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集成电路芯片上光互连研究的新进展 被引量:1
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作者 阮刚 肖夏 +3 位作者 R.Streiter 陈智涛 T.Otto T.Gessner 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期387-397,共11页
讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时 ,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势 .介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本器件及其与硅集成电路集成的... 讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时 ,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势 .介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本器件及其与硅集成电路集成的研究新进展 .最后展望了集成电路芯片上光互连的应用前景 . 展开更多
关键词 集成电路 光互连 光发射器件 光接收器件 光传输器件
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发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析
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作者 申华军 葛霁 +4 位作者 杨威 陈延湖 王显泰 刘新宇 吴德馨 《电子器件》 CAS 2007年第1期1-4,共4页
为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改... 为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改善,热稳定性提高;与发射极电阻镇流方式相比,发射极空气桥HBT的截止频率(fT)相同,最大振荡频率(fmax)提高,最大稳定功率增益(MSG)高出约5dB. 展开更多
关键词 InGaP/GaAs发射极空气桥互连 热阻 镇流电阻
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改善碳纳米管电接触性能的研究进展 被引量:3
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作者 刘扬 安立宝 龚亮 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2017年第10期15-19,共5页
以基于CNT的微纳电子器件为基础,综述了近年来改善CNT与金属电极间电接触性能的研究进展,阐述了各种改善CNT与金属电极间电接触性能方法的原理和优缺点。通过超声波焊接处理、金属颗粒黏结、碳纤维辅助组装、包覆CNT等处理工艺,可以获... 以基于CNT的微纳电子器件为基础,综述了近年来改善CNT与金属电极间电接触性能的研究进展,阐述了各种改善CNT与金属电极间电接触性能方法的原理和优缺点。通过超声波焊接处理、金属颗粒黏结、碳纤维辅助组装、包覆CNT等处理工艺,可以获得阈值电压低、发射电流密度高和稳定性好的CNT场发射器;采用原子层沉积法、溶液处理法、超声波焊接法、高温退火法等可以很好地改善CNT与金属电极间的电接触性能,进而提高CNT晶体管的迁移率、跨导率和通断电流比;化学机械抛光、电子束诱导沉积等处理工艺可以增加CNT和金属电极的接触面积,降低两者间的接触电阻,从而实现高承载电流的CNT互连线。 展开更多
关键词 碳纳米管 电接触性能 场发射器 晶体管 互连线
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An approach to the optical interconnect made in standard CMOS process
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作者 余长亮 毛陆虹 +2 位作者 肖新东 谢生 张世林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期113-116,共4页
A standard CMOS optical interconnect is proposed, including an octagonal-annular emitter, a field oxide, metal 1-PSG/BPSG-metal 2 dual waveguide, and an ultra high-sensitivity optical receiver integrated with a finger... A standard CMOS optical interconnect is proposed, including an octagonal-annular emitter, a field oxide, metal 1-PSG/BPSG-metal 2 dual waveguide, and an ultra high-sensitivity optical receiver integrated with a fingered P+/N-well/P-sub dual photodiode detector. The optical interconnect is implemented in a Chartered 3.3-V 0.35-μm standard analog CMOS process with two schemes for the research of the substrate noise coupling effect on the optical interconnect performance: with or without a GND-guardring around the emitter. The experiment results show that the optical interconnect can work at 100 kHz, and it is feasible to implement optical interconnects in standard CMOS processes. 展开更多
关键词 optical interconnect standard CMOS emitter WAVEGUIDE ultra high-sensitivity
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一种基于标准CMOS工艺的单片光互连 被引量:3
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作者 肖新东 毛陆虹 +2 位作者 余长亮 谢生 张世林 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1631-1634,共4页
探索了采用标准CMOS工艺实现单片光互连的可行性。采用特许(Chartered)半导体公司3.3V、0.35μm标准模拟CMOS工艺设计并制造了一种单片光互连系统,并用两种结构研究了衬底噪声耦合对互连性能的影响。测试结果表明:该光互连系统可工作于... 探索了采用标准CMOS工艺实现单片光互连的可行性。采用特许(Chartered)半导体公司3.3V、0.35μm标准模拟CMOS工艺设计并制造了一种单片光互连系统,并用两种结构研究了衬底噪声耦合对互连性能的影响。测试结果表明:该光互连系统可工作于几×103Hz,验证了基于标准CMOS工艺的单片光互连系统是可行的。 展开更多
关键词 光互连 标准CMOS 发光器 光波导
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