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SiO_x薄膜的制备及发光特性研究
1
作者
游泳
何娟美
+4 位作者
徐小华
饶瑞昌
符五久
李群
吴雪梅
《真空》
CAS
北大核心
2007年第4期47-49,共3页
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm,410nm,560nm,630n...
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm,410nm,560nm,630nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心。
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关键词
SIOX
薄膜
双离子束
溅射
光致发光
下载PDF
职称材料
题名
SiO_x薄膜的制备及发光特性研究
1
作者
游泳
何娟美
徐小华
饶瑞昌
符五久
李群
吴雪梅
机构
东华理工学院物理系
苏州大学物理科学与技术学院
出处
《真空》
CAS
北大核心
2007年第4期47-49,共3页
基金
苏州大学薄膜材料重点实验室资助课题
东华理工学院硕博基金(DHS0511)课题
文摘
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm,410nm,560nm,630nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心。
关键词
SIOX
薄膜
双离子束
溅射
光致发光
Keywords
SiOx film
dual-oin-beam
co-sputtering
photoluminescence
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SiO_x薄膜的制备及发光特性研究
游泳
何娟美
徐小华
饶瑞昌
符五久
李群
吴雪梅
《真空》
CAS
北大核心
2007
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