杂质消除方法对Ge_(28)Se_(60)Sb_(12)玻璃红外透过性能的影响

研究了3种杂质消除的预处理方法对硫系玻璃Ge28Se60Sb12红外透过性能的影响.结果发现,石英安瓿瓶经过高温脱羟处理,硫系玻璃中由外源羟基引起的6.3,7.9和12.8μm3处的红外特征吸收降低;玻璃原料中引入除氧剂铝,除[Se-H]键外硫系玻璃中的杂质吸收峰处透过率都得到明显提升,尤其是12.8μm;采用原料整体加热的纯化工艺处理,4.5和4.9μm处[Se-H]键吸收峰的透过率得到提升;将3种杂质消除方法结合在一起,能够有效消除0.9~15μm波段内的杂质吸收峰,获得光学透过性能优异的硫系玻璃.

磷硅镉多晶合成的防爆工艺研究

分析了磷硅镉(CdSiP2)多晶合成过程中产生爆炸的原因。采用双层石英安瓿作为反应容器和低温区域在炉管中部的合成炉。在合成低温阶段采用气相输运技术使原料分步反应,防止P蒸气压过高引起爆炸,在合成高温阶段采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法使元素化合反应充分、完全,避免了合成中间产物聚集引起容器爆炸,成功合成出了完整、光滑、致密的CdSiP2多晶锭。采用X射线衍射(XRD)对多晶锭进行分析,结果表明:合成材料为高纯单相的CdSiP2多晶体,为CdSiP2单晶体的生长奠定了可靠基础。

石英安瓿下降法生长硫镓银晶体的研究

分析了硫镓银晶体的反常热膨胀,主要是由于晶体结构中Ag,Ga,S三种原子形成的四面体随着温度变化发生了畸变;通过采用改变生长安瓿的直径和壁厚,并在生长安瓿外面加一层套管的方法来减小晶体在降温过程中的反常热膨胀作用,有效避免了反常热膨胀可能造成的晶体破裂现象,生长出了完整性较好的大尺寸硫镓银单晶体。

石英瓶前处理方式对硫系玻璃性能的影响

硫系玻璃是单晶锗的低成本替代品,可作为红外热成像系统的透镜和窗口材料,未来应用前景十分广阔。但是目前,硫系玻璃性能提高遭遇瓶颈,原因之一在于石英安瓿瓶前处理水平限制了硫系玻璃性能的提升。通过高温充氮脱羟技术改进石英瓶前处理,并和目前常用方式石英瓶处理技术进行比较,表明石英安瓿瓶高温充氮脱羟处理有利于批量制备高性能硫系玻璃。