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Comparison between Double Crystals X-ray Diffraction and Micro-Raman Measurement on Composition Determination of High Ge Content Si_(1-x)Ge_(x) Layer Epitaxied on Si Substrate 被引量:1
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作者 Lei ZHAO Yuhua ZUO Buwen CHENG Jinzhong YU Qiming WANG 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第5期651-654,共4页
It is important to acquire the composition of Si1-xGex layer, especially that with high Ge content, epitaxied on Si substrate. Two nondestructive examination methods, double crystals X-ray diffraction (DCXRD) and mi... It is important to acquire the composition of Si1-xGex layer, especially that with high Ge content, epitaxied on Si substrate. Two nondestructive examination methods, double crystals X-ray diffraction (DCXRD) and micro-Raman measurement, were introduced comparatively to determine x value in Si1-xGex layer, which show that while the two methods are consistent with each other when x is low, the results obtained from double crystals X-ray diffraction are not credible due to the large strain relaxation occurring in Si1-xGex layers when Ge content is higher than about 20%. Micro-Raman measurement is more appropriate for determining high Ge content than DCXRD. 展开更多
关键词 Si1-xGex Ge content Composition determination double crystals x-ray diffraction (DCxRD) Micro-Raman measurement
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X-ray Powder Diffraction Data and Crystal Structure of NiSbY
2
作者 曾令民 李均钦 +2 位作者 张丽萍 庄应烘 郝建民 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1996年第1期67-70,共4页
X-ray powder diffraction data and crystal structure of NiSbY compound were studied by X-ray powderdiffraction. The compound belongs to the space group F43 m with MgAgAs structure type, and the parameters Z=4, a=0.6307... X-ray powder diffraction data and crystal structure of NiSbY compound were studied by X-ray powderdiffraction. The compound belongs to the space group F43 m with MgAgAs structure type, and the parameters Z=4, a=0.63075(2) nm. 展开更多
关键词 ANTIMONY crystal structure diffraction NICKEL x rays YTTRIUM
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Crystal Structure and X-ray Powder Diffraction Data for Rare Earth Compound PrNiSn
3
作者 吴世伟 曾令民 +3 位作者 谭立真 张丽萍 严嘉琳 郝建民 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1999年第1期56-60,共5页
The compound PrNiSn was studied by X ray powder diffraction technique. The crystal structure and the X ray diffraction data for this compound at room temperature were reported. The compound PrNiSn is orthorhombic wi... The compound PrNiSn was studied by X ray powder diffraction technique. The crystal structure and the X ray diffraction data for this compound at room temperature were reported. The compound PrNiSn is orthorhombic with lattice parameters a =0.74569(3) nm, b =0.76851(5) nm, c =0.45676(8) nm, V =0.26176 nm 3, Z =4 and D x=8.076 g·cm -3 , space group Pna2 1(33). The figure of merit F N for the compound is F 30 =54 (0.0093, 60). 展开更多
关键词 PrNiSn x ray diffraction data crystal structure
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Photoluminescence and X-ray Diffraction of Distributed Bragg Reflector
4
作者 LILin LIUWen-li LUBin JUGuo-xian ZHANGYong-ming HAOYong-qin SUWei ZHONGJing-chang 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2004年第3期179-181,193,共4页
Spectral and structural characteristics of distributed Bragg reflector (DBR) in vertical-cavity surface-emitting lasers were studied with photoluminescence and double-crystal X-ray diffraction measurement.The expected... Spectral and structural characteristics of distributed Bragg reflector (DBR) in vertical-cavity surface-emitting lasers were studied with photoluminescence and double-crystal X-ray diffraction measurement.The expected high quality epitaxial DBR structure was verified.In the X-ray double-crystal rocking curves of DBR the zeroth-order peak,the first and second order satellite peaks were measured.Splitting of diffraction peak appeared in the rocking curves was analyzed.The effects of introduced deep energy levels on the structural perfection and optical properties were discussed. 展开更多
关键词 光致发光 x射线衍射 分布式布拉格反射器 DBR
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Unknown crystal structure determination from X-ray powder diffraction data
5
作者 施颖 梁敬魁 +1 位作者 刘泉林 陈小龙 《Science China Mathematics》 SCIE 1998年第2期191-197,共7页
The crystal structure of new compound Ba 3BPO 7 has been solved by X ray powder diffraction technique. As a new structure type, the positions of barium, boron and phosphate atoms have been determined by single crystal... The crystal structure of new compound Ba 3BPO 7 has been solved by X ray powder diffraction technique. As a new structure type, the positions of barium, boron and phosphate atoms have been determined by single crystal direct method after profile decomposition from Ba 3BPO 7 X ray powder diffraction patterns. The positions of oxygen atoms have been determined by the interpretation of their vibration spectra which indicate that in this crystal the boron and phosphorus atoms form BO 3 and PO 4 polyhedra. The structure has been refined by Rietveld technique based on the above model. 展开更多
关键词 x ray POWDER diffraction crystal structure profile decomposition RIETVELD refinement.
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Mg_xZn_(1-x)O单晶薄膜的结构和光学性质 被引量:4
6
作者 吴春霞 吕有明 +5 位作者 李炳辉 魏志鹏 刘益春 申德振 张吉英 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期277-282,共6页
用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量... 用等离子辅助分子束外延 (P MBE)的方法 ,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1 xO合金薄膜。在0≤x≤ 0 2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到 ,随着Mg含量的增加 ,薄膜的晶格常数c由 0 5 2 0 5nm减小到 0 5 1 85nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射 (NBE)峰 ,没有观察到深能级 (DL)发射 ,且随着Mg的掺入量的增加 ,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明 ,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动 ,这与室温下光致发光的结果是相吻合的 ,并计算出随着x值增加 ,带隙宽度从 3 338eV逐渐展宽到3 6 82eV。通过研究Mg0 1 2 Zn0 88O样品的变温光谱 ,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中 ,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。 展开更多
关键词 MGxZN1-xO P-MBE x射线双晶衍射 光致发光
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Si_(1-x)Ge_x/Si应变材料的生长及热稳定性研究 被引量:3
7
作者 李竞春 杨沛峰 +4 位作者 杨谟华 何林 李开成 谭开州 张静 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期120-123,共4页
利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1~ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、... 利用分子束外延 ( MBE)技术生长了 Ge组份为 0 .1~ 0 .46的 Si1-x Gex 外延层。X射线衍射测试表明 ,Si Ge/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面 ,其它参数也可准确控制。通过 X射线双晶衍射摇摆曲线方法 ,研究了经 70 0°C、80 0°C和 90 0°C退火后应变 Si Ge/Si异质结材料的热稳定性。结果表明 ,随着退火温度的提高 ,应变层垂直应变逐渐减小 ,并发生了应变驰豫 ,导致晶体质量退化 ;且 Ge组分越小 ,Si1-x Gex 应变结构的热稳定性越好 ; 展开更多
关键词 热稳定性 应变材料 分子束外延 x射线双晶衍射 锗硅材料
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液相外延生长Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜及其特性分析 被引量:3
8
作者 李标 陈新强 +2 位作者 褚君浩 曹菊英 汤定元 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期216-222,共7页
报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由... 报道了用液相外延技术生长Hg1-xCdxTe薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法.结果表明Hg气压、过冷度、降温速率及退人条件等因素对波相外延薄膜的性能有很大影响.由X射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份,由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布. 展开更多
关键词 液相外延 x射线双晶衍射 HGCDTE 薄膜
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用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子阱结构 被引量:2
9
作者 杨艳 薛晨阳 +1 位作者 张斌珍 张文栋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期105-107,共3页
用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs/GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料... 用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs/GaAs量子阱结构卡才料进行了测试分析。结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、Ⅴ/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现缘进行了理论分析。 展开更多
关键词 分子束外延 超晶格半导体 x射线双晶衍射
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X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比 被引量:1
10
作者 黎建明 屠海令 +3 位作者 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1187-1191,共5页
采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 Ga As单晶的化学配比 .并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系 ,对于制备高质量 Ga As单晶及其... 采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 Ga As单晶的化学配比 .并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系 ,对于制备高质量 Ga As单晶及其光电器件具有重要的意义 . 展开更多
关键词 x射线 晶格参数 化学配比 双晶衍射 三轴晶模式衍射 砷化镓
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锗/硅短周期超晶格的X射线双晶衍射研究 被引量:1
11
作者 季振国 袁骏 +2 位作者 卢焕明 芮祥新 王龙成 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期1-4,共4页
用 X射线双晶衍射对气源分子束外延 (GS- MBE)制备的锗 /硅短周期超晶格 (SPS)样品进行了分析。所有样品的锗层厚度固定为 1.5单原子层 ,而硅层厚度为 1.4~ 3.8nm。对于硅层厚度小于 2 .4nm的样品来说 ,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引... 用 X射线双晶衍射对气源分子束外延 (GS- MBE)制备的锗 /硅短周期超晶格 (SPS)样品进行了分析。所有样品的锗层厚度固定为 1.5单原子层 ,而硅层厚度为 1.4~ 3.8nm。对于硅层厚度小于 2 .4nm的样品来说 ,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽 ,而且看不到干涉引起的精细结构 ,这表明超晶格中可能存在位错及界面不平整。对硅层较厚 (>2 .9nm)的样品 ,摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰很窄 ,而且有明显的由干涉产生的精细结构 ,表明此时超晶格的质量较高 ,界面平整。对硅层厚度为2 .1~ 2 .9nm的样品 ,超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰 ,但没有精细结构出现。这个区间与文献 [1]报道的在荧光光谱发现的一个异常带出现区间完全相同。本实验的 X射线双晶衍射测试与分析结果支持文献 展开更多
关键词 短周期 超晶格 双晶衍射
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Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射 被引量:1
12
作者 马通达 屠海令 +2 位作者 胡广勇 邵贝羚 刘安生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1359-1363,共5页
运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对... 运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨三轴晶X射线衍射2θω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系. 展开更多
关键词 同步辐射双晶貌相术 高分辨三轴晶x射线衍射 衍射双峰 Si/SiGe/Si-SOI异质结构
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高精度X射线双晶衍射仪的原理及其应用 被引量:2
13
作者 卢焕明 赵轶 叶志镇 《材料科学与工程》 CSCD 1997年第4期51-53,共3页
本文介绍了X射线双晶衍射仪的特点及其原理,以及利用X射线摇摆曲线技术在半导体材料研究方面的应用。
关键词 双晶衍射 摇摆曲线 超晶格 x射线
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组份变化的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构对其X射线衍射及发光性质的影响 被引量:1
14
作者 单含 李梅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期68-71,共4页
通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条... 通过二元系和三元系结构参数计算四元系量子阱结构的晶格常数、禁带宽度等,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb结构的MBE生长参数及工艺,利用X射线双晶衍射和PL谱研究了InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构特性和光学特性。X射线双晶衍射谱中出现了8条卫星峰,表明制备的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构具有良好的结晶质量。利用光致发光光谱方法对制备的样品的光学性质进行了表征,结果表明,不同组份的InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱的发光峰波长随组份的变化在1.6~2.28μm范围内可调,样品PL谱的半峰宽最窄可达22 meV。 展开更多
关键词 GaSb衬底 InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱结构 x射线双晶衍射 发光性质
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DNA纤维的X射线衍射分析与双螺旋结构的发现 被引量:11
15
作者 向义和 《大学物理》 北大核心 2005年第1期50-58,共9页
概述了DNA化学结构式确立的过程,介绍了X射线衍射分析的概念、原理和方法,阐述了物理学家威尔金斯和物理化学家富兰克林在用实验事实证明DNA双螺旋结构方面所作出的巨大贡献.
关键词 DNA化学结构 x射线衍射 晶体 布拉格方程 倒易格点 贝塞尔函数 帕特森函数 DNA双螺旋结构
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XPS定量测量三元合金ZnS_(1-x)Te_x薄膜组分x的研究 被引量:1
16
作者 孙汪典 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期151-153,共3页
利用XPS定量测量分子束外延生长的三元合金碲硫锌ZnS1-xTex(0 <x <1)薄膜的组分x ,对比用高分辨率X射线双晶衍射技术的测量结果 ,相对误差小于 10 %。
关键词 x射线 光电子能谱 碲硫锌 薄膜 双晶衍射 组分
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x射线双晶衍射测试曲线的计算机模拟分析 被引量:1
17
作者 丁国庆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期50-54,共5页
介绍了x射线双晶衍射动力学理论和基于光干涉行为的Pendelsung现象,给出了几种典型的模拟摇摆曲线和其组分与结构参数。较详细地介绍了采用计算机模拟摇摆曲线逼近并分析实测摇摆曲线的方法。
关键词 x射线双晶衍射 计算机模拟分析 化合物半导体
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X射线双晶衍射研究LP-MOVPE生长的InGaAs/GaAs应变超晶格
18
作者 崔敬忠 陈光华 +5 位作者 甘润今 张仿清 杨树人 刘宝林 陈佰军 刘式墉 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期58-61,共4页
用金属有机气相外延(LP-MOVPE)生长了一系列具有不同应变、不同周期以及不同缓冲层的InGaAs/GaAs应变超晶格.用X射线双晶衍射方法得到了样品的摇摆曲线.结合计算机模拟得到了样品的应变、组分等结构参数.
关键词 气相外延生长 超昌格 半导体 INGAAS 砷化镓
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X射线在超晶格材料衍射中的相干性分析
19
作者 马永强 武一宾 +5 位作者 杨瑞霞 李若凡 商耀辉 牛晨亮 卜夏正 王建峰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1042-1044,1081,共4页
X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaA... X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1μm。X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加。分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析。 展开更多
关键词 超晶格 分子束外延 x射线双晶衍射 相干长度
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MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究
20
作者 张磊 杨瑞霞 +2 位作者 武一宾 商耀辉 高金环 《电子器件》 CAS 2007年第4期1184-1187,共4页
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进... 用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2. 展开更多
关键词 RTD x射线双晶衍射 MBE 回摆曲线
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