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Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor 被引量:1
1
作者 Xiao-Long Li Wu Lu +7 位作者 Xin Wang Xin Yu Qi Guo Jing Sun Mo-Han Liu Shuai Yao Xin-Yu Wei Cheng-Fa He 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第3期342-350,共9页
The mechanisms occurring when the switched temperature technique is applied,as an accelerated enhanced low dose rate sensitivity(ELDRS)test technique,are investigated in terms of a specially designed gate-controlled l... The mechanisms occurring when the switched temperature technique is applied,as an accelerated enhanced low dose rate sensitivity(ELDRS)test technique,are investigated in terms of a specially designed gate-controlled lateral PNP transistor(GLPNP)that used to extract the interface traps(Nit)and oxide trapped charges(Not).Electrical characteristics in GLPNP transistors induced by ^(60)Co gamma irradiation are measured in situ as a function of total dose,showing that generation of Nit in the oxide is the primary cause of base current variations for the GLPNP.Based on the analysis of the variations of Nit and Not,with switching the temperature,the properties of accelerated protons release and suppressed protons loss play critical roles in determining the increased Nit formation leading to the base current degradation with dose accumulation.Simultaneously the hydrogen cracking mechanisms responsible for additional protons release are related to the neutralization of Not extending enhanced Nit buildup.In this study the switched temperature irradiation has been employed to conservatively estimate the ELDRS of GLPNP,which provides us with a new insight into the test technique for ELDRS. 展开更多
关键词 ionizing radiation damage enhanced low dose rate sensitivity(ELDRS) switched temperature irradiation gate-controlled lateral PNP transistor(GLPNP)
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Mass transfer investigation and operational sensitivity analysis of aminebased industrial CO_2 capture plant 被引量:1
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作者 Abbas Hemmati Hamed Rashidi 《Chinese Journal of Chemical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第3期534-543,共10页
In this article, the industrial process of CO_2 capture using monoethanolamine as an aqueous solvent was probed carefully from the mass transfer viewpoint. The simulation of this process was done using Rate-Base model... In this article, the industrial process of CO_2 capture using monoethanolamine as an aqueous solvent was probed carefully from the mass transfer viewpoint. The simulation of this process was done using Rate-Base model, based on two-film theory. The results were validated against real plant data. Compared to the operational unit, the error of calculating absorption percentage and CO_2 loading was estimated around 2%. The liquid temperature profiles calculated by the model agree well with the real temperature along the absorption tower, emphasizing the accuracy of this model. Operational sensitivity analysis of absorption tower was also done with the aim of determining sensitive parameters for the optimized design of absorption tower and optimized operational conditions. Hence,the sensitivity analysis was done for the flow rate of gas, the flow rate of solvent, flue gas temperature, inlet solvent temperature, CO_2 concentration in the flue gas, loading of inlet solvent, and MEA concentration in the solvent. CO_2 absorption percentage, the profile of loading, liquid temperature profile and finally profile of CO_2 mole fraction in gas phase along the absorption tower were studied. To elaborate mass transfer phenomena, enhancement factor, interfacial area, molar flux and liquid hold up were probed. The results show that regarding the CO_2 absorption, the most important parameter was the gas flow rate. Comparing liquid temperature profiles showed that the most important parameter affecting the temperature of the rich solvent was MEA concentration. 展开更多
关键词 Carbon dioxide MONOETHANOLAMINE rate-base model enhancEMENT FACTOR sensitivity analysis
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双极晶体管空间辐射效应的研究进展
3
作者 韩星 王永琴 +3 位作者 曾娅秋 刘宇 粟嘉伟 林珑君 《环境技术》 2024年第7期188-194,共7页
双极晶体管具有电流驱动能力强、噪声低、线性度高等优点,已成为航天飞行器中常用的电子元器件。然而,在空间辐射环境下服役时,双极晶体管容易发生性能退化,进而危及航天设备的运行。因此,本文综述了双极晶体管在空间辐射环境中产生的... 双极晶体管具有电流驱动能力强、噪声低、线性度高等优点,已成为航天飞行器中常用的电子元器件。然而,在空间辐射环境下服役时,双极晶体管容易发生性能退化,进而危及航天设备的运行。因此,本文综述了双极晶体管在空间辐射环境中产生的损伤效应,主要包含电离损伤效应、位移损伤效应以及电离/位移损伤协同效应,并分析了双极晶体管的性能退化规律以及损伤机理,从而为双极晶体管的抗辐射研究提供一定的参考。 展开更多
关键词 双极晶体管 总剂量电离辐射效应 位移损伤效应 低剂量率增强效应 电离/位移协同效应
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Effect of ionizing radiation on dual 8-bit analog-to-digital converters (AD9058) with various dose rates and bias conditions 被引量:1
4
作者 李兴冀 刘超铭 +2 位作者 孙中亮 肖立伊 何世禹 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第9期629-633,共5页
The radiation effects on several properties (reference voltage, digital output logic voltage, and supply current) of dual 8-bit analog-to-digital (A/D) converters (AD9058) under various biased conditions are inv... The radiation effects on several properties (reference voltage, digital output logic voltage, and supply current) of dual 8-bit analog-to-digital (A/D) converters (AD9058) under various biased conditions are investigated in this paper. Gamma ray and 10-MeV proton irradiation are selected for a detailed evaluation and comparison. Based on the measurement results induced by the gamma ray with various dose rates, the devices exhibit enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) under zero and working bias conditions. Meanwhile, it is obvious that the ELDRS is more severe under the working bias condition than under the zero bias condition. The degradation of AD9058 does not display obvious ELDRS during 10-MeV proton irradiation with the selected flux. 展开更多
关键词 analog-to-digital converters enhanced low dose rate sensitivities (ELDRS) gamma ray and protonirradiation lower/high-dose rate
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不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 被引量:8
5
作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期217-222,共6页
对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显... 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。 展开更多
关键词 NPN双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强
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双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法 被引量:13
6
作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郑玉展 王义元 郭旗 余学峰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期769-775,共7页
介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒... 介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。 展开更多
关键词 双极运算放大器 60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强效应 加速评估方法
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不同^(60)Co γ剂量率下10位双极D/A转换器的总剂量效应 被引量:4
7
作者 王义元 陆妩 +4 位作者 任迪远 郑玉展 高博 李鹏伟 于跃 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期951-955,共5页
为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Co γ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明:D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂... 为探索电离辐射对数模混合电路的影响,对国产10位双极D/A转换器在60Co γ射线不同剂量率辐照下的电离辐射效应及退火特性进行研究。结果表明:D/A转换器对辐照剂量率十分敏感,在大剂量率辐照时,电路功能正常,各功能参数变化较小;在低剂量率辐照下,各参数变化显著,电路功能出现异常,表现出明显的低剂量率损伤增强效应。最后,结合空间电荷模型对其电离辐射损伤机理进行了初步探讨。 展开更多
关键词 双极数模转换器 剂量率 电离效应 低剂量率损伤增强效应
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PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 被引量:4
8
作者 高博 刘刚 +4 位作者 王立新 韩郑生 余学峰 任迪远 孙静 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期848-853,共6页
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明... 为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 展开更多
关键词 PMOSFET 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应
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典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估 被引量:4
9
作者 李小龙 陆妩 +8 位作者 王信 郭旗 何承发 孙静 于新 刘默寒 贾金成 姚帅 魏昕宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期196-203,共8页
采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤... 采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能. 展开更多
关键词 双极模拟电路 低剂量率辐照损伤增强效应 加速评估方法
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变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 被引量:8
10
作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1493-1497,共5页
对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地... 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。 展开更多
关键词 NPN双极晶体管 ~60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强 变温辐照 加速评估方法
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低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究 被引量:4
11
作者 姚志斌 陈伟 +6 位作者 何宝平 马武英 盛江坤 刘敏波 王祖军 金军山 张帅 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1144-1152,共9页
本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。 展开更多
关键词 低剂量率辐照损伤增强效应 数值仿真 总剂量效应 高温辐照 加速试验
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变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器LM317上的应用 被引量:3
12
作者 邓伟 陆妩 +7 位作者 郭旗 何承发 吴雪 王信 张晋新 张孝富 郑齐文 马武英 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期727-733,共7页
对3个公司生产的同一型号双极线性稳压器LM317进行了工作和零偏偏置下高、低剂量率辐照,变温恒剂量率辐照及美军标恒高温恒剂量率辐照的对比实验。结果表明,与恒高温恒剂量率辐照相比,变温恒剂量率辐照不仅能非常准确、快速地评估出在... 对3个公司生产的同一型号双极线性稳压器LM317进行了工作和零偏偏置下高、低剂量率辐照,变温恒剂量率辐照及美军标恒高温恒剂量率辐照的对比实验。结果表明,与恒高温恒剂量率辐照相比,变温恒剂量率辐照不仅能非常准确、快速地评估出在不同偏置条件下3款双极线性稳压器的剂量率效应,还可较好地模拟双极线性稳压器在低剂量率辐照下的损伤。实验结果验证了变温恒剂量率辐照加速评估方法在双极线性稳压器上应用的可行性。 展开更多
关键词 双极线性稳压器 低剂量率损伤增强效应 60 Coγ辐照 变温恒剂量率辐照 加速评估方法
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12位双极数模转换器高低剂量率的辐射效应 被引量:2
13
作者 王义元 陆妩 +4 位作者 任迪远 郑玉展 高博 李鹏伟 于跃 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期685-688,共4页
通过对12位双极数模转换器在60Coγ射线的高低剂量率的辐照实验和室温退火实验的对比分析,发现数模混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有很大差异。这种混合电路不但表现出明显的低剂量率损伤增强效应,而且表现出时间相关效应。... 通过对12位双极数模转换器在60Coγ射线的高低剂量率的辐照实验和室温退火实验的对比分析,发现数模混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有很大差异。这种混合电路不但表现出明显的低剂量率损伤增强效应,而且表现出时间相关效应。结合辐射响应测试过程和空间电荷模型,对其损伤模块和辐射损伤机理进行初步探讨。 展开更多
关键词 数模转换器 辐射效应 室温退火 ELDRS
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不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究 被引量:1
14
作者 兰博 郭旗 +5 位作者 孙静 崔江维 李茂顺 费武雄 陈睿 赵云 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期543-546,共4页
对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号... 对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号的器件在不同条件下,表现出了时间相关(TDE)和低剂量率损伤增强(ELDRS)两种不同的剂量率效应。因此,ELDRS效应在PMOSFETs器件中并不是普遍存在的。 展开更多
关键词 PMOSFETS 偏置 剂量率 时间相关效应 低剂量率损伤增强效应
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光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应 被引量:1
15
作者 黄绍艳 刘敏波 +5 位作者 姚志斌 盛江坤 肖志刚 何宝平 王祖军 唐本奇 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期241-245,共5页
开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情... 开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60 Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下,通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试,以及耦合介质传输损耗特性的分析,证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。 展开更多
关键词 光电耦合器 γ总剂量 低剂量率辐照损伤增强
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不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应 被引量:1
16
作者 王义元 陆妩 +4 位作者 任迪远 郑玉展 高博 陈睿 费武雄 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第4期461-466,共6页
在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(EL... 在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。 展开更多
关键词 电离辐射 电流反馈运算放大器 偏置 低剂量率损伤增强效应
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不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制 被引量:4
17
作者 王先明 刘楚湘 魏蔚 《新疆师范大学学报(自然科学版)》 2005年第4期32-35,共4页
文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应,发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机制是不相同的.最后文章讨论了其中可能的内在机制。
关键词 双极晶体管 ELDRS 低剂量率辐射损伤增强效应
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两种CRP检测方法的灵敏度比较 被引量:7
18
作者 曹慧 曹正欣 《临床医学工程》 2011年第12期1865-1866,共2页
目的比较速率散射免疫比浊法和乳胶增强透射免疫比浊法检测CRP结果的灵敏度。方法收集我院正常健康体检者100例,分别采用两种检测方法分析CRP浓度。结果速率散射免疫比浊法和乳胶增强透射免疫比浊法的分析下限分别是0.1mg/L和0.5mg/L。... 目的比较速率散射免疫比浊法和乳胶增强透射免疫比浊法检测CRP结果的灵敏度。方法收集我院正常健康体检者100例,分别采用两种检测方法分析CRP浓度。结果速率散射免疫比浊法和乳胶增强透射免疫比浊法的分析下限分别是0.1mg/L和0.5mg/L。速率散射免疫比浊法测得50岁以下组CRP值<1mg/L占42%,用乳胶增强透射免疫比浊法检测的该组CRP值均>1mg/L,速率散射免疫比浊法测得50岁以上组CRP值<1mg/L占26%,用乳胶增强透射免疫比浊法检测的该组CRP值均>1mg/L。结论乳胶增强透射免疫比浊法测定的正常健康人群的CRP值偏高(P<0.05),其灵敏度较速率散射免疫比浊法低。 展开更多
关键词 C反应蛋白 速率散射免疫比浊法 乳胶增强透射免疫比浊法 灵敏度
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锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展 被引量:5
19
作者 李培 贺朝会 +3 位作者 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第6期523-534,共12页
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应
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双极型运算放大器ELDRS效应试验研究
20
作者 阳辉 刘燕芳 +2 位作者 陈宇 白桦 张东 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 2011年第3期183-188,共6页
针对空间辐射环境下应用的双极型器件抗辐射能力与地面高剂量率辐照模拟试验所获得器件的抗辐照水平存在差异,在地面利用^(60)Co辐射源开展了双极型运算放大器的总剂量辐照试验研究,分析了辐照剂量率、辐照偏置和室温退火3种试验组合条... 针对空间辐射环境下应用的双极型器件抗辐射能力与地面高剂量率辐照模拟试验所获得器件的抗辐照水平存在差异,在地面利用^(60)Co辐射源开展了双极型运算放大器的总剂量辐照试验研究,分析了辐照剂量率、辐照偏置和室温退火3种试验组合条件下样品的总剂量响应。结果表明,在300Gy的辐照水平下,低剂量率辐照条件下器件参数的退化损伤是高剂量率条件下的2.46-816.67倍,受试样品具有明显的增强型低剂量率敏感度效应(ELDRS),辐照敏感参数为输入偏置电流、输入失调电流、输入失调电压和开环增益,退化损伤结果与辐照剂量率、辐照偏置有关,高剂量率辐照后受试样品的室温退火有较小的时变效应,低剂量率辐照后受试样品的室温退火有明显的时变效应。 展开更多
关键词 运算放大器 ELDRS 辐照剂量率 辐照偏置 室温退火
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