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双E型硅加速度传感器的研制
被引量:
4
1
作者
唐世洪
张克梅
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2001年第4期340-343,共4页
本文在简要介绍了 ,利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的 ,双 E非整体弹性膜式硅芯片结构的同时 ,又较详细地报告了 ,用此芯片封装成的硅加速度敏感元件及硅加速度传感器结构 。
关键词
各向异性腐蚀
双
e
型硅弹性膜
硅加速度传感器
下载PDF
职称材料
双E形结构硅压力传感器的研制
被引量:
2
2
作者
唐世洪
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2001年第1期26-27,共2页
介绍利用硅的各向异性腐蚀工艺腐蚀出的一种双E形结构非整体结构弹性膜硅芯片及用此芯片封装成的压力敏感元件。借助于这种硅芯片与不同厚度的封孔膜结合 。
关键词
各向异性腐蚀
双
e
形结构硅弹性膜
压力传感器
下载PDF
职称材料
题名
双E型硅加速度传感器的研制
被引量:
4
1
作者
唐世洪
张克梅
机构
湖南吉首大学物理与电子工程系
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2001年第4期340-343,共4页
文摘
本文在简要介绍了 ,利用硅的各向异性腐蚀工艺研制的 ,双 E非整体弹性膜式硅芯片结构的同时 ,又较详细地报告了 ,用此芯片封装成的硅加速度敏感元件及硅加速度传感器结构 。
关键词
各向异性腐蚀
双
e
型硅弹性膜
硅加速度传感器
Keywords
anisotropic w
e
t
e
tching
dual e form of silicon chip
Si acc
e
l
e
rom
e
t
e
r.
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
双E形结构硅压力传感器的研制
被引量:
2
2
作者
唐世洪
机构
湖南吉首大学物理与电子工程系
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2001年第1期26-27,共2页
文摘
介绍利用硅的各向异性腐蚀工艺腐蚀出的一种双E形结构非整体结构弹性膜硅芯片及用此芯片封装成的压力敏感元件。借助于这种硅芯片与不同厚度的封孔膜结合 。
关键词
各向异性腐蚀
双
e
形结构硅弹性膜
压力传感器
Keywords
anisotropic w
e
t
e
tching
dual
-
e
form
of
silicon
chip
pr
e
ssur
e
transduc
e
r
分类号
TP212.12 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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双E型硅加速度传感器的研制
唐世洪
张克梅
《传感技术学报》
CAS
CSCD
2001
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职称材料
2
双E形结构硅压力传感器的研制
唐世洪
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2001
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