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Relative Irradiance Measurement and Bonding Configurations of Amorphous Fluorinated Carbon Films Deposited by Electron Cyclotron Resonance Plasma
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作者 叶超 康健 +1 位作者 宁兆元 程珊华 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第5期469-474,共6页
a-C:F films are deposited by microwave electron cyclotron resonance (ECR)plasma chemical vapor deposition (CVD) using trifluoromethane (CHF3) and benzene (C6H6) as source gases at different microwave powers. The radic... a-C:F films are deposited by microwave electron cyclotron resonance (ECR)plasma chemical vapor deposition (CVD) using trifluoromethane (CHF3) and benzene (C6H6) as source gases at different microwave powers. The radicals in plasma originating from source gases dissociation are analyzed by relative irradiance measurement. The bonding configurations and binding state of a-C:F films are measured with Fourier-transformed infrared spectrometer (FTIR) and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results show that a-C:F films are mainly composed of CF radical at lower powers but of CF2 radical at higher powers. The deposition of films is related to the radicals generated in plasma and the main bonding configurations are dependent on the ratio of CF to CF2 radicals in films. 展开更多
关键词 CHF XPS cm Relative Irradiance Measurement and Bonding Configurations of Amorphous Fluorinated carbon films Deposited by electron cyclotron resonance Plasma
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使用电子回旋波共振等离子体源辅助中频磁控溅射沉积氧化铌薄膜
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作者 殷冀平 吕少波 +1 位作者 蔺增 巴德纯 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期273-279,共7页
中频磁控溅射虽相较于电子束蒸发成膜质量更好,但不可避免仍然存在一部分颗粒物,将严重影响光学薄膜的质量和光学特性。研究了使用电子回旋波共振(ECWR)等离子体源作为辅助设备与中频磁控溅射相配合沉积的氧化铌薄膜,进行了等离子体诊... 中频磁控溅射虽相较于电子束蒸发成膜质量更好,但不可避免仍然存在一部分颗粒物,将严重影响光学薄膜的质量和光学特性。研究了使用电子回旋波共振(ECWR)等离子体源作为辅助设备与中频磁控溅射相配合沉积的氧化铌薄膜,进行了等离子体诊断和薄膜表征。结果表明:在相同条件下,ECWR等离子体放电的氧化效果明显优于传统的感应耦合等离子体放电。ECWR等离子体源能够在较低压强的纯氧环境下稳定产生高密度等离子体,无须通过氩气作“引子”来激发维持氧气的稳定放电,展示了电子回旋波共振放电结构的优越性。沉积得到的非晶氧化铌薄膜光滑均匀且透射率达91%,能有效消除中频磁控溅射产生的颗粒物问题。通过透射率波峰位置对比发现纯氧ECWR放电样片出现红移,原因是其放电得到的薄膜均匀而致密,使光学禁带宽度向低能方向漂移出现带隙窄化。研究结果还揭示了离子源高密度、低能量特性与薄膜表面和光学特性之间的关系,为精密光学薄膜应用提供了新的解决方案。 展开更多
关键词 电子回旋波共振等离子体 中频磁控溅射 等离子体诊断 感应耦合等离子体 氧化铌薄膜
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双放电腔微波-ECR等离子体源增强磁控溅射沉积技术 被引量:12
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作者 徐军 邓新绿 +2 位作者 张家良 陆文棋 马腾才 《大连理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期275-278,共4页
因其设备简单、沉积速率高等特点 ,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中 .但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时 ,为了得到化学配比的膜层 ,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大 .为此对原有的... 因其设备简单、沉积速率高等特点 ,磁控溅射沉积技术被广泛地用于各种薄膜制备中 .但用反应磁控溅射制备化合物薄膜如氧化物、氮化物膜时 ,为了得到化学配比的膜层 ,薄膜生长表面的反应激活基团、离子等的密度必须足够大 .为此对原有的微波 -ECR等离子体源进行了改造 .研究了双放电腔微波 -ECR等离子体源增强磁控溅射的放电特性 ,并用该方法制备了氮化碳膜 .结果表明 :该方法是一种有效的制备化合物薄膜的技术 ;用该方法制备的氮化碳膜 。 展开更多
关键词 磁控溅射 放电特性 氮化碳膜 等离子体源 薄膜制备 沉积
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微波ECR等离子体特性及其对DLC膜性能的影响 被引量:3
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作者 陈小锰 邓新绿 +3 位作者 张治国 刘天伟 丁万昱 徐军 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期146-149,共4页
为了解并优化在微波ECR等离子体增强化学气相沉积制备类金刚石膜工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针法系统地测量了等离子体密度(Ne)、电子温度(Te)随工作气压(p)变化的关系。DLC膜的结构和性能依赖于沉积条件,提高等离子体密度... 为了解并优化在微波ECR等离子体增强化学气相沉积制备类金刚石膜工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针法系统地测量了等离子体密度(Ne)、电子温度(Te)随工作气压(p)变化的关系。DLC膜的结构和性能依赖于沉积条件,提高等离子体密度有利于DLC膜的生长。本文示出了不同的CH4流量时,DLC膜的拉曼光谱和表面均方根粗糙度Rrms变化曲线,阐述了等离子体密度Ne、电子温度Te对DLC膜结构和性能的影响。 展开更多
关键词 等离子体特性 ecr 等离子体增强化学气相沉积 微波 膜性能 等离子体密度 结构和性能 DLC膜 均方根粗糙度 电子温度 类金刚石膜 工艺研究 工作气压 沉积条件 变化曲线 拉曼光谱 探针法 CH4 表面
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ECR等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究 被引量:1
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作者 潘鑫 马志斌 吴俊 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2013年第1期23-25,30,共4页
在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响。实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降... 在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响。实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降低。实际数据显示,刻蚀温度为20℃和150℃时,后者的刻蚀效果更好;工作气压为2×10-3Pa和3×10-2Pa时,前者的刻蚀效果更好;磁场强度为0.2T和0.15 T时,前者的刻蚀效果更强。 展开更多
关键词 ecr等离子体 CVD金刚石膜 刻蚀 基片温度 工作气压 磁场位形
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ECR等离子体溅射法制备纳米金属薄膜
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作者 吴雪梅 邬钦崇 隋毅峰 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1993年第1期51-55,共5页
本工作用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法,选取各种不同结构的纯金属圆筒靶材料:Ti(hcp),Au(fcc),cu(fcc),Mo(bcc),Sn(四面体),在室温基片上沉积出各种金属薄膜,基体为玻璃、NaCI单晶.用XRD的物相分析与线形分析和TEM形貌观察与电子... 本工作用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法,选取各种不同结构的纯金属圆筒靶材料:Ti(hcp),Au(fcc),cu(fcc),Mo(bcc),Sn(四面体),在室温基片上沉积出各种金属薄膜,基体为玻璃、NaCI单晶.用XRD的物相分析与线形分析和TEM形貌观察与电子衍射,确定了Ti、Au、Cu薄膜都是纳米晶粒(a<10nm)组成的fcc结构多晶膜.用TEM的形貌观察与电子衍射确定了Mo、Sn膜为非晶结构的薄膜,Mo膜的非晶结构比较稳定,sn膜的非晶结构很不稳定,在TEM的电子束照射下迅速晶化并成核长大.本文讨论了溅射成膜过程对膜的结构和粒径的影响. 展开更多
关键词 ecr 等离子体 溅射 沉积金属薄膜
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微波ECR等离子体溅射沉积T_t薄膜的结构研究
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作者 吴雪梅 邬钦崇 隋毅峰 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1992年第3期298-302,共5页
用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法在室温基片上沉积出的T_i薄膜的结构是用X RD和TEM进行分析的。结果表明所沉积的T_i薄膜是平均粒径,晶粒尺寸分布很窄的稳定fcc结构。在实验过程中发现可以通过对工作参数的调整控制薄膜的晶粒尺寸... 用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法在室温基片上沉积出的T_i薄膜的结构是用X RD和TEM进行分析的。结果表明所沉积的T_i薄膜是平均粒径,晶粒尺寸分布很窄的稳定fcc结构。在实验过程中发现可以通过对工作参数的调整控制薄膜的晶粒尺寸。我们还讨论了ECR等离子体对薄膜结构和晶粒尺寸的影响。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 Ti薄膜
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ECR结合中频磁控溅射制备掺Cu类金刚石膜工艺及性能研究 被引量:1
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作者 佘博西 李书昌 +2 位作者 谷坤明 刘锐森 汤皎宁 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期57-61,共5页
为改善DLC膜的内应力及导热问题,采用ECR微波等离子体化学气相沉积及中频磁控溅射的方法制备掺Cu类金刚石膜,研究溅射电流对薄膜中Cu含量、薄膜表面形貌、结构及机械性能的影响。结果表明:改变溅射电流能有效地控制类金刚石膜中金属含量... 为改善DLC膜的内应力及导热问题,采用ECR微波等离子体化学气相沉积及中频磁控溅射的方法制备掺Cu类金刚石膜,研究溅射电流对薄膜中Cu含量、薄膜表面形貌、结构及机械性能的影响。结果表明:改变溅射电流能有效地控制类金刚石膜中金属含量,拉曼光谱显示,制备的薄膜为典型的类金刚石薄膜结构;Cu的掺入使得类金刚石膜的硬度和耐磨损性能下降,但在一定溅射电流下可得到薄膜结构及机械性能均较好的掺Cu类金刚石膜。 展开更多
关键词 类金刚石膜 电子回旋共振 中频磁控溅射 气相沉积
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用ECRC-VD方法制备非晶氟化碳薄膜
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作者 蒋昱 吴振宇 +1 位作者 苏祥林 杨银堂 《微纳电子技术》 CAS 2005年第12期554-557,共4页
以C4F8为源气体,Ar为稀释气体,用电子回旋共振化学汽相淀积的方法制作了非晶氟化碳薄膜;使用XPS和FTIR分析薄膜的化学组分和成键类型;研究了微波功率对于沉积速率和薄膜光学性质的影响。沉积速率随Ar在混合气体中比例的增大先增大后降低... 以C4F8为源气体,Ar为稀释气体,用电子回旋共振化学汽相淀积的方法制作了非晶氟化碳薄膜;使用XPS和FTIR分析薄膜的化学组分和成键类型;研究了微波功率对于沉积速率和薄膜光学性质的影响。沉积速率随Ar在混合气体中比例的增大先增大后降低,随微波功率的增加而增加,并最终趋于饱和值。沉积的薄膜介电常数约为2.0,在可见光区薄膜具有良好的透光性。在较高的微波功率条件下,沉积薄膜的光学带隙减小。 展开更多
关键词 电子回旋共振 非晶氟化碳 低k
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电子回旋共振等离子体技术新进展 被引量:2
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作者 恩云飞 杨银堂 孙青 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期425-434,共10页
叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有密度高、电离度大... 叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有密度高、电离度大、工作气压低、表面损伤小等特点,在反应离子刻蚀(RIE)、等离子体化学气相淀积(CVD)和溅射方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 VLSI
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类金刚石薄膜的反应离子刻蚀 被引量:1
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作者 吴卫东 陆晓曼 +4 位作者 张继成 朱永红 郭强 唐永建 孙卫国 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期570-574,共5页
为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明... 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;有无掩膜对刻蚀速率无明显影响;流量一定时,刻蚀速率随氩氧体积比的增大而降低,随负偏压的增大先增大后减小。实验得到最佳刻蚀条件,在此条件下,刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的微器件,并成功制备出"独立"的微齿轮,进行了组装。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 电子回旋共振微波反应等离子体 类金刚石薄膜 微齿轮
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电子回旋共振—微波等离子体化学气相沉积法制备a-C:H(N)薄膜 被引量:2
12
作者 李新 唐祯安 +1 位作者 马国佳 邓新绿 《真空》 CAS 北大核心 2003年第5期28-30,共3页
采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键... 采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键结构。采用原子力显微镜 (AFM)观察薄膜的微观表面形貌 ,结果表明薄膜表面光滑。论文详细叙述了薄膜制备工艺 ,对测试结果进行了分析讨论 。 展开更多
关键词 电子回旋共振-微波等离子体化学气相沉积法 制备 CH4 N2 非晶碳薄膜 紫外Raman光谱 原子力显微镜
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碳薄膜电极材料在电分析化学中的应用 被引量:4
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作者 郏建波 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1800-1805,共6页
由于具有一系列的优点,碳材料被广泛应用于电分析化学。新型碳电极材料的开发及其性质研究对电分析化学的发展起着重要的推动作用。最近报道了一些制备新型碳薄膜电极材料的方法,因为制备方法不同,这些碳薄膜材料的电化学性质如电位窗... 由于具有一系列的优点,碳材料被广泛应用于电分析化学。新型碳电极材料的开发及其性质研究对电分析化学的发展起着重要的推动作用。最近报道了一些制备新型碳薄膜电极材料的方法,因为制备方法不同,这些碳薄膜材料的电化学性质如电位窗、稳定性、导电性也存在显著的差异。目前电位窗宽、背景电流低、稳定性高、表面不易被电极产物钝化的碳薄膜电极材料的研究非常活跃。本文综述了采用不同方法制备的一些碳薄膜电极材料如硼掺杂的金刚石薄膜、无定形碳和纳米晶体碳薄膜材料等在电分析化学中应用。 展开更多
关键词 碳薄膜 硼掺杂的金刚石薄膜 电子回旋加速共振碳薄膜 电位窗 稳定性
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氦等离子体前处理对多晶硅薄膜性能的影响
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作者 汝丽丽 孟月东 陈龙威 《深圳大学学报(理工版)》 EI CAS 北大核心 2013年第4期398-403,共6页
采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor... 采用微波电子回旋共振等离子体增强磁控溅射(microwave electron cyclotron resonance plasma-enhanced magnetron sputtering,ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electroncyclotron resonance chemical vapor deposition,ECR-CVD)技术,分别在单晶硅片(100)基底上低温制备了多晶硅薄膜.采用拉曼光谱仪、X射线衍射仪以及原子力显微镜对薄膜微观结构及表面形貌进行表征,研究纯氦等离子体基底前期处理对所沉积薄膜性能的影响.结果表明,氦等离子体前处理技术能大幅提高多晶硅薄膜结晶度和颗粒尺寸,明显改善ECR-CVD法所得多晶硅薄膜的微观结构特性和表面形貌. 展开更多
关键词 等离子体物理 多晶硅薄膜 电子回旋共振 等离子体增强 氦等离子体 磁控溅射 化学气相沉积 薄膜结晶度 纳米材料
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电子回旋共振等离子体溅射沉积薄膜的技术
15
作者 吴雪梅 邬钦崇 隋毅峰 《苏州大学学报(自然科学版)》 CAS 1992年第4期426-431,共6页
本文推出了利用电子回旋共振(ECR)等离子体在低温(~室温)和低压下(10^(-5)~10^(-3)Torr)产生的高密度、高电离度的等离子体溅射沉积薄膜的新技术、叙述了微波ECR等离子体溅射沉积薄膜的装置、原理。研究了微波ECR等离子体沉积金属薄... 本文推出了利用电子回旋共振(ECR)等离子体在低温(~室温)和低压下(10^(-5)~10^(-3)Torr)产生的高密度、高电离度的等离子体溅射沉积薄膜的新技术、叙述了微波ECR等离子体溅射沉积薄膜的装置、原理。研究了微波ECR等离子体沉积金属薄膜时各工作参数之间的关系和工作参数对薄膜沉积速率的影响、分析了微波ECR等离子体对成膜速率产生影响的原因。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 溅射 薄膜
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Frictional behavior of nanostructured carbon films 被引量:8
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作者 Dongfeng DIAO Chao WANG Xue FAN 《Friction》 SCIE EI CAS 2013年第1期63-71,共9页
We propose a new path for preparing nanostructured carbon films(NCFs)by using electron cyclotron resonance(ECR)plasma sputtering with ion-electron hybrid irradiation for controlling the frictional behavior.The frictio... We propose a new path for preparing nanostructured carbon films(NCFs)by using electron cyclotron resonance(ECR)plasma sputtering with ion-electron hybrid irradiation for controlling the frictional behavior.The frictional behavior of the NCF was measured by using a pin-on-disk tribometer with a nanoprobe displacement sensor,and the transition curves of the friction coefficient and microdisplacement of the NCFs were examined.The friction mechanism was discussed by transmission electron microscopy(TEM)observation on the wear track.From the results,we found a new method to prepare NCFs,which has the potential to achieve low friction at the early stage of sliding contact.In addition,the technology of ECR plasma with ion-electron hybrid irradiation provides a new vision to rebuild a nanostructured surface from an original surface for controlling the frictional behavior. 展开更多
关键词 FRICTION nanostructured carbon film(NCF) electron cyclotron resonance(ecr) ion-electron hybrid irradiation
原文传递
纳米絮状碳膜的制备及场发射特性
17
作者 崔雪菡 顾广瑞 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期57-61,共5页
采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌... 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)技术,以CH4和H2为源气体,硅片为衬底制备了碳膜。利用拉曼光谱仪和扫描电子显微镜成功研究了基板偏压、沉积时间、CH4浓度等工艺参数的改变对碳膜絮状结构的影响。通过分析碳膜结构和形貌,得出纳米絮状碳膜的最佳工艺参数。通过电流密度-电场(J-E)曲线和Fowler-Nordheim(F-N)曲线,研究了CH4浓度对纳米絮状碳膜的场发射特性的影响。随着CH4浓度的增加,碳膜的阈值电场逐渐降低,发射电流密度逐渐增加。 展开更多
关键词 电子回旋共振化学气相沉积 纳米絮状碳膜 场发射特性
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微波等离子增强型PVD低温溅射SiGe(C)薄膜
18
作者 李可为 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期776-780,789,共6页
利用微波-电子回旋共振等离子(ECR)增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe(C)薄膜。对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD... 利用微波-电子回旋共振等离子(ECR)增强型PVD设备,低温外延生长了SiGe(C)薄膜。对所制备样品的结晶性、表面形貌和成分与衬底温度、衬底偏置电压的关系进行了讨论,采用反射式高能电子衍射仪(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的晶体质量和表面形貌进行了分析。结果表明,用单靶制备Si(C)薄膜,在衬底温度为450℃时会得到质量较好的单晶薄膜。而利用双靶制备SiGe(C)薄膜,衬底温度为400℃、衬底偏置电压-15 V时会制备出更好的单晶薄膜。在衬底温度为400℃条件下,添加电流导入端子,在原有设备和衬底温度不变的条件下,当电流导入端子电压为-15 V时,制备的SiGe(C)单晶薄膜材料的AFM均方根粗糙度(Rrms)由原来的0.52 nm降低到0.41 nm。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子 SiGe(C)单晶薄膜 低温溅射 晶体质量 表面形貌
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电子回旋共振等离子体增强沉积氟化非晶碳薄膜的光学性质 被引量:8
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作者 叶超 宁兆元 程珊华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期2017-2022,共6页
用紫外 可见光透射光谱 (UV VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱 (XPS)和红外谱 (FTIR)分析 ,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备的氟化非晶碳薄膜的光吸收和光学带隙性质 .在微波功率为 14 0—70 0W、源气体CHF3∶C6 ... 用紫外 可见光透射光谱 (UV VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱 (XPS)和红外谱 (FTIR)分析 ,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备的氟化非晶碳薄膜的光吸收和光学带隙性质 .在微波功率为 14 0—70 0W、源气体CHF3∶C6 H6 比例为 1∶1— 10∶1条件下沉积的薄膜 ,光学带隙在 1.76— 2 .85eV之间 .薄膜中氟的引入对吸收边和光学带隙产生较大的影响 ,吸收边随氟含量的提高而增大 ,光学带隙则主要取决于CF键的含量 。 展开更多
关键词 电子回旋共振等离子体增强沉积 氟化非晶碳薄膜 光学性质 光吸收 光学带隙
原文传递
c轴定向氮化铝薄膜的制备 被引量:4
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作者 龚辉 范正修 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期933-936,共4页
利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM... 利用电子回旋共振 (ECR)微波增强化学气相沉积法 (PECVD)并使用氮气 (N2 ) ,氩气 (Ar)和AlCl3蒸气作为气源在直径为 6 .35cm的 (10 0 )单晶硅片表面制备了c轴定向氮化铝 (AlN)薄膜 ,并使用X射线衍射仪及其X射线特征能谱和扫描电镜 (SEM)分析了薄膜特征 ,研究了微波功率、基板温度和N2 流量对薄膜c轴定向的影响 ,得到了c轴偏差角小于 5°的高质量大面积AlN薄膜。 展开更多
关键词 c轴定向 制备 电子回旋共振 化学气相沉积 氮化铝薄膜
原文传递
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