聚焦电子束辐照诱导单晶Si纳米线的选择性非晶化和新型同轴结构的形成

使用改进的原位透射电镜观察技术研究了室温下单晶Si纳米线在聚焦电子束辐照下的结构不稳定性。实验发现辐照区域内单晶Si纳米线外层会优先非晶化且局部径向膨胀,并随辐照剂量增加进一步形成新型3层包裹同轴结构等一系列有趣的变化。传统knock-on机制和电子束热效应并不能完全解释上述实验现象,然而利用最近提出的纳米曲率效应和电子束非热激活效应则能得到较好的解释。