大功率LED封装界面层裂对界面传热性能的影响分析

对大功率LED封装器件进行了封装界面层裂的热仿真分析,在芯片粘结(DA)层上构建了不同的界面层裂模型,探究了不同层裂形状、位置及分布时界面层裂对芯片热传递的影响规律。结果表明:随着界面层裂面积的增加,LED芯片结温以14℃/mm^2以上的速率增大,层裂面积达到36%时,芯片最高温度为68.68℃,相比无层裂时升高了9.8%;并且界面层裂处于DA层的下界面比上界面对芯片温度分布影响更大;此外,针对同一界面的层裂缺陷,相对于边缘位置和中心位置,封装边角位置的层裂对整体LED封装热传输能力的阻碍作用更明显。