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Comparative research on “high currents” induced by single event latch-up and transient-induced latch-up 被引量:2
1
作者 陈睿 韩建伟 +4 位作者 郑汉生 余永涛 上官士鹏 封国强 马英起 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第4期300-305,共6页
By using the pulsed laser single event effect facility and electro-static discharge (ESD) test system, the characteristics of the "high current", relation with external stimulus and relevance to impacted modes of ... By using the pulsed laser single event effect facility and electro-static discharge (ESD) test system, the characteristics of the "high current", relation with external stimulus and relevance to impacted modes of single event latch-up (SEL) and transient-induced latch-up (TLU) are studied, respectively, for a 12-bit complementary metal--oxide semiconductor (CMOS) analog-to-digital converter. Furthermore, the sameness and difference in physical mechanism between "high current" induced by SEL and that by TLU are disclosed in this paper. The results show that the minority carrier diffusion in the PNPN structure of the CMOS device which initiates the active parasitic NPN and PNP transistors is the common reason for the "high current" induced by SEL and for that by TLU, However, for SEL, the minority carder diffusion is induced by the ionizing radiation, and an underdamped sinusoidal voltage on the supply node (the ground node) is the cause of the minority carrier diffusion for TLU. 展开更多
关键词 single event latch-up transient-induced latch-up electro-static discharge pulsed laser
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Virtex-5系列SRAM型FPGA单粒子效应重离子辐照试验技术研究
2
作者 赖晓玲 郭阳明 +2 位作者 巨艇 朱启 贾亮 《计算机测量与控制》 2024年第1期304-311,共8页
针对SRAM型FPGA在空间辐射环境下易发生单粒子效应,影响星载设备正常工作甚至导致功能中断的问题,开展了SRAM型FPGA单粒子效应地面辐照试验方法研究,提出了配置存储器(CRAM)和块存储器(BRAM)的单粒子翻转效应测试方法,并以Xilinx公司工... 针对SRAM型FPGA在空间辐射环境下易发生单粒子效应,影响星载设备正常工作甚至导致功能中断的问题,开展了SRAM型FPGA单粒子效应地面辐照试验方法研究,提出了配置存储器(CRAM)和块存储器(BRAM)的单粒子翻转效应测试方法,并以Xilinx公司工业级Virtex-5系列SRAM型FPGA为测试对象,设计了单粒子效应测试系统,开展了重离子辐照试验,获取了器件的单粒子闩锁试验数据和CRAM、BRAM以及典型用户电路三模冗余前后的单粒子翻转试验数据;最后利用空间环境模拟软件进行了在轨翻转率分析,基于CREME96模型计算得到XC5VFX130T器件配置存储器GEO轨道的单粒子翻转概率为6.41×10^(-7)次/比特·天。 展开更多
关键词 SRAM型FPGA 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子闩锁 重离子辐照试验
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一种抗辐射16位80 MSPS A/D转换器设计
3
作者 王旭 刘涛 邓民明 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第3期458-464,共7页
为满足航天电子系统对高速高精度16位A/D转换器的需求,设计了一种流水线型16位80 MSPS A/D转换器,内核采用“3+4+3+3+3+3+3”七级流水线,前端缓冲器用于减小第一级MDAC采样网络回踢信号对A/D转换器线性度的影响。采用环栅器件、N+/P+双... 为满足航天电子系统对高速高精度16位A/D转换器的需求,设计了一种流水线型16位80 MSPS A/D转换器,内核采用“3+4+3+3+3+3+3”七级流水线,前端缓冲器用于减小第一级MDAC采样网络回踢信号对A/D转换器线性度的影响。采用环栅器件、N+/P+双环版图等设计加固技术。A/D转换器采用0.18μm CMOS工艺,工作电源电压为3.3 V和1.8 V,在时钟输入频率为80 MHz和模拟输入频率为36.1 MHz时,ADC的功耗≤1.1 W、信噪比SNR≥73.8 dB、无杂散动态范围SFDR≥88 dBFS。电离总剂量150 krad(Si)辐照后,ADC的信噪比SNR变化量≤0.3 dB、无杂散动态范围SFDR变化量≤1 dB;Bi离子辐照下ADC的电流增加≤4 mA。 展开更多
关键词 模数转换器 流水线 缓冲器 信噪比 无杂散动态范围 总剂量 单粒子锁定
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电力设备中FPGA单粒子效应研究 被引量:1
4
作者 黄家俊 霍银龙 +1 位作者 陈从靖 臧佳 《电工技术》 2023年第4期83-85,90,共4页
FPGA在电力设备中大规模应用后,其长时间运行的可靠性一直受到单粒子效应的影响。宇宙射线中的高能粒子穿过大气层后,会在FPGA芯片中造成单粒子翻转、单粒子锁存等故障。针对以上现象,分析了单粒子效应的形成机理及影响因素,计算了常用F... FPGA在电力设备中大规模应用后,其长时间运行的可靠性一直受到单粒子效应的影响。宇宙射线中的高能粒子穿过大气层后,会在FPGA芯片中造成单粒子翻转、单粒子锁存等故障。针对以上现象,分析了单粒子效应的形成机理及影响因素,计算了常用FPGA芯片的单粒子翻转故障概率。以需要长时间稳定运行的电力设备为对象,提出了芯片防护、系统防护、逻辑备份、数据校验、硬件检测等缓解方法。结果表明,这些措施可以有效减少FPGA中因单粒子效应而产生的故障。 展开更多
关键词 电力设备 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子锁存 FPGA
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IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究 被引量:6
5
作者 薛玉雄 曹洲 +3 位作者 杨世宇 田恺 郭刚 刘建成 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期22-27,共6页
为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量... 为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究。研究结果表明:IDT6116 SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大。 展开更多
关键词 IDT6116SRAM 单粒子翻转 单粒子锁定 脉冲激光 重离子 ^252Cf源
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180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素 被引量:6
6
作者 秦军瑞 陈书明 +2 位作者 陈建军 梁斌 刘必慰 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期72-76,共5页
研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁... 研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大,找出了电路发生闩锁的敏感区域,得出了温度、阱/衬底接触的位置、NMOS与PMOS间距等因素与SEL敏感性之间的关系,并从理论上进行了解释,总结了降低单粒子闩锁效应的有效方法,研究结果能为深亚微米体硅工艺下的抗SEL加固设计提供有效的指导。 展开更多
关键词 单粒子闩锁 器件模拟 设计加固
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不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法 被引量:6
7
作者 陈睿 余永涛 +5 位作者 董刚 上官士鹏 封国强 韩建伟 马英起 朱翔 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期264-269,共6页
基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、... 基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。 展开更多
关键词 不同工艺尺寸 单粒子闩锁效应 SEL三维仿真模型 防护结构 重离子辐照
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CMOS/SOI工艺触发器单元的单粒子实验验证与分析 被引量:3
8
作者 李海松 蒋轶虎 +2 位作者 杨博 岳红菊 唐威 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期63-67,共5页
针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.... 针对定制设计中的触发器单元,提出了一种双移位寄存器链单粒子实验验证方法,利用该方法对基于0.35μm CMOS/SOI工艺、普通结构设计的抗辐射触发器,分别在北京串列加速器核物理国家实验室和兰州重离子加速器国家实验室进行了单粒子实验.实验结果表明,该抗辐射触发器不仅对单粒子闩锁效应免疫,而且具有非常高的抗单粒子翻转的能力. 展开更多
关键词 抗辐射集成电路 双移位寄存器链 CMOS/SOI 单粒子效应 单粒子闩锁单 粒子翻转
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单粒子锁定极端敏感器件的试验及对我国航天安全的警示 被引量:19
9
作者 韩建伟 张振龙 +1 位作者 封国强 马英起 《航天器环境工程》 2008年第3期263-268,199,共6页
随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实... 随着半导体特征工艺尺寸减小、集成度提高,静态存储器(SRAM)对单粒子锁定呈现出极其敏感的现象和趋势,为此国际航天界开展了大量的试验评估工作,剔除和杜绝了一些极端敏感器件在空间的应用。结合国内外空间应用背景,文章利用脉冲激光实验装置和重离子加速器,分别对三星公司新旧两种型号的4M位SRAM芯片进行了单粒子锁定试验评估。试验测得两型号芯片的单粒子锁定阈值差异巨大,新型号芯片的锁定阈值低于1.5MeV·cm2/mg,而老型号芯片的锁定阈值高于39.6MeV.cm2/mg。这种对单粒子锁定极端敏感的芯片若应用于空间,将会发生0.008~0.04次/天的频繁锁定事件,极大地威胁航天器的安全和可靠。为应对这种单粒子锁定极端敏感的现象和趋势,提出了加强我国航天产品设计、元器件采购、筛选、试验等的规范、技术和条件的建议。 展开更多
关键词 单粒子锁定 锁定阈值 静态存储器 航天器
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空间电子系统FPGA抗单粒子闩锁设计 被引量:7
10
作者 薛旭成 吕恒毅 韩诚山 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2014年第8期865-869,共5页
宇宙空间中存在高能粒子。这些粒子会导致空间电子系统中FPGA发生闩锁。为了避免FPGA闩锁时发生损坏,采用2个稳压器并联供电,在FPGA完成配置后自行关断1个稳压器。由于FPGA配置期间需要大电流,所以采用2个稳压器并联供电。当配置完成后... 宇宙空间中存在高能粒子。这些粒子会导致空间电子系统中FPGA发生闩锁。为了避免FPGA闩锁时发生损坏,采用2个稳压器并联供电,在FPGA完成配置后自行关断1个稳压器。由于FPGA配置期间需要大电流,所以采用2个稳压器并联供电。当配置完成后关断1个稳压器,只由1个稳压器供电。如果FPGA发生闩锁,剩下的1个稳压器将会限流,从而避免FPGA被大电流烧毁。关断电路由电阻和电容组成的延时电路控制稳压器使能端实现。实验结果表明:FPGA配置期间2个稳压器都处于输出使能状态,可以提供3.6 A的电流,FPGA可以成功的配置;FPGA配置结束后,则只有1个稳压器给FPGA供电,把电流限制在0.6 A,从而避免FPGA由于闩锁而损坏。该设计可以使得工业级的FPGA应用于空间电子系统中,降低系统成本。 展开更多
关键词 单粒子 闩锁 FPGA 稳压器
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卫星单粒子闩锁异常的诊断与自动报警 被引量:11
11
作者 郝培杰 徐冰霖 +1 位作者 卢晓东 刘飞 《飞行器测控学报》 CSCD 2014年第6期512-517,共6页
卫星的单粒子闩锁异常发生初期隐蔽性强、不易诊断,如果长时间得不到有效处置将产生严重危害。根据卫星的实际管理经验,卫星的负载电流和蓄电池温度状态参数中隐含着此类异常发生的信息,但这2个状态参数受各种干扰的影响会出现较大的波... 卫星的单粒子闩锁异常发生初期隐蔽性强、不易诊断,如果长时间得不到有效处置将产生严重危害。根据卫星的实际管理经验,卫星的负载电流和蓄电池温度状态参数中隐含着此类异常发生的信息,但这2个状态参数受各种干扰的影响会出现较大的波动,很难直接利用其对闩锁异常进行准确识别。针对此问题,首先通过经验模态分解和边际谱分析方法分别从负载电流和蓄电池温度中提取集成电子器件单粒子闩锁异常的典型特征,然后对2种典型特征进行二值模糊综合判断,由判断结果即可得到故障发生概率的大小。当该概率大于50%时,即认为故障发生,由此实现异常初期的自动报警。 展开更多
关键词 单粒子闩锁 故障诊断 经验模态分解 边际谱分析 模糊判别
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CMOS器件SEL效应电路级防护设计及试验验证 被引量:3
12
作者 陈睿 冯颖 +5 位作者 余永涛 上官士鹏 封国强 朱翔 马英起 韩建伟 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期721-726,共6页
利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了... 利用脉冲激光单粒子效应试验装置,开展了两种CMOS SRAM器件IDT71V416S和K6R4016V1D单粒子闭锁(SEL)效应的研究。基于CMOS电路结构SEL效应的机理及触发条件,分析两种CMOS器件的闩锁响应特性,设计了两种CMOS器件SEL效应防护电路,并探讨了两种防护电路的适用范围及限流电阻、恒流源电流的选取。利用脉冲激光和重离子辐照试验验证了两种防护方法的防护效果。结果表明,当器件工作电流和闩锁维持电流相差不大时,加入限流电阻虽能降低闩锁电流幅值,但电路不能自动退出闩锁状态。恒流源限流防护电路不但降低了SEL电流的幅值,而且自动退出闩锁状态,能更有效地减缓CMOS器件电路级闩锁效应。 展开更多
关键词 CMOS器件 单粒子闭锁效应 防护电路 脉冲激光
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CCD外围商用器件单粒子效应试验研究 被引量:3
13
作者 孟猛 唐民 +2 位作者 于庆奎 李鹏伟 朱恒静 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期428-431,435,共5页
采用中科院近代物理研究所回旋加速器产生的重离子(Kr),对商用的CCD外围器件进行单粒子效应试验研究,包括CCD信号处理器AD9945、高速视频D/A转换器ADV7123以及CCD时钟驱动器CXD3400等。试验得到AD9945、ADV7123在离子线性能量转移(Linea... 采用中科院近代物理研究所回旋加速器产生的重离子(Kr),对商用的CCD外围器件进行单粒子效应试验研究,包括CCD信号处理器AD9945、高速视频D/A转换器ADV7123以及CCD时钟驱动器CXD3400等。试验得到AD9945、ADV7123在离子线性能量转移(Linear Energy Transfers,LET)为30MeV·cm^2/mg时,均发生单粒子锁定(Single Event Latch—up,SEL)现象,锁定截面分别为2.97×10^(-5)cm^2/器件和2.25×10^(-4)cm^2/器件;器件发生SEL时工作电流可达正常工作电流数倍,同时出现功能丧失,需断电重启才能恢复。试验发现CXD3400在离子LET为38 MeV·cm^2/mg、辐照通量达10~7cm^(-2)时,未发生SEL现象。 展开更多
关键词 CCD信号处理器 D/A转换器 商用器件 单粒子效应 单粒子锁定
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一种0.6μm SOI抗辐照运算放大器的版图设计 被引量:4
14
作者 徐佳丽 杨阳 黄文刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期337-340,共4页
根据电路设计要求,对有特殊要求的器件,合理运用相关版图设计技术。针对器件的不同辐照效应,采用相应的抗辐射版图设计措施。流片测试结果显示,运算放大器的增益和输入失调电压等均达到设计要求。电路具有抗单粒子闩锁能力,抗总剂量大于... 根据电路设计要求,对有特殊要求的器件,合理运用相关版图设计技术。针对器件的不同辐照效应,采用相应的抗辐射版图设计措施。流片测试结果显示,运算放大器的增益和输入失调电压等均达到设计要求。电路具有抗单粒子闩锁能力,抗总剂量大于3kGy(Si)。实现了一种抗辐照高性能运算放大器的版图设计。 展开更多
关键词 运算放大器 版图设计 总剂量辐射 单粒子闩锁
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重离子辐照效应检测系统的研制 被引量:2
15
作者 刘建成 李志常 +2 位作者 李淑媛 王文炎 唐民 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 2004年第z1期227-230,共4页
为进行静态随机存储器芯片和可编程外围接口芯片的单粒子效应研究,研发了重离子辐照效应检测系统。系统特点是人机界面友好,操作方便、直观,实现了可靠的控制与数据采集。在HI 13串列加速器上,利用此系统对静态随机存储器HM1 65642(SRAM... 为进行静态随机存储器芯片和可编程外围接口芯片的单粒子效应研究,研发了重离子辐照效应检测系统。系统特点是人机界面友好,操作方便、直观,实现了可靠的控制与数据采集。在HI 13串列加速器上,利用此系统对静态随机存储器HM1 65642(SRAM8K×8bit)和可编程外围接口电路ID82C55ACl、56Fe、79的单粒子翻转效应和单粒子锁定效应成功地进行了试验研究,完成两种器件5种离子16O、35Br、127I及反冲197Au的单粒子效应的测量。 展开更多
关键词 静态随机存储器 可编程外围接口电路 单粒子效应 单粒子锁定 串列加速器
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80C86单粒子效应实验研究 被引量:4
16
作者 陈晓华 贺朝会 王燕平 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期344-346,共3页
介绍西北核技术研究所研制的 80C86单粒子效应测试系统的工作原理、实验装置及结果。
关键词 单粒子效应 闭锁 CPU 卫星 控制系统 故障监测
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CMOS SRAM器件单粒子锁定敏感区的脉冲激光定位试验研究 被引量:4
17
作者 余永涛 封国强 +3 位作者 陈睿 蔡明辉 上官士鹏 韩建伟 《航天器环境工程》 2014年第2期150-153,共4页
利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论... 利用脉冲激光定位成像系统,对CMOS SRAM K6R4016V1D器件开展了单粒子锁定效应(SEL)敏感区定位的试验研究。试验结果表明:该器件的单粒子锁定效应敏感区呈周期性分布,而对于单一的SEL敏感区,其长度和宽度相差很大。在此基础上进一步讨论了SEL敏感区的分布对测试方法和空间SEL发生频次计算的影响。 展开更多
关键词 单粒子锁定 敏感区定位 单粒子锁定频次 静态存储器 脉冲激光试验
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SRAM单粒子效应监测平台的设计 被引量:2
18
作者 高山山 苏弘 +6 位作者 孔洁 千奕 童腾 张战刚 刘杰 侯明东 孙友梅 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期209-213,共5页
SRAM单粒子效应监测平台用于兰州重离子加速器(HIRFL)辐照终端开展单粒子效应实验,采用"承载子板—主控制板—上位机"结构。简要分析了SRAM单粒子效应产生机理,详细描述了该平台的硬件系统、软件系统和性能指标。重离子辐照... SRAM单粒子效应监测平台用于兰州重离子加速器(HIRFL)辐照终端开展单粒子效应实验,采用"承载子板—主控制板—上位机"结构。简要分析了SRAM单粒子效应产生机理,详细描述了该平台的硬件系统、软件系统和性能指标。重离子辐照实验中,该平台多次检测到IDT71256发生单粒子翻转和单粒子闩锁,实验结果与理论分析的结论基本一致。 展开更多
关键词 SRAM 单粒子翻转 单粒子闩锁 重离子
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1553B总线器件单粒子效应实验系统设计 被引量:4
19
作者 王良江 韩留军 《计算机测量与控制》 北大核心 2013年第3期753-755,共3页
1553B总线系列器件的抗辐照性能对整机系统设计及器件选型变得越来越重要,因此对其抗辐照指标的应用测试已显得更为关键;以61580S3-1H抗辐照器件为例,设计了一套单粒子效应实验系统,重点描述了该系统的硬件结构、软件系统,提出了单粒子... 1553B总线系列器件的抗辐照性能对整机系统设计及器件选型变得越来越重要,因此对其抗辐照指标的应用测试已显得更为关键;以61580S3-1H抗辐照器件为例,设计了一套单粒子效应实验系统,重点描述了该系统的硬件结构、软件系统,提出了单粒子实验的相关方法;该系统在中科院物理所HI-13串列加速器重离子单粒子效应专用辐照装置上进行了单粒子翻转和单粒子闩锁实验,结果表明该实验所得数据较为可靠,实验系统具有一定的实用价值。 展开更多
关键词 1553B总线 单粒子翻转 单粒子闩锁
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SRAM辐射效应测试装置的研制与应用 被引量:4
20
作者 赵又新 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期414-416,445,共4页
SRAM辐射效应测试装置由主机和下位计算机测试板构成,可在多种辐射源下进行SRAM单粒子翻转、单粒子锁定等实验。介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。利用该装置在激光辐射效应实验装置及HI-13串列加速器上成功... SRAM辐射效应测试装置由主机和下位计算机测试板构成,可在多种辐射源下进行SRAM单粒子翻转、单粒子锁定等实验。介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。利用该装置在激光辐射效应实验装置及HI-13串列加速器上成功地进行了SRAM的辐射效应实验。通过对SRAM芯片电流的检测,断电保护解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题。 展开更多
关键词 SRAM 辐射效应 单粒子翻转 单粒子锁定 电流检测 锁定计数 测试装置
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