研究了 In Ga As量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性 .实验发现 In Ga As量子点材料随着注入电流密度的增加 ,其自发发射及放大自发发射光谱峰蓝移 ,表现出明显的能带填充现象 .由于量子点材料尺寸及形状等存在一定的分布 ,...研究了 In Ga As量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性 .实验发现 In Ga As量子点材料随着注入电流密度的增加 ,其自发发射及放大自发发射光谱峰蓝移 ,表现出明显的能带填充现象 .由于量子点材料尺寸及形状等存在一定的分布 ,在光谱中没有明显的对应量子点激发态的谱峰 .由单程增益放大自发发射得到了量子点材料在不同注入电流密度下的光增益谱 .展开更多
应用场助热电子发射 (thermionic field em ission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系 ,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制 ,并给出轻掺杂结构参数 (如轻掺杂浓度、...应用场助热电子发射 (thermionic field em ission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系 ,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制 ,并给出轻掺杂结构参数 (如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等 )的优化设计 ,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据 .展开更多
文摘研究了 In Ga As量子点材料自发发射、放大自发发射及光增益特性 .实验发现 In Ga As量子点材料随着注入电流密度的增加 ,其自发发射及放大自发发射光谱峰蓝移 ,表现出明显的能带填充现象 .由于量子点材料尺寸及形状等存在一定的分布 ,在光谱中没有明显的对应量子点激发态的谱峰 .由单程增益放大自发发射得到了量子点材料在不同注入电流密度下的光增益谱 .