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高数值孔径投影光刻物镜的光学设计
被引量:
10
1
作者
徐明飞
庞武斌
+2 位作者
徐象如
王新华
黄玮
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期740-746,共7页
针对45nm节点投影光刻物镜的应用,开展了工作波长为193nm的深紫外浸没式高数值孔径(NA)投影光刻物镜的研究和研制。设计了数值孔径(NA)为1.30的离轴三反射镜投影光刻物镜和NA为1.35的同轴两反射镜投影光刻物镜,并对两个设计方案的...
针对45nm节点投影光刻物镜的应用,开展了工作波长为193nm的深紫外浸没式高数值孔径(NA)投影光刻物镜的研究和研制。设计了数值孔径(NA)为1.30的离轴三反射镜投影光刻物镜和NA为1.35的同轴两反射镜投影光刻物镜,并对两个设计方案的优劣进行对比分析,选择了同轴式结构作为最终的设计方案。分析了系统在不同NA情况下可变光阑与其远心度之间的关系,提出了用双可变曲面光阑的设计方案来优化系统的远心度。实验表明,应用本文设计方案,光刻物镜的波像差小于1nm,畸变小于1nm;新型的可变光阑使系统NA在0.85~1.35变化时的最大远心度由5.83~17.57mrad降低至0.26~3.21mrad。本文提出的设计方案为45nm节点高数值孔径投影光刻物镜的研制提供了有益的理论依据和指导。
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关键词
光学设计
高数值孔径(NA)投影光刻物镜
深紫外投影光刻物镜
远心度
曲面光阑
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职称材料
新型URE-2000S型紫外单、双面深度光刻机研制
被引量:
2
2
作者
马平
杨春利
+1 位作者
胡松
赵立新
《微纳电子技术》
CAS
2005年第8期388-391,共4页
重点介绍新近开发的用于单、双面深度曝光的URE-2000S新型紫外光刻设备的技术背景、工作原理、结构组成、技术措施以及总体性能。该设备采用了国内首创的CCD图像底面对准技术、单曝光头实现双面对准曝光,具有双面套刻对准精度高、操作...
重点介绍新近开发的用于单、双面深度曝光的URE-2000S新型紫外光刻设备的技术背景、工作原理、结构组成、技术措施以及总体性能。该设备采用了国内首创的CCD图像底面对准技术、单曝光头实现双面对准曝光,具有双面套刻对准精度高、操作简单、工作高效等优点。实验表明,该设备总体性能处于国产双面光刻的先进水平,接近国外同类产品水平。
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关键词
双面光刻
底面对准
深度曝光
掩模
样片
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职称材料
超高数值孔径Schwarzschild投影光刻物镜的光学设计
被引量:
13
3
作者
胡大伟
李艳秋
刘晓林
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期198-204,共7页
针对45nm及以下节点光刻相关技术的研究需求,确定了实验型投影光刻物镜的结构型式及设计指标。依据像差理论在非同心小遮拦的Schwarzschild反射系统中添加折射补偿镜组来进一步减小系统的中心遮拦,扩大像方数值孔径。设计了一套小中心遮...
针对45nm及以下节点光刻相关技术的研究需求,确定了实验型投影光刻物镜的结构型式及设计指标。依据像差理论在非同心小遮拦的Schwarzschild反射系统中添加折射补偿镜组来进一步减小系统的中心遮拦,扩大像方数值孔径。设计了一套小中心遮拦,数值孔径为1.20的Schwarzschild折反式投影光刻物镜。设计结果表明,该投影光刻物镜工作带宽为100pm,像方视场为50μm,线中心遮拦比为13%,光学分辨力为80nm时(6240lp/mm)的系统调制传递函数大于0.45,全视场最大畸变为6.5nm,满足了45nm深紫外(DUV)浸没光刻实验平台对投影光刻物镜的需求。
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关键词
光学设计
投影光刻物镜
超高数值孔径
SCHWARZSCHILD
深紫外
原文传递
题名
高数值孔径投影光刻物镜的光学设计
被引量:
10
1
作者
徐明飞
庞武斌
徐象如
王新华
黄玮
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
中国科学院大学
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期740-746,共7页
基金
国家科技重大专项基金资助项目(No.2012ZX02701001-007)
文摘
针对45nm节点投影光刻物镜的应用,开展了工作波长为193nm的深紫外浸没式高数值孔径(NA)投影光刻物镜的研究和研制。设计了数值孔径(NA)为1.30的离轴三反射镜投影光刻物镜和NA为1.35的同轴两反射镜投影光刻物镜,并对两个设计方案的优劣进行对比分析,选择了同轴式结构作为最终的设计方案。分析了系统在不同NA情况下可变光阑与其远心度之间的关系,提出了用双可变曲面光阑的设计方案来优化系统的远心度。实验表明,应用本文设计方案,光刻物镜的波像差小于1nm,畸变小于1nm;新型的可变光阑使系统NA在0.85~1.35变化时的最大远心度由5.83~17.57mrad降低至0.26~3.21mrad。本文提出的设计方案为45nm节点高数值孔径投影光刻物镜的研制提供了有益的理论依据和指导。
关键词
光学设计
高数值孔径(NA)投影光刻物镜
深紫外投影光刻物镜
远心度
曲面光阑
Keywords
optical system design
high Numerical Aperture(NA)lithographic lens
Deep Ultraviolet(DUV)lithographic lens
telecentricity
curved stop aperture
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TH703 [机械工程—精密仪器及机械]
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职称材料
题名
新型URE-2000S型紫外单、双面深度光刻机研制
被引量:
2
2
作者
马平
杨春利
胡松
赵立新
机构
中国科学院光电技术研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2005年第8期388-391,共4页
文摘
重点介绍新近开发的用于单、双面深度曝光的URE-2000S新型紫外光刻设备的技术背景、工作原理、结构组成、技术措施以及总体性能。该设备采用了国内首创的CCD图像底面对准技术、单曝光头实现双面对准曝光,具有双面套刻对准精度高、操作简单、工作高效等优点。实验表明,该设备总体性能处于国产双面光刻的先进水平,接近国外同类产品水平。
关键词
双面光刻
底面对准
深度曝光
掩模
样片
Keywords
double-side lithography
bottom side alignment
deep-lithograph
mask
wafer
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
超高数值孔径Schwarzschild投影光刻物镜的光学设计
被引量:
13
3
作者
胡大伟
李艳秋
刘晓林
机构
北京理工大学光电学院光电成像技术与系统教育部重点实验室
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期198-204,共7页
基金
国家科技重大专项
国家自然基金重点项目(60938003)资助课题
文摘
针对45nm及以下节点光刻相关技术的研究需求,确定了实验型投影光刻物镜的结构型式及设计指标。依据像差理论在非同心小遮拦的Schwarzschild反射系统中添加折射补偿镜组来进一步减小系统的中心遮拦,扩大像方数值孔径。设计了一套小中心遮拦,数值孔径为1.20的Schwarzschild折反式投影光刻物镜。设计结果表明,该投影光刻物镜工作带宽为100pm,像方视场为50μm,线中心遮拦比为13%,光学分辨力为80nm时(6240lp/mm)的系统调制传递函数大于0.45,全视场最大畸变为6.5nm,满足了45nm深紫外(DUV)浸没光刻实验平台对投影光刻物镜的需求。
关键词
光学设计
投影光刻物镜
超高数值孔径
SCHWARZSCHILD
深紫外
Keywords
optical design
projection lithographic lens
hyper numerical aperture
Schwarzschild
deep ultraviolet
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高数值孔径投影光刻物镜的光学设计
徐明飞
庞武斌
徐象如
王新华
黄玮
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
10
下载PDF
职称材料
2
新型URE-2000S型紫外单、双面深度光刻机研制
马平
杨春利
胡松
赵立新
《微纳电子技术》
CAS
2005
2
下载PDF
职称材料
3
超高数值孔径Schwarzschild投影光刻物镜的光学设计
胡大伟
李艳秋
刘晓林
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
13
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