但高于正常组。D33组中TNF-α、IFN-γ、IL-1、IL-2和IL-5水平均低于对照组,而IL-4和IL-10水平高于对照组。受者来源DC细胞中,D33可明显抑制NF-κB、p38/MAPK、ERK/MAPK和Ⅰ型IFN(IFN-α/β)通路的激活,在供者来源DC细胞中,D33的影响并不明显。结论 D33通过抑制TLR4相关通路诱导机体免疫耐受。

切向极化压电陶瓷在弯曲盘上的适配性研究

为了将切向极化压电陶瓷应用于弯曲盘振动中,利用较大的d33系数,以获取更低的谐振频率和更高的发送电压响应,文章提出一种基于切向极化压电陶瓷的弯曲圆盘换能器实现方法。主要利用未极化的压电陶瓷与切向极化陶瓷有相同的材料属性,将其作为切向极化压电陶瓷和弯曲盘之间的绝缘材料,以及作为弯曲振动的适配性过渡材料。试制了Ф400×80 mm、重35 kg的切向极化弯曲盘样机,在谐振频率280 Hz处发送电压响应级可达127 dB,且大功率下具有良好的线性。测试结果验证了切向极化应用于弯曲振动的可行性,以及切向极化陶瓷在弯曲盘振动时的适配性。

江苏苏州真山土墩墓(D33)发掘简报

土墩墓位于苏州市高新区通安与浒关交界处大真山的北麓,1992年苏州博物馆考古部田野调查时发现,为一座直径30、高约5米的土墩（编号D33）（图一）。2009年,全国第三次文物普查过程中发现该墩西南部有一盗坑。2010年4-6月,苏州市考古研究所对D33进行了抢救性发掘。发掘采用四分法,首先发掘第二象限（T2）,发现＂石椁＂之后,再发掘T4至石椁位置;之后T1、T3同时下挖,揭露出＂石椁＂范围。

用作空耦超声换能器的聚丙烯多孔膜驻极体的压电性能

以初始厚度为50μm的国产聚丙烯(PP)多孔膜(PQ50)为原材料,通过微结构调控制备了不同厚度的压电驻极体膜,并对比研究了其与芬兰VTT开发的商用PP多孔压电驻极体膜HS70的压电和声学性能。结果表明薄膜的杨氏模量与厚度呈U型依赖关系,杨氏模量在厚度为60~65μm时出现谷值。PP压电驻极体膜的极化呈现阈值行为,在阈值电压以上,压电d_(33)系数随着极化电压的上升而显著增加。当极化电压为6kV时,厚度为60μm的PQ50多孔膜d_(33)达355pC/N,而HS70的d_(33)系数为179 pC/N。在1~10N的静态力范围内,两类PP多孔膜驻极体的压电d_(33)系数先下降后趋于平稳。以PQ50(厚度60μm)和HS70为振膜制作的超声换能器,其振幅分别为170和26 mV,带宽分别为320和180 kHz,因此,国产PQ50薄膜经微结构调控处理后表现出优于商售VTT薄膜的压电与声学性能。

复合压电材料D_(33)数值的Dilute模型分析

以材料的压电方程为基础, 通过引入Dilute材料复合模型, 探讨了复合压电材料中不同组元的性能与复合材料压电常数D33的关系。将分析数据与复合压电材料的D33实验数据对照, 找出了几种提高复合材料压电性能的方法: 改善组元的介电匹配以及适量添加第三相高介电材料可显著改善复合材料的压电性能; 组元的尺寸变化也将对材料的压电性能产生一定的影响。

IPN/PMN压电阻尼材料性能的研究

综合利用铌镁锆钛酸铅(PMN)压电陶瓷、互穿聚合物网络(IPN)两种材料各自的优点,设计制备了以丙烯酸酯IPN体系为基体的聚合物基压电阻尼复合材料。研究发现:PMN的加入,不仅提高了其阻尼性能,对复合体系的热稳定性也有贡献。经万能击穿装置极化后,研究压电常数与PMN含量的关系,用动态力学分析仪研究发现其阻尼性能更加优越。

汉中地区Rh阴性个体D基因多态性的研究

目的研究汉中地区血清学方法检测表现RhD阴性个体的RHD基因多态性分布状况。方法应用PCR方法检测RhD阴性表型的个体，对特殊样本进行测序分析。结果在351例样本中，检出d／d基因型248例，占70．7％；DEL型67例，占19．1％；RHD-CE（2—9）-D／d融合基因型22例，占6．3％；DⅥ，Ⅲ型7例，占2．0％，高于国内其他地区；弱D-15型、弱D25型和Dva型各1例；弱D33型和RHD71ldelC各2例；DEL血型个体中具有C抗原者比例较高，但亦有C抗原阴性表型存在；首次在中国报道发现弱D25型和弱D33型。结论阴性表型个体中最主要的RHD基因阳性个体是DEL型，对汉中地区Rh阴性无偿献血者D基因多态性进行研究，揭示了Rh阴性个体D基因多态性，既有临床意义。也有遗传学意义。

E-S法测量压电元件压电应变常数d_(33)的研究

压电应变常数d33是表征压电元件压电性能的重要参数之一 本研究从d33的定义出发 ,利用压电元件的逆压电效应 ,给出一种测量d33常数的新方法———E -S法 文中通过实验对具体的压电陶瓷片的d33进行了测量 ,并将E -S法与准静态法的测试结果进行比较分析 。

驻极体外静电场对不同参数环孢菌素A贴剂极化特性的影响

以环孢菌素A为模型药物,以不同浓度促渗剂、不同含量模型药物的环孢菌素A贴剂为研究对象,将不同表面电位正极性驻极体产生的外静电场作为电场源,系统研究驻极体引起各类环孢菌素A贴剂的极化规律及其与贴剂参数间的关系.结果显示:驻极体产生的外静电场能引起环孢菌素A贴剂的极化,驻极体的等效表面电位越高,贴剂的极化程度越强;驻极体引起环孢菌素A贴剂的极化与模型药物的含量及促渗剂的浓度密切相关.在特定电场下贴剂的极化强度随模型药物含量和促渗剂浓度的增加而下降;驻极体引起环孢菌素A贴剂的极化程度呈现出:促渗剂的极化>模型药物的极化>含促渗剂模型药物的极化.结果表明:驻极体外静电场能引起环孢菌素A和促渗剂的极化,极化的环孢菌素A在电场的作用下有望实现可控迁移和释放的目的.

高Sc含量ScAlN薄膜的制备与表征

本文利用优化的种子层结构和工艺参数,以AlSc合金靶为靶源,以脉冲直流反应磁控溅射AlSc合金靶的方式在室温下制备了ScAlN薄膜,同时设计并制作了压电测试专用结构,解决了ScAlN腐蚀工艺不成熟的问题,结合X射线衍射仪、扫描电镜、能谱仪、准静态d33分析仪、纳米压痕法等方法表征了薄膜的结晶质量、组成成分和机电耦合系数等性能。由表征结果可知,所制备的Sc0.35Al0.65N薄膜具有高度c轴择优取向,摇摆曲线的半高宽低至2.167°,同时结晶致密,有少量贝壳状凸起。薄膜的压电常数d33为-23.4 pC/N,机电耦合系数k_(33)^(2)和k_(t)^(2)分别为34.6%和25.7%,具有制备FBAR等高性能压电MEMS器件的潜力。

圆柱形压电能量采集装置的设计与实验研究

基于压电材料的能量采集装置具有响应速度快、电控性能好、无电磁干扰等优点.设计了一种圆柱形压电振子,工作模式为d33型的压电能量采集装置,并对其进行了有限元仿真分析,通过搭建实验平台对压电陶瓷进行了发电实验验证,结果显示随着频率和振幅的增加,电压幅值也增加.

圆柱形压电振子减振器的设计与性能测试

利用压电材料俘获振动能量与电流变弹性体的电流变效应设计了一种圆柱型压电振子减振器,将其在压电发电、电场E=0和1 000V下进行减振实验测试,结果发现,在频率<50 Hz的低频率、低振幅下,d33模式下减振器在E=1 000V和压电供电时的减振效果比无电场时好。研究表明,减振器实现了自供能,可利用压电材料去电控调节电流变弹性体的阻尼。

Zn/PVDF复合薄膜的结构和压电性能研究

为获得新型高性能铁电聚合物薄膜的制备技术,采用热压法工艺制备了Zn颗粒/聚偏二氟乙烯(PVDF)金属聚合物压电薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)和傅立叶红外光谱仪(FTIR)对晶形结构进行了分析,运用准静态压电测试仪测量了复合薄膜的压电应变常数d33.结果表明:Zn颗粒的加入使复合薄膜诱导产生β晶相,而热压制备的纯PVDF薄膜只含有非极性的α晶相;同时,Zn/PVDF复合薄膜的压电应变常数d33相比于PVDF薄膜明显提高,具有较强的压电性;并且,压电性能明显受到薄膜中氧化锌含量的影响,在一定范围内,随着Zn含量的增加,复合薄膜的压电应变常数也随之增加.

制备工艺对0-3型压电复合材料的d_(33)的影响

采用固化、热压、冷压工艺制备0-3型PZNN/PVDF压电复合材料,用准静态压电测试仪测试了压电复合材料的压电应变常数d_(33),通过对以上三种制备工艺的对比,结果表明:在无机和有机压电材料的体积比大于70％时,冷压工艺优于固化和热压工艺,在它们的体积比小于70％时,热压工艺优于冷压和固化工艺。

全叉指电极d_(33)模式压电悬臂梁俘能器研究

为了克服表面叉指电极d33模式微机电系统（MEMS）悬臂梁振动俘能器中存在的压电材料极化不完全、存在弯曲电场等问题,提出了一种电极贯穿于整个压电层的全d33模式MEMS悬臂梁振动俘能器。根据机电耦合模型,分析了电极尺寸与材料厚度对压电俘能器输出功率的影响。优化结果表明：当硅基底厚度为20μm、电极宽度1μm时,电极间距最优范围为25~75μm,PZT材料最优厚度为7μm,归一化后得到功率密度为34.5 m Wcm-3g-2n。通过在表面叉指电极d33模式俘能器的基础上增加电镀电极工艺,设计了不锈钢基底的全d33模式MEMS俘能器的工艺流程,完成了部分单元工艺。

Nb^5＋掺杂量对钛酸铋钡微结构及性能的影响

采用固相烧结法,按BaBi4Ti4–xNbxO15的化学计量比,制备了钛酸铋钡BaBi4Ti4O15(BBT)陶瓷,研究了Nb5+掺杂量对其微结构与性能的影响。结果表明:适量Nb2O5加入不会改变BBT晶体结构,并能够抑制晶粒生长。材料的d33和εr均随Nb2O5加入量的增加而呈现极值型变化,但其tanδ持续增加,最佳性能出现在x为0.07处,此时d33达到16pC/N,而εr为270。