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ULSI制造中Cu的电化学机械抛光
被引量:
2
1
作者
储向峰
白林山
李玉琢
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第2期115-118,共4页
电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研...
电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流量对抛光速率的影响,发现在抛光电压为4.7V、流量为150~200mL/min、抛光台转速为30~40r/min、抛光压力为3.45kPa时能达到较好的抛光速率。考察了抛光电压对图案晶圆片上台阶高度减小效率的影响,发现台阶高度减小效率随抛光电压增大而减小,并且对抛光机理做了初步分析。
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关键词
超大规模集成电路
铜
电化学机械抛光
化学机械抛光
抛光机理
下载PDF
职称材料
题名
ULSI制造中Cu的电化学机械抛光
被引量:
2
1
作者
储向峰
白林山
李玉琢
机构
安徽工业大学化学与化工学院
Clarkson大学化学系先进材料制造中心
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第2期115-118,共4页
文摘
电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求。利用自制的抛光液和改装的抛光机对晶圆片和图案晶圆片上的Cu进行电化学机械抛光,研究了抛光电压、抛光台转速、抛光压力和抛光液流量对抛光速率的影响,发现在抛光电压为4.7V、流量为150~200mL/min、抛光台转速为30~40r/min、抛光压力为3.45kPa时能达到较好的抛光速率。考察了抛光电压对图案晶圆片上台阶高度减小效率的影响,发现台阶高度减小效率随抛光电压增大而减小,并且对抛光机理做了初步分析。
关键词
超大规模集成电路
铜
电化学机械抛光
化学机械抛光
抛光机理
Keywords
ultra-large scale integration (ULSI)
Cu
electrochemical mechanical polish (ec- mp)
chemical
mechanical
polish
ing (C
mp)
polish
ing
mechan
ism
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
O614.121 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
ULSI制造中Cu的电化学机械抛光
储向峰
白林山
李玉琢
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
2
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职称材料
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