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Effects of Exogenous Plant Hormones on Growth Status and Secondary Metabolism of Houttuynia cordata Thunb.
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作者 Xitao WANG Kai YAN +2 位作者 Tianhua YU Zhannan YANG Shiqiong LUO 《Medicinal Plant》 2024年第1期1-7,12,共8页
[Objectives]To improve the yield and secondary metabolite content of medicinal plants and to further develop and utilize the medicinal and other functions of medicinal plants.[Methods]We used the sterile tissue cultur... [Objectives]To improve the yield and secondary metabolite content of medicinal plants and to further develop and utilize the medicinal and other functions of medicinal plants.[Methods]We used the sterile tissue culture method with Houttuynia cordata Thunb.as the research object.Different concentrations of 1-naphthalene acetic acid(NAA),auxin(indole-3-acetic acid,IAA)and gibberellin acid(GA_(3))were added to the group culture medium of H.cordata to investigate the effects of exogenous plant hormones on plant height,root length,fresh weight,morphological characteristics,four phenolics and 20 volatile compounds.[Results]The results showed that the exogenous plant hormone of 3 mg/L GA_(3)significantly increased plant height by 79.9%over the control;the exogenous plant hormone of 3 mg/L IAA significantly increased root length by 52.6%over the control;and the exogenous plant hormone of 1 mg/L GA_(3)significantly increased fresh weight of single plant by 458.2%over the control.In the treatment group of 1 mg/L NAA,chlorogenic acid content was significantly increased by 52.6%compared with the control;in the treatment group of 1 mg/L IAA,chlorogenic acid,rutin,isodendrin and quercetin content were significantly increased by 109.1%,100.6%,173.8%,and 198.7%compared with the control,respectively;in the treatment of 3 mg/L GA_(3),chlorogenic acid,rutin,isoquercitin,and quercitin content were significantly increased by 65.3%,104.9%,139.0%and 191.2%over the control.In addition,the content of volatile compounds was significantly higher in all H.cordata treated with exogenous plant hormones of 2 mg/L NAA,1 mg/L IAA,and 3 mg/L GA_(3);however,the content of volatile compounds was lower in all of the treatments with 2 mg/L GA_(3).[Conclusions]Different exogenous plant hormones have certain effects on the growth morphology and secondary metabolic content of H.cordata,which provides theoretical basis and technical support for the development and utilization of medicinal plants. 展开更多
关键词 1-Naphthaleneacetic acid(NAA) Auxin(IAA) Gibberellic Acid(GA_(3)) PHENOLS VOLATILES
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Ga_(2-x)Fe_(x)O_(3) 单相多铁性及室温磁电耦合效应的研究进展
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作者 张军 马建春 薛武红 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期1-11,共11页
在单相多铁材料中,利用电场代替磁场来可逆控制磁性这一手段是实现下一代高密度、低功耗磁电多功能器件的理想方法。然而,目前所发现的单相多铁材料大多数都表现出了弱的室温铁电性、铁磁性或者低于室温的磁电工作温度,这严重限制了其... 在单相多铁材料中,利用电场代替磁场来可逆控制磁性这一手段是实现下一代高密度、低功耗磁电多功能器件的理想方法。然而,目前所发现的单相多铁材料大多数都表现出了弱的室温铁电性、铁磁性或者低于室温的磁电工作温度,这严重限制了其在实际生产中的应用。近年来的研究发现,具有强磁电(ME)耦合的第Ⅱ类室温单相多铁Ga_(2-x)Fe_(x)O_(3),其剩余铁电极化强度(Pr)和饱和磁化强度(Ms)在最优的条件下分别可以达到25μC/cm^(2)和1.2μB/f.u.,因而是一种极有可能同时解决上述问题的新型替代材料。首先介绍了单相多铁材料的研究现状以及潜在的应用;然后总结了Ga_(2-x)Fe_(x)O_(3)材料单相多铁性和ME耦合效应的研究历程;最后,围绕Ga_(2-x)Fe_(x)O_(3)未来面临的关键科学问题和挑战进行了详细讨论。 展开更多
关键词 单相多铁性 Ga_(2-x)Fe_(x)O_(3) 铁电性 铁磁性 磁电耦合
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GA_(3)处理影响菠菜性别及其株型发育
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作者 张玉兰 王丽颖 +3 位作者 梁艺涛 陈宁 李书粉 高武军 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2024年第2期130-138,共9页
赤霉素(gibberellic acids,GAs)是一种重要的植物激素,但其对菠菜生长发育的影响尚未系统报道.以菠菜亚属PI647862为材料,研究了外源赤霉素(GA_(3))处理后对菠菜的性别转换、开花时间、花粉活力及植株发育等重要性状的影响.结果表明,用... 赤霉素(gibberellic acids,GAs)是一种重要的植物激素,但其对菠菜生长发育的影响尚未系统报道.以菠菜亚属PI647862为材料,研究了外源赤霉素(GA_(3))处理后对菠菜的性别转换、开花时间、花粉活力及植株发育等重要性状的影响.结果表明,用质量浓度为25 mg/L的GA_(3)对2叶期菠菜进行处理后,约13%的菠菜雌株转换为雄株,且转换株的花粉数目、形态及活力均和对照无显著差异.但是,转换雄株的开花时间显著早于对照雄株.研究结果也表明,GA_(3)处理后菠菜植株的高度、叶面积及叶柄长度均显著高于对照植株.进一步分析发现,株高的增加是由于节间细胞纵向伸长所导致的,叶面积的增加是叶细胞面积增加引起的.GA_(3)可诱导菠菜雌株发生雄性化转变,促进菠菜早花,同时促使株高、叶面积和叶柄长度也显著增加.研究结果为全面探究GA_(3)对于菠菜性别转换和株型发育的影响奠定了基础. 展开更多
关键词 菠菜 GA_(3) 性别转换 株型发育
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新型应力发光材料Ca_(5)Ga_(6)O_(14):Sm^(3+)制备及其性能
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作者 王强 刘伟 +5 位作者 杜玉松 李欢 张志军 饶光辉 程帅 赵景泰 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期959-969,共11页
采用高温固相法成功制备出新型Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)应力发光材料。通过X射线衍射、扫描电镜、漫发射光谱、光致激发和发射光谱、荧光衰减曲线、应力发光光谱和热释光光谱等测试详细研究了Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)的晶... 采用高温固相法成功制备出新型Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)应力发光材料。通过X射线衍射、扫描电镜、漫发射光谱、光致激发和发射光谱、荧光衰减曲线、应力发光光谱和热释光光谱等测试详细研究了Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)的晶体结构、表面形貌、光致发光和应力发光性能及其发光机理。在404 nm激发下,Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)呈现出4个发射峰,分别位于562,599,642,715 nm,对应Sm^(3+)的^(4)G_(5/2)→6Hj(j=5/2,7/2,9/2,11/2)的特征发射。随着Sm^(3+)离子掺杂浓度的增加,发光强度先增强后减弱,在x=0.07时获得最强发射,且衰减时间从1.92 ms缩短至1.30 ms。在滑动摩擦激发下可获得Ca_(5-x)Ga_(6)O_(14):xSm^(3+)的应力发光发射带,且应力发光强度与施加应力满足线性增长,表明该材料在应力传感领域具有潜在应用价值。 展开更多
关键词 应力发光 Ca_(5)Ga_(6)O_(14) Sm^(3+)
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Li_(1.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)O_(2)正极材料的Ga_(2)O_(3)包覆改性及电化学性能
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作者 刘新朋 赵刘洋 +4 位作者 李泓漪 陈雅图 吴爱民 李爱魁 黄昊 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第6期1105-1113,共9页
首先采用共沉淀方法制备富锂锰基正极材料Li_(1.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)O_(2)原始样品(P-LRMO),然后通过简单的湿化学法以及低温煅烧方法对其进行不同含量Ga_(2)O_(3)原位包覆。透射电子显微镜(TEM)以及X射线光电子能谱(XPS)结... 首先采用共沉淀方法制备富锂锰基正极材料Li_(1.2)Mn_(0.54)Ni_(0.13)Co_(0.13)O_(2)原始样品(P-LRMO),然后通过简单的湿化学法以及低温煅烧方法对其进行不同含量Ga_(2)O_(3)原位包覆。透射电子显微镜(TEM)以及X射线光电子能谱(XPS)结果表明在P-LRMO表面成功合成了Ga_(2)O_(3)包覆层。电化学测试结果表明:含有3%Ga_(2)O_(3)的改性材料G3-LRMO具有最优的电化学性能,其在0.1C倍率(电流密度为25 mA·g^(-1))下首圈充放电比容量可以达到270.1 mAh·g^(-1),在5C倍率下容量仍能保持127.4 mAh·g^(-1),优于未改性材料的90.7 mAh·g^(-1),表现出优异的倍率性能。G3-LRMO在1C倍率下循环200圈后仍有190.7 mAh·g^(-1)的容量,容量保持率由未改性前的72.9%提升至85.6%,证明Ga_(2)O_(3)包覆改性能有效提升富锂锰基材料的循环稳定性。并且,G3-LRMO在1C倍率下循环100圈后,电荷转移阻抗(Rct)为107.7Ω,远低于未改性材料的251.5Ω,表明Ga_(2)O_(3)包覆层能提高材料的电子传输速率。 展开更多
关键词 锂离子电池 富锂锰基正极材料 Ga_(2)O_(3)包覆 电化学性能
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基于机械剥离制备的PEDOT:PSS/β-Ga_(2)O_(3)微米片异质结紫外光电探测器研究
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作者 宜子琪 王彦明 +7 位作者 王硕 隋雪 石佳辉 杨壹涵 王德煜 冯秋菊 孙景昌 梁红伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第15期172-178,共7页
β-Ga_(2)O_(3)具有超宽带隙(约4.9 eV)、高的击穿电场(约8 MV/cm)、良好的化学稳定性和热稳定性等优点,是一种很有前途的制备紫外光电探测器的候选材料.由于未掺杂的β-Ga_(2)O_(3)为n型导电,所以制备p型β-Ga_(2)O_(3)面临很多困难,... β-Ga_(2)O_(3)具有超宽带隙(约4.9 eV)、高的击穿电场(约8 MV/cm)、良好的化学稳定性和热稳定性等优点,是一种很有前途的制备紫外光电探测器的候选材料.由于未掺杂的β-Ga_(2)O_(3)为n型导电,所以制备p型β-Ga_(2)O_(3)面临很多困难,从而制约了同质PN结的开发与应用.聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)是一种p型导电聚合物,在250—700 nm有着较高的透明度,采用p型有机材料PEDOT:PSS和n型β-Ga_(2)O_(3)构成的异质结可能为PN结型光电器件的研制提供一种途径.本文利用机械剥离法从β-Ga_(2)O_(3)单晶衬底上剥离出单根β-Ga_(2)O_(3)微米片,微米片的长度为4 mm,宽度为500μm,厚度为57μm.将有机材料PEDOT:PSS涂覆在剥离出来的微米片的一侧制备出PEDOT:PSS/β-Ga_(2)O_(3)无机-有机异质结的紫外光电探测器,器件表现出典型的整流特性,而且发现器件对254 nm紫外光敏感,具有良好的自供电性能.该异质结紫外探测器的响应度和外量子效率分别为7.13 A/W和3484%,上升时间和下降时间分别为0.25 s和0.20 s.此外,3个月后器件对254 nm紫外光的探测性能并未发现明显的衰减现象.本文的相关研究工作将对研发新型紫外探测器提供了新的思路和理论基础. 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) PEDOT:PSS 异质结 紫外光电探测器
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外源GA_3对白桦成花基因影响的定量PCR分析 被引量:7
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作者 魏志刚 钱婷婷 +3 位作者 张凯旋 刘关君 刘桂丰 杨传平 《林业科学》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期187-192,共6页
植物开花是高等植物由营养生长向生殖生长转变的重要生理过程,是个体发育和后代繁衍的中心环节。赤霉素是调节植物生长发育的五大激素之一(Takahashi et al.,1991),赤霉素处理也是人工调控植物成花的最有效途径之一,
关键词 白桦 外源GA_3 成花诱导 实时荧光定量PCR 开花基因
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外源GA_(3)处理对辣椒半矮秆突变体表型和生理特征的影响
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作者 廖铭宇 徐欢 +4 位作者 张俊华 曹超政 程纬韬 周书栋 杨博智 《湖南农业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期41-46,共6页
分别用1.0、2.0、4.0、8.0 mg/L的GA_(3)处理辣椒半矮秆突变体E483的种子,分别用2.0、4.0、6.0、8.0、10.0、12.0 mg/L的GA_(3)喷施E483幼苗,以0.0 mg/L的GA_(3)处理的野生型6421(CK1)和E483(CK2)为对照,调查GA_(3)处理下E483种子萌发... 分别用1.0、2.0、4.0、8.0 mg/L的GA_(3)处理辣椒半矮秆突变体E483的种子,分别用2.0、4.0、6.0、8.0、10.0、12.0 mg/L的GA_(3)喷施E483幼苗,以0.0 mg/L的GA_(3)处理的野生型6421(CK1)和E483(CK2)为对照,调查GA_(3)处理下E483种子萌发情况和植株表型,并测定幼苗叶片内源GA、可溶性糖、可溶性蛋白、MDA含量以及SOD、CAT、POD、GR活性。结果表明:E483种子萌发速度低于野生型6421的,GA_(3)处理可提高E483种子发芽势,且在2.0、4.0、8.0 mg/L GA_(3)处理下,E483种子发芽能力可恢复至野生型6421种子的发芽能力;E483植株较6421矮,叶片较6421小,喷施GA_(3)处理可促使E483幼苗茎秆节间伸长、茎增粗、叶面积增大,但不会改变其节位数;8.0 mg/L GA_(3)处理的E483的株高与6421的株高无显著差异;2.0 mg/L GA_(3)处理的E483茎粗与6421茎粗无显著差异;6.0 mg/L GA_(3)处理的E483的叶宽、叶面积与6421幼苗的叶面积无显著差异;E483幼苗中GA1、GA_(3)、GA20、GA29、GA_(3)4含量显著低于6421相应的值,推测该突变体属于GA合成缺陷突变体;E483叶片中可溶性糖、可溶性蛋白含量及SOD、CAT、POD、GR活性均显著高于6421的,MDA含量显著低于6421的;10.0 mg/L GA_(3)处理的E483叶片中可溶性糖、可溶性蛋白含量和SOD、CAT、POD活性达到最大值。 展开更多
关键词 辣椒 半矮秆突变体 GA_(3) 表型 生理指标
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Al掺杂对β-Ga_(2)O_(3)薄膜光学性质的影响研究
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作者 钟琼丽 王绪 +1 位作者 马奎 杨发顺 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第8期1352-1360,共9页
近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_... 近年来,半导体器件向着高散热性、高击穿场强和低能耗的方向发展,因此超宽禁带半导体材料β-Ga_(2)O_(3)具有广阔的应用前景,而有效掺杂是实现β-Ga_(2)O_(3)器件的基础。实验采用磁控溅射法制备Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构,经高温退火使Al原子热扩散进入薄膜中,形成Al掺杂的β-Ga_(2)O_(3)薄膜。采用激光区熔法使薄膜区域熔化再结晶,进一步提升掺杂质量。对Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体性质、杂质含量及光学性质进行了测试表征。结果表明:Al掺杂不改变β-Ga_(2)O_(3)薄膜的晶体结构;随着Al层溅射时间延长,掺杂含量逐渐增加;当Al溅射时间为5和10 s时,薄膜紫外吸收率分别为40%和50%;随着Al溅射时间的增加,Al掺杂β-Ga_(2)O_(3)薄膜紫外区域光吸收率逐渐增强,Al溅射时间为300 s时,β-Ga_(2)O_(3)薄膜的光吸收率接近90%;低浓度的Al掺杂会导致β-Ga_(2)O_(3)薄膜的禁带宽度变窄。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)薄膜 AL掺杂 磁控溅射 Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)/Al/Ga_(2)O_(3)复合结构 光吸收 光学带隙
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GA_3、6-BA对金钗石斛生长发育及生物碱含量的影响 被引量:8
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作者 陈仕江 张明 +2 位作者 金仕勇 刘从军 丑敏霞 《植物资源与环境学报》 CAS CSCD 2004年第3期7-11,共5页
 在金钗石斛(DendrobiumnobileLindl.)高分蘖期前用GA3和6 BA进行浸根处理,分析GA3和6 BA对金钗石斛生长发育及生物碱含量的影响。结果表明:GA3、6 BA处理使金钗石斛SOD、POD活性升高,可溶性蛋白质和可溶性糖含量增加;用0.5~1.0mg...  在金钗石斛(DendrobiumnobileLindl.)高分蘖期前用GA3和6 BA进行浸根处理,分析GA3和6 BA对金钗石斛生长发育及生物碱含量的影响。结果表明:GA3、6 BA处理使金钗石斛SOD、POD活性升高,可溶性蛋白质和可溶性糖含量增加;用0.5~1.0mg·L-1GA3和10mg·L-16 BA处理可使金钗石斛的总生物碱含量分别增加6.7%~10.1%和3.4%;石斛碱的含量不受GA3和6 BA的影响。0.5~1.0mg·L-1GA3和10~50mg·L-16 BA处理可使金钗石斛生物产量分别增加13.3%~30.7%和17.3%~40.0%,有效分蘖率提高63.2%~68.9%和63.1%~82.1%,GA3可显著促进茎的延长生长。内源IAA含量在5-8月份较高,其中以6月份含量最高(4.84μg·g-1),1月份最低(2.97μg·g-1);内源ABA含量在1月份达最高(0.61μg·g-1)。用含有1.0mg·L-1GA3和50mg·L-16 BA的激素营养液处理可以显著提高金钗石斛生物产量(比CK增产38%),而且总生物碱含量也增加5.6%。 展开更多
关键词 GA3 6-BA 金钗石斛 生长发育 生物碱含量 生物产量 激素 组织培养
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β-Ga_(2)O_(3)的p型掺杂研究进展
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作者 何俊洁 矫淑杰 +3 位作者 聂伊尹 高世勇 王东博 王金忠 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期557-567,共11页
β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。... β-Ga_(2)O_(3)具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga_(2)O_(3)发展的巨大障碍。本文首先简要概述了β-Ga_(2)O_(3)的优点,并介绍了其晶体结构和基本性质。其次,说明了β-Ga_(2)O_(3)的本征缺陷,尤其是氧空位对导电性能的影响。然后,详细讨论了β-Ga_(2)O_(3) p型掺杂的研究现状,包括p型掺杂困难的原因和N掺杂、Mg掺杂、Zn掺杂、其他受主元素掺杂、两种元素共掺杂以及其他方法。最后,总结并对β-Ga_(2)O_(3)未来的发展进行了展望。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 本征缺陷 P型掺杂 宽禁带半导体 半导体
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GA_3对葡萄果实淀粉积累及代谢相关酶活性的影响 被引量:4
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作者 李鹏程 李铭 +2 位作者 郁松林 郭绍杰 苏学德 《北方园艺》 CAS 北大核心 2011年第11期17-20,共4页
以3a生全球红葡萄为试材,研究了用不同浓度的赤霉素(GA_3)在花前、花后2次处理葡萄果穗后,测定其对葡萄果实淀粉积累规律以及淀粉代谢酶活性的影响。结果表明:GA_3处理增加了葡萄果实可溶性糖积累速率,蔗糖合成酶(SS)活性增加,以20mg/L ... 以3a生全球红葡萄为试材,研究了用不同浓度的赤霉素(GA_3)在花前、花后2次处理葡萄果穗后,测定其对葡萄果实淀粉积累规律以及淀粉代谢酶活性的影响。结果表明:GA_3处理增加了葡萄果实可溶性糖积累速率,蔗糖合成酶(SS)活性增加,以20mg/L GA_3处理最为显著;经GA_3处理的果实前期淀粉含量有不同程度的增加,总淀粉酶、α-淀粉酶活性增大,而对β-淀粉酶无明显影响。因此,GA_3与淀粉积累调控机理之间存在密切的联系。 展开更多
关键词 GA_3 葡萄 果实 淀粉积累 酶活性
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摘心对切花菊的腋芽萌发性状及内源GA_3浓度的影响 被引量:4
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作者 屈连伟 印东生 +3 位作者 苏胜举 潘百涛 赵兴华 杨佳明 《北方园艺》 CAS 北大核心 2011年第4期107-110,共4页
为研究无腋芽型切花菊品种‘深志'摘心处理对其腋芽萌发性状及内源GA_3浓度的影响,探索切花菊腋芽萌发规律。通过电照保证‘深志'进行营养生长,摘心后观察腋芽萌发规律和分期采集叶片样本,进行内源GA_3浓度检测。结果表明:摘心后20 d... 为研究无腋芽型切花菊品种‘深志'摘心处理对其腋芽萌发性状及内源GA_3浓度的影响,探索切花菊腋芽萌发规律。通过电照保证‘深志'进行营养生长,摘心后观察腋芽萌发规律和分期采集叶片样本,进行内源GA_3浓度检测。结果表明:摘心后20 d内,叶片SY1相对应的腋芽首先萌发,叶片SY3相对应的腋芽后萌发,叶片SY5、SY10和SY15相对应的腋芽一直没有萌发。各叶片内源GA_3浓度都有所增加,叶片SY1和SY3的内源GA_3浓度的变化幅度较大,分别增加了41.9127和31.7153 ng/g;叶片SY5、SY10和SY15的内源GA_3浓度的变化幅度很小,平均增加11.458 ng/g。叶片SY1和SY3内源GA_3浓度与其相对应的腋芽萌发长度都呈显著正相关,相关系数分别为r=0.89982~*,r=0.90318~*。 展开更多
关键词 切花菊 摘心 腋芽萌发性状 内源GA_3浓度
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溶胶-凝胶法制备Gd_(4)Ga_(2)O_(9):Dy^(3+)白光发射荧光粉及其性能
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作者 官春艳 郑启泾 +1 位作者 万正环 杨锦瑜 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第8期83-88,共6页
通过溶胶-凝胶法制备了具有白光发射的Gd_(4)Ga_(2)O_(9):x%Dy^(3+)荧光粉,利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和荧光光谱等对产物的物相结构、形貌、组分和光学性能进行研究... 通过溶胶-凝胶法制备了具有白光发射的Gd_(4)Ga_(2)O_(9):x%Dy^(3+)荧光粉,利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)和荧光光谱等对产物的物相结构、形貌、组分和光学性能进行研究,并分析了Dy^(3+)掺杂量对样品的影响。XRD结果表明,所制备的样品为Dy^(3+)掺杂的Gd_(4)Ga_(2)O_(9)单斜晶体和少量Ga_(2)O_(3)杂质相的混合物。紫外-可见漫反射光谱结果表明制备的Dy^(3+)掺杂Gd_(4)Ga_(2)O_(9)晶体是一种光学带隙为5.29 eV的直接带隙半导体。荧光检测结果表明Dy^(3+)掺杂Gd_(4)Ga_(2)O_(9)荧光粉可被属于Gd^(3+)激发带的275 nm紫外光有效激发,并在490 nm和575 nm附近分别发射出属于Dy^(3+)的^(4)F_(9/2)→^(6)H_(15/2)和^(4)F_(9/2)→^(6)H_(13/2)跃迁的蓝色和黄色的强烈光,证实在Gd_(4)Ga_(2)O_(9):Dy^(3+)样品中存在显著的由Gd^(3+)到Dy^(3+)的能量传递发光现象。同时,对其发光机制进行了讨论。样品的发光强度随着Dy^(3+)掺杂量的变化而变化,同时影响着样品的发光颜色,Dy^(3+)掺杂量为1.5%和2%时制备的荧光粉可在紫外光激发下分别发射出CIE色坐标为(0.3362,0.3512)和(0.3381,0.3523)、相关色温为5340 K和5263 K的白色光。研究结果表明Gd_(4)Ga_(2)O_(9):Dy^(3+)是一种潜在的紫外光激发白光发射荧光材料。 展开更多
关键词 Gd_(4)Ga_(2)O_(9) Dy^(3+)掺杂 白光发射 荧光性能 能量传递 直接带隙半导体
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室温下β⁃Ga_(2)O_(3)纳米柱的脆韧转变研究
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作者 李佩 赵培丽 +6 位作者 胡捷 吴姗姗 黄瑞龙 王佳恒 郑赫 贾双凤 王建波 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期11-17,共7页
β⁃Ga_(2)O_(3)的力学性能关系到相关电子器件的制造、封装以及应用,然而目前关于β⁃Ga_(2)O_(3)单晶的力学变形机制研究还相对匮乏。本文研究了(100)β⁃Ga_(2)O_(3)单晶在压应力作用下的力学行为,发现其极易沿着(100)B面脆断,并计算得... β⁃Ga_(2)O_(3)的力学性能关系到相关电子器件的制造、封装以及应用,然而目前关于β⁃Ga_(2)O_(3)单晶的力学变形机制研究还相对匮乏。本文研究了(100)β⁃Ga_(2)O_(3)单晶在压应力作用下的力学行为,发现其极易沿着(100)B面脆断,并计算得到该材料的断裂应力范围为3141~6151 MPa。进一步揭示了不同长径比、不同直径对β⁃Ga_(2)O_(3)纳米柱力学变形行为的影响,实验结果表明:当长径比>2时,β⁃Ga_(2)O_(3)纳米柱在不同直径下均沿着(100)B面发生脆断;当长径比<2且直径<200 nm时,(100)β⁃Ga_(2)O_(3)发生脆性向塑性的转变,表现为先沿着(201)面发生滑移,之后沿着(100)B面断裂。最后,讨论了晶体学取向对于小尺寸β⁃Ga_(2)O_(3)塑性的影响,研究结果为理解β⁃Ga_(2)O_(3)的力学性能提供借鉴。 展开更多
关键词 β⁃Ga_(2)O_(3) 脆韧转变 力学研究 透射电子显微镜
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外源GA_3对枣树^(14)C-光合产物向果实分配的影响 被引量:12
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作者 刘平 温陟良 +1 位作者 彭士琪 郭振怀 《河北农业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期34-36,40,共4页
为探明外源GA3 对枣树1 4 C -光合产物向果实分配的影响 ,应用1 4 C示踪技术 ,就GA3 的作用机理进行了研究。结果表明 :枣果实发育期施用外源GA3 ,施用GA3 的方法不同 ,其效果亦不相同。赞皇大枣多年生二次枝喷 5 0mg LGA3 后 ,标记叶... 为探明外源GA3 对枣树1 4 C -光合产物向果实分配的影响 ,应用1 4 C示踪技术 ,就GA3 的作用机理进行了研究。结果表明 :枣果实发育期施用外源GA3 ,施用GA3 的方法不同 ,其效果亦不相同。赞皇大枣多年生二次枝喷 5 0mg LGA3 后 ,标记叶片光合产物输出量较对照增加 5 6 4% ,花 (果实 )获得的1 4 C ,光合产物量增加了 4 48% ;GA3 涂抹冬枣果实 ,可提高果实的库活性 ,其中 5 0mg LGA3 涂果效果明显好于 2 0mg LGA3 涂果 ;5 0mg LGA3 涂抹冬枣果实同节位叶片 ,可阻止该叶片的1 4 C -光合产物外运 。 展开更多
关键词 果实 分配 枣树 外源赤霉素 碳14-光合产物
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基于SF_(6)/Ar的电感耦合等离子体干法刻蚀β-Ga_(2)O_(3)薄膜
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作者 曾祥余 马奎 杨发顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期624-628,共5页
使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表... 使用SF_(6)/Ar混合气体作为刻蚀气体,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀方法,研究了不同激励功率和偏置功率对Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率的影响以及不同刻蚀时间对表面粗糙度的影响,并观察了光刻胶的损伤情况以调整刻蚀工艺参数。实验结果表明,适度地增大激励功率和偏置功率可以提高刻蚀速率;合适的刻蚀时间可以在得到低粗糙度表面的同时不会过度损伤光刻胶掩膜。通过优化工艺参数,在激励功率为600 W、偏置功率为150 W、刻蚀时间为17 min下,可得到30 nm/min的Ga_(2)O_(3)薄膜刻蚀速率,刻蚀表面的垂直度高、粗糙度低,同时光刻胶掩膜形貌完好。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ga_(2)O_(3)薄膜 刻蚀速率 光刻胶掩膜 低粗糙度表面
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棉花种子发芽过程中生理生化变化及赤霉素(GA_3)的调节 Ⅱ 棉花子叶中酶活性及内源激素的变化 被引量:8
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作者 王宏 项时康 +2 位作者 陈建华 姜瑞云 杨伟华 《棉花学报》 CSCD 北大核心 1997年第3期126-131,共6页
研究了棉花种子发芽过程中,子叶中与脂肪代谢有关的酶活性和内源激素水平的变化及外源赤霉素(GA3)的调节。结果表明,赤霉素增加了脂酶的活性,同时也增加了过氧化氢酶的活性,使其活性最高峰值均超前对照24h;赤霉素降低了过... 研究了棉花种子发芽过程中,子叶中与脂肪代谢有关的酶活性和内源激素水平的变化及外源赤霉素(GA3)的调节。结果表明,赤霉素增加了脂酶的活性,同时也增加了过氧化氢酶的活性,使其活性最高峰值均超前对照24h;赤霉素降低了过氧化物酶的活性,但使吲哚乙酸氧化酶的活性稍有提高;赤霉素影响子叶中内源激素水平,其中赤霉素处理的生长素(IAA)含量相对稳定,而对照的生长素含量则逐渐下降;对于三种细胞分裂素来说,赤霉素增加了前期(48h以前)三种细胞分裂素的含量(Z+ZR除外)。三种细胞分裂素含量的改变可能与子叶的发育有关。 展开更多
关键词 棉花 种子发芽 生理生化 赤霉素
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Mist CVD生长的雾滴迁移与早期沉积研究
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作者 吴诗颖 陈琳 +2 位作者 蒋少清 郭方正 陶志阔 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第4期454-460,467,共8页
第三代半导体材料α-Ga_(2)O_(3)因其超宽带隙(5.3 eV)和超高巴利加优值(6726)在制造高功率器件等电子器件方面更具优势。在α-Ga_(2)O_(3)的诸多生长方法中,Mist CVD简化了前体输运,是亚稳相薄膜较有前景的生长技术。针对早期雾滴分布... 第三代半导体材料α-Ga_(2)O_(3)因其超宽带隙(5.3 eV)和超高巴利加优值(6726)在制造高功率器件等电子器件方面更具优势。在α-Ga_(2)O_(3)的诸多生长方法中,Mist CVD简化了前体输运,是亚稳相薄膜较有前景的生长技术。针对早期雾滴分布会制约薄膜质量的问题,使用计算流体力学(CFD)对α-Ga_(2)O_(3)的水平热壁Mist CVD系统进行了多相流反应的瞬态数值仿真研究。基于雾滴迁移与气化模型,研究影响雾滴蒸发时间的因素,解释了雾滴迁移长度对初始外延质量和平均生长速率的作用。在影响α-Ga_(2)O_(3)薄膜生长分布的诸多变量中,对衬底温度、衬底位置及衬底角度等关键参数进行了优化。结果表明,26.5°的衬底角度、距离出口78 cm的衬底位置和550℃的衬底温度具有较好的雾滴迁移分布,是有利于薄膜成核生长的优化条件,为实际生长与制备提供生长参数。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) Mist CVD 雾滴 蒸发时间 平均生长速率 均匀性
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薰衣草高效快繁体系的探究
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作者 张钰茜 王爱凡 +2 位作者 李雪龙 冷晓宇 苏秀娟 《天津农业科学》 CAS 2024年第1期16-23,29,共9页
通过植物组织培养技术,以筛选出薰衣草快速繁殖的最优培养条件。以2个品种薰衣草品种法国蓝和太空蓝的种子为外植体,对外植体的消毒方式、增殖分化和生根培养的最适培养基和激素配比进行研究分析。结果表明:法国蓝与太空蓝种子萌发率最... 通过植物组织培养技术,以筛选出薰衣草快速繁殖的最优培养条件。以2个品种薰衣草品种法国蓝和太空蓝的种子为外植体,对外植体的消毒方式、增殖分化和生根培养的最适培养基和激素配比进行研究分析。结果表明:法国蓝与太空蓝种子萌发率最高、污染率最低的处理方式分别为10%NaClO 15~20 min和10%H_(2)O_(2)5 min;当GA_(3)浓度为600 mg·L^(-1)时,法国蓝和太空蓝浸种时间分别为16 h和24 h时,种子的萌发率最高。法国蓝和太空蓝的最佳增殖分化培养基分别为MS+0.1 mg·L^(-1)NAA+0.2 mg·L^(-1)TDZ,MS+0.05 mg·L^(-1)NAA+0.2 mg·L^(-1)TDZ。法国蓝和太空蓝最佳生根培养基均为1/2 MS+0.2 mg·L^(-1)NAA。本研究建立了薰衣草快速繁殖体系,为薰衣草优良种质的快速繁殖、扩大培养、推广应用提供技术性参考。 展开更多
关键词 薰衣草 赤霉素(GA_(3)) 增殖分化 生根 快速繁殖
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