应用于LOCOS隔离工艺的平坦化技术研究

介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min、O2流量2 mL/min条件下,获得了较好的平坦化表面。研究了应用于LOCOS工艺的CMP平坦化技术,通过调整CMP压力、转速、流量等工艺参数,控制了抛光速率和精度,提高平坦化的均匀性,在工艺条件为压力1psi(1 psi=6.89×103 Pa),转速25 r/min,流量120 mL/min时,获得了良好的平坦化形貌。通过实验对比发现,CMP平坦化效果优于反刻平坦化,适合于实际生产应用。

等离子体在PCB工艺中的各凹蚀因素交互作用分析

等离子技术目前已经应用到工业生产的各个领域,特别是在PCB行业,其应用的发展可谓日新月异。就目前来看,等离子体在PCB行业中的应用主要有三种:清洁、活化和凹蚀。其中凹蚀的应用是最为广泛的,但在实际应用过程中,由于等离子体的试验因素较多,因素之间的交互作用较为复杂,如何分析和利用因素之间的交互作用去为生产实践服务,这是一个难题,文章将根据试验着重分析凹蚀因素的交互作用,并对其影响进行评估,其结果可作为凹蚀最优化生产的参考。

多层印制板的凹蚀与负凹蚀

多层板孔金属化包括去钻污处理和化学沉铜,去钻污过程是对孔壁非导电材料的蚀刻,而沉铜前处理中的微蚀是对内层导电铜箔的蚀刻,当前者的量大于后者时为凹蚀,当后者大于前者时为负凹蚀。本文通过对凹蚀与负凹蚀的形成过程进行分析,提供了两种蚀刻量的测定方法,对航天标准、国军标以及IPC标准中关于凹蚀与负凹蚀的规定进行对比,阐述了如何控制凹蚀与负凹蚀的深度,防止产生过度的凹蚀与负凹蚀,从而保证孔金属化的质量。

浅谈多层印制电路板的设计和制作

从生产制作工艺的角度介绍了多层印制电路板（以下简称多层板）设计时应考虑的主要因素，阐述了外形与布局、层数与厚度、孔与焊盘、线宽与间距的影响因素，设计原则及其计算关系。文中结合生产实践对重点制作过程加以说明。

发展中的绝缘体上硅材料技术

在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其优缺点和目前状况以及未来前景作了评述。对国内的SOI研究作了简单的介绍。

0.5μm CMOS后段平坦化工艺优化

通过实验对采用SOG材料的0.5μm CMOS后段平坦化工艺进行优化。采用3因素2水平的实验设计,表明IMD1-1厚度、SOG(旋涂玻璃)厚度和etchback(反腐蚀)厚度是关键因素。将β定义为平坦化程度因子,在完全平坦化的情况下β=1;如果没有平坦化效果,则β=0。进行了两次实验发现如何提高平坦化因子。实验得到IMD1-1显著影响金属间的介质间距,它和SOG厚度强烈影响平坦化因子。最后采用DOE(实验设计)的方法优化了0.5μm CMOS的平坦化工艺,平坦化因子从70%提高到85%,平坦化均匀性同时得到改善。

多层印制电路板凹蚀工艺的实现

在印制电路板行业,可靠性是永恒的主题,钻孔后产生的钻污对多层板的可靠性来说是致命的威胁,所以钻孔后必须有去钻污工艺将钻污去除,如果去钻污量足够大使得内层线路完全从树脂中裸露出来形成凹蚀的效果,这也就意味着钻污被完全去除,多层板之间的连接可靠性得到保证。本文着重于找出实现凹蚀的最佳工艺,以提升多层板各层连接的可靠性。

PCB金属化孔可靠性研究

航天印制板金属化孔的要求集中于孔内凹蚀量、孔铜微观结构、塞孔的可靠性等。文章分析了不同的凹蚀条件、不同的塞孔保护材料、不同孔铜微观结晶结构对金属化孔可靠性的影响，也探究了电测时不同开路判定电阻对孔铜裂纹检出情况的影响。确定了孔径大小对孔内凹蚀量的影响，界定了可靠的塞孔材料、孔铜微观结晶结构及最适的开路判定电阻值。本研究可为航天PCB的设计和制造提供依据。

多层印制电路板凹蚀技术研究

多层印制板孔金属化过程中要除去孔壁粘附的熔融树脂和钻屑。如果除钻污量足够大,形成一定深度的蚀刻,而使得内层铜箔完整裸露出来,则称之为凹蚀。本文旨在研究和对比常见几种除钻污方法凹蚀性能的基础上,找出实现凹蚀工艺的最佳方法,以满足其多层印制板各层之间的高可靠性连接。

超大规模集成电路的平坦化技术

介绍了一种超大规模集成电路层间介质膜的平坦化技术 ,通过对双层布线中复合膜(CVD- Si O2 膜和 SOG膜 )的回刻 ,使器件在具有高的沟或接触孔的深宽比 (aspect ratio)条件下 ,在双层金属膜之间的层间介质膜上获得了好的台阶覆盖性。

多层电路板凹蚀工艺能力提升研究

等离子技术在PCB领域已经广泛应用,主要应用于清洁、活化和凹蚀,其中凹蚀应用最广泛.文章以孔的密集程度、内层铜层次及厚径比为因子,设计不同孔型的试验板;以去钻污功率、时间、温度和真空度为试验因子,设计正交试验,研究了不同去钻污参数对试验板凹蚀效果的影响,并对其影响进行评估,找到了不同厚径比条件下的最佳凹蚀参数,其结果可作为凹蚀最优化生产的参考.