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Growth and Corrosion Characteristics of Plasma Electrolytic Oxidation Ceramic Films Formed on AZ31 Magnesium Alloy 被引量:1
1
作者 王丽 陈砺 +2 位作者 严宗诚 王红林 彭家志 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期592-597,共6页
The growth characteristics of oxide ceramic films formed on AZ31 magnesium alloy with plasma electrolytic oxidation (PEO) technique in alkaline silicate solution were investigated. The composition, structure and morph... The growth characteristics of oxide ceramic films formed on AZ31 magnesium alloy with plasma electrolytic oxidation (PEO) technique in alkaline silicate solution were investigated. The composition, structure and morphology of the coatings were detected by energy dispersive X-ray spectroscope and scanning electron microscope. The amount of dissolved magnesium in the electrolytes during PEO process was measured by atomic absorption spectrometry. The results indicated that the growth process of PEO films had three stages when applied with constant voltage mode. In the first stage, the growth rate of PEO films was low, and concentrations of elements O, Mg and Si varied slightly. After sparking occurred (the second stage), the PEO films showed higher growth rate due to the high transfer rate of ions and electrons, and the existence of plasma reactions. When the growth rate tended to maintain stable with time, the third stage happened. PEO films exhibited different uniform and pitting-corrosion characteristics in different reaction stages. The films formed at 300 V for 30 min performed best corrosion resistance and the phase of ceramic films was mainly composed of MgSiO3 and forsterite Mg2SiO4. 展开更多
关键词 金属表面 防腐蚀 腐蚀状态 PEO
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Morphological Structure Characterization of PAH/NiTsPc Multilayer Nanostructured Films
2
作者 Josmary R. Silva Jackeline B. Brito +1 位作者 Sonia T. Tanimoto Nara C. de Souza 《Materials Sciences and Applications》 2011年第11期1661-1666,共6页
Morphological structure and growth process of LbL nanostructured films from nickel tetrasulfonated phthalocyanine (NiTsPc) alternated with polyallylamine hydrochloride (PAH) were investigated. The experimental results... Morphological structure and growth process of LbL nanostructured films from nickel tetrasulfonated phthalocyanine (NiTsPc) alternated with polyallylamine hydrochloride (PAH) were investigated. The experimental results of UV-visible adsorption kinetics (modeled by Johnson-Mehl-Avrami functions) and AFM images analyzes suggested that the surface morphology structure of films is formed by rod-shaped aggregates produced by a two-step growth process: nucleation and diffusion-limited growth. 展开更多
关键词 PHTHALOCYANINE Layer-By-Layer filmS growth processes ADSORPTION KINETICS
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Growth orientation and superconducting properties of YBa_2Cu_3O_(7-δ) films prepared by the low-fluorine sol-gel process
3
作者 雷黎 赵高扬 +1 位作者 徐慧 赵娟娟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期35-41,共7页
YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO) films were deposited on(100)-oriented LaAlO_3(LAO) single crystal substrates by the dip-coating process using low-fluorine solution.Their microstructures were characterized with the aid... YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO) films were deposited on(100)-oriented LaAlO_3(LAO) single crystal substrates by the dip-coating process using low-fluorine solution.Their microstructures were characterized with the aid of X-ray diffractometry,scanning electron microscopy and high-resolution transmission electron microscopy.Their superconducting properties were measured by the standard four-probe method.The experiment results show that the film obtained under high enough humidity conditions exhibits better c-axis texture and superconducting properties than the film under a relatively low humidity conditions.Based on the classical nucleation and chemical reaction thermodynamics theory, the underlying crystalline and growth mechanisms of YBCO films under certain humidity conditions are explained in combination with our experimental results.It is suggested that the unreacted intermediate phases such as BaF_2 and CuO aggregated in the YBCO grain boundary will cause lattice distortion in the YBCO matrix and further induce the formation of a-axis oriented YBCO grains as crystallization proceeds.Therefore,it is believed that the relative content of water vapor within the heat-treatment atmosphere plays quite an important role in the preparation of c-axis oriented YBCO film with good superconducting properties. 展开更多
关键词 YBCO films low-fluorine process growth orientation SOL-GEL
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铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池吸收层薄膜质量探究
4
作者 王玲玲 王雁芹 《物理实验》 2023年第10期17-26,共10页
铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池是低成本、有潜力的新型太阳能电池,其吸收层的质量决定太阳能电池器件的性能.溶液法是通过将预制膜硒化热处理来获得铜锌锡硫硒太阳能电池的吸收层材料,其中硒化处理是得到高质量吸收层的重要手段.为得到高质... 铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池是低成本、有潜力的新型太阳能电池,其吸收层的质量决定太阳能电池器件的性能.溶液法是通过将预制膜硒化热处理来获得铜锌锡硫硒太阳能电池的吸收层材料,其中硒化处理是得到高质量吸收层的重要手段.为得到高质量吸收层,对硒化条件进行设计,分别从硒化程序组成(一步/两步硒化)、硒化温度及硒化时间3个方面探究了硒化过程对铜锌锡硫硒吸收层的相纯度、微观形貌及光电转换性能的影响.利用最优硒化参量制备电池器件,获得了5.72%的光电转换效率. 展开更多
关键词 铜锌锡硫硒薄膜 薄膜太阳能电池 硒化工艺 结晶生长 光电转换性能
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LY12铝合金微弧氧化膜的生长过程 被引量:6
5
作者 国大鹏 孙志华 +4 位作者 刘明 郭孟秋 汤智慧 宇波 陆峰 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期10-12,16,共4页
为了进一步了解铝合金微弧氧化膜的生长状况、生长过程和机理,在硅酸盐体系中,采用恒流法对LY12铝合金分别进行了5,10,30,45,75,120 min的微弧氧化处理。采用扫描电镜和电化学阻抗谱对氧化膜进行了分析。结果表明:随着氧化时间的延长,... 为了进一步了解铝合金微弧氧化膜的生长状况、生长过程和机理,在硅酸盐体系中,采用恒流法对LY12铝合金分别进行了5,10,30,45,75,120 min的微弧氧化处理。采用扫描电镜和电化学阻抗谱对氧化膜进行了分析。结果表明:随着氧化时间的延长,氧化膜明显变得粗糙,膜内孔道被填补;随着膜层厚度的增加,反应后期氧化膜分为内外2层,表层疏松,内层致密;电化学阻抗谱由双容抗形转变为拉长的半圆弧,反应电阻增加,电化学过程由活化过程转变为扩散过程控制,氧化膜对基体的保护性能增强。 展开更多
关键词 微弧氧化 铝合金 氧化膜 生长过程 形貌 电化学阻抗谱
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TiNi形状记忆合金表面绝缘膜的原位生长过程和相结构 被引量:5
6
作者 刘福顺 宫声凯 徐惠彬 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期867-870,共4页
采用原位水热化学合成法 ,在TiNi形状记忆合金表面制备了组成主要为TiO2 的绝缘膜 ,并对此绝缘膜的生长过程、形貌以及相结构等进行了研究。结果表明 ,该绝缘膜主要成分为Ti和O ,其相组成为TiO2 和TiO2 -x(x≤ 0 .2 )。随着绝缘膜保温... 采用原位水热化学合成法 ,在TiNi形状记忆合金表面制备了组成主要为TiO2 的绝缘膜 ,并对此绝缘膜的生长过程、形貌以及相结构等进行了研究。结果表明 ,该绝缘膜主要成分为Ti和O ,其相组成为TiO2 和TiO2 -x(x≤ 0 .2 )。随着绝缘膜保温时间的延长 ,绝缘膜逐渐增厚 ,可以达到 4~ 5 μm。适宜的保温温度约为 2 0 0℃ ,保温时间为 8~ 12h。当保温时间超过 16h时 ,绝缘膜开始产生裂纹。对绝缘膜电阻特性的测试结果表明 :绝缘膜电阻随保温时间增加而增大 ,在 2 0 0℃保温 12h后的绝缘膜电阻最大 ,其值为 8.33× 10 展开更多
关键词 绝缘膜 生长过程 相结构 TINI形状记忆合金
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径向三重流MOCVD反应器输运过程的数值模拟 被引量:15
7
作者 左然 张红 刘祥林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期977-982,共6页
对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的... 对径向三重流MOCVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变反应腔几何尺寸、导流管位置、流量、压强、温度等条件,得到反应器流场、温场、浓度场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现反应腔内涡旋首先在流动的转折处产生,上下壁面温差的加大使涡旋增大,中管进口流量的增加对涡旋产生抑制作用,内管和外管流量的增加对涡旋产生扩大作用.得出输运过程的优化条件为:反应腔上下壁靠近,导流管水平延长,中管进口流量尽量大于内、外管流量,压强尽量低于105Pa,上下壁面温差尽量减小等. 展开更多
关键词 MOCVD 输运过程 热对流 数值模拟
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行星式化学气相沉积反应器内对流涡旋的数值模拟 被引量:4
8
作者 左然 张红 刘祥林 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期671-673,共3页
针对三重进口行星式CVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究。通过改变反应腔几何尺寸、导流管位置、三重进口流量组合、压强、温度等条件,研究反应器内对流涡旋的相应变化。根据模拟结果,对这类反应器中输运现象与外部参数的关系,... 针对三重进口行星式CVD反应器的输运过程进行了二维数值模拟研究。通过改变反应腔几何尺寸、导流管位置、三重进口流量组合、压强、温度等条件,研究反应器内对流涡旋的相应变化。根据模拟结果,对这类反应器中输运现象与外部参数的关系,特别是反应腔内对流涡旋的产生和发展作了较全面的分析和讨论,给出了抑制对流涡旋、获得薄膜生长所需的最佳输运过程的条件。 展开更多
关键词 反应器 化学气相沉积 行星式 涡旋 对流 数值模拟研究 输运过程 几何尺寸 模拟结果 外部参数 输运现象 薄膜生长 CVD 反应腔 进口 组合
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ZnO薄膜的制备和结构性能分析 被引量:5
9
作者 贺永宁 朱长纯 +4 位作者 侯洵 张景文 杨晓东 徐庆安 曾凡光 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期420-423,共4页
ZnO作为一种宽带隙半导体材料 ,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点。激光分子束外延 (L MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一。高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的 ,本文中... ZnO作为一种宽带隙半导体材料 ,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点。激光分子束外延 (L MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一。高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的 ,本文中采用高纯原料 ,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材。采用所制备的靶材 ,利用L MBE技术在 (0 0 0 1)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长 ,在 2 80℃~ 30 0℃低温条件下所生长的薄膜样品具有 (0 0 0 1)取向的纤锌矿晶体结构 ,薄膜光学性能良好 ,论文中对ZnO薄膜的低温L MBE生长机理进行了探讨。 展开更多
关键词 MBE ZnO陶瓷 ZNO薄膜 宽带隙半导体材料 光电子材料 器件 蓝宝石基片 可控 薄膜光学 外延薄膜
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工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 被引量:3
10
作者 刘学建 金承钰 +2 位作者 黄智勇 蒲锡鹏 黄莉萍 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期986-990,共5页
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourie... 以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 生长动力学 性质 工艺
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室温电化学法制备白钨矿SrWO_4晶态膜的生长特性研究(英文) 被引量:1
11
作者 安红娜 杨祖念 +5 位作者 肖定全 余萍 刘志强 陈连平 黄昕 王辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1056-1061,共6页
采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段(包括薄膜从最初成核并开始生长,到薄膜布满整个基片,即薄膜生长结束)的生长特性。研究结果表... 采用恒电流电化学技术直接在金属钨片上制备了具有白钨矿结构的钨酸锶(SrWO4)晶态薄膜,通过SEM和EDX测试分析方法,研究了薄膜在不同的生长阶段(包括薄膜从最初成核并开始生长,到薄膜布满整个基片,即薄膜生长结束)的生长特性。研究结果表明,SrWO4晶核和晶粒优先选择在基片的缺陷处堆砌生长,在薄膜生长的初期,一定数量的WO4负离子配位多面体沉积在基片上并形成具有白钨矿结构的骨架,继而Sr2 +对该骨架进行填充,由此形成晶核和晶粒;随着沉积时间的延长,晶粒密度不断增大,晶核和晶粒也不断长大,并沿着c轴生长的方向开始分叉,晶粒越大分叉越多;最终,当SrWO4薄膜生长过程结束时,团簇生长的花菜状晶粒布满整个基片,形成致密的薄膜。该研究结果对晶态薄膜电化学制备生长机制的认识、以及采用电化学方法制备晶态薄膜的工艺调控都具有重要意义。 展开更多
关键词 电化学技术 SrWO4薄膜 负离子配位多面体 晶态薄膜生长过程
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镍衬底上定向金刚石膜的成核与生长 被引量:2
12
作者 邱东江 顾智企 吴惠桢 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期340-343,共4页
提出了一种包括晶粒接种、高温退火、成核、生长四过程的薄膜沉积新方法 ,用射频等离子体增强热丝化学气相沉积系统 ,在Ni衬底上制备了定向金刚石膜。通过对成核和生长两过程工艺条件的研究 ,掌握了提高成核密度和金刚石定向生长规律。... 提出了一种包括晶粒接种、高温退火、成核、生长四过程的薄膜沉积新方法 ,用射频等离子体增强热丝化学气相沉积系统 ,在Ni衬底上制备了定向金刚石膜。通过对成核和生长两过程工艺条件的研究 ,掌握了提高成核密度和金刚石定向生长规律。实验还表明 ,膜与Ni衬底之间未见Ni C 展开更多
关键词 四步沉积法 成核 生长 金刚石膜 镍衬底
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铝合金表面铈转化膜的生长与耐蚀性
13
作者 吴海江 杨飞英 《装备环境工程》 CAS 2009年第3期6-9,共4页
将6063铝合金试样用10 g/L Ce(NO3)3.6H2O处理1 min^24 h,采用增重实验、盐雾试验和全浸腐蚀试验研究了铈转化膜的生长和耐蚀性能。结果表明,在初期试样增重随成膜时间线性增加,15 min后增重变缓,30 min后波动下降。转化膜的耐蚀性能受... 将6063铝合金试样用10 g/L Ce(NO3)3.6H2O处理1 min^24 h,采用增重实验、盐雾试验和全浸腐蚀试验研究了铈转化膜的生长和耐蚀性能。结果表明,在初期试样增重随成膜时间线性增加,15 min后增重变缓,30 min后波动下降。转化膜的耐蚀性能受膜厚和裂纹联合控制,成膜时间在30 min内,随成膜时间增加,耐蚀能力增加;30 min后由于膜层开裂渐成主导控制因素,随成膜时间增加耐蚀性下降。 展开更多
关键词 铝合金 铈转化膜 生长行为 耐蚀性
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低氟溶胶-凝胶法制备Φ76.2mm YBCO薄膜 被引量:2
14
作者 雷黎 赵高扬 +1 位作者 刘晓梅 赵娟娟 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1116-1120,共5页
采用低氟溶胶-凝胶法在Φ76.2mm的LaAlO3(LAO)单晶衬底上制备YBCO薄膜,然后对Φ76.2mm的YBCO薄膜样品的微观结构、膜厚及超导性能进行均匀性测试分析。结果表明:所制备的薄膜厚度均匀并具有较好的c轴外延生长取向和均匀的超导电性能。
关键词 低氟溶胶-凝胶法 YBCO薄膜 大面积 外延生长
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{100}织构化学气相沉积金刚石薄膜的取向生长过程 被引量:2
15
作者 朱宏喜 顾超 +2 位作者 薛永栋 任凤章 毛卫民 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期30-32,56,共4页
为了研究化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜生长过程中{100}织构的形成机理,采用X射线衍射、电子背散射衍射和扫描电镜研究了CVD自支撑金刚石薄膜的宏观织构、微区晶界分布和表面形貌。结果表明:金刚石薄膜以{111}面或{100}面为生长前沿面都... 为了研究化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜生长过程中{100}织构的形成机理,采用X射线衍射、电子背散射衍射和扫描电镜研究了CVD自支撑金刚石薄膜的宏观织构、微区晶界分布和表面形貌。结果表明:金刚石薄膜以{111}面或{100}面为生长前沿面都能够形成{100}织构,但形成的表面形貌不同;通过吸附CH3-和CH3-在{111}面堆积碳原子时,通过{111}面的层层堆垛形成{100}面,且{100}面平行薄膜表面,暴露在晶粒表面的晶面只有{111}面;通过吸附CH2-在{100}面上堆积碳原子时,形成的{100}面平行于薄膜表面且作为晶粒大部分表面,晶粒显露的侧面为{111}面。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 化学气相沉积 {100}织构 形成机理 形貌 晶体生长 生长过程
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一步法黑色磷化膜生长过程研究
16
作者 黄晓梅 蔡建崇 金少兵 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期82-86,共5页
为了研究一步法黑色磷化膜的生长过程,测试了钢铁基体在黑色磷化液中的循环伏安曲线及时间电位曲线,利用扫描电镜观察了膜的生长过程及不同温度条件下膜层形貌,分析了膜重随时间的变化,对成膜机理进行了探讨.研究表明:在适宜的磷化时间... 为了研究一步法黑色磷化膜的生长过程,测试了钢铁基体在黑色磷化液中的循环伏安曲线及时间电位曲线,利用扫描电镜观察了膜的生长过程及不同温度条件下膜层形貌,分析了膜重随时间的变化,对成膜机理进行了探讨.研究表明:在适宜的磷化时间及磷化温度下,黑色磷化膜晶体数量多,尺寸适中,孔隙小,膜层致密,均匀,厚度适中,色泽乌黑,采用一步法制备黑色磷化膜,可减少生产工序,降低成本,所得膜层性能优异.在适宜的磷化时间内,黑色磷化膜的平均膜重为52.7 g/m2,在磷化膜中生成氧化铜从而使磷化膜成黑色. 展开更多
关键词 钢铁基体 黑色磷化膜 磷化 一步法 生长过程 膜重 晶体 成膜机
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Nd:YAG脉冲激光氧化Cr膜的微观表面
17
作者 董文 王海东 +1 位作者 李光玉 谈俭军 《吉林大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期17-21,共5页
利用SEM、FESEM、AFM和XRD对Nd:YAG脉冲激光氧化Cr膜的微观结构进行了分析。在较小的激光能量作用下,所得到的氧化物薄膜均匀生长;当激光能量较高时,氧化物薄膜呈小丘状生长模式。薄膜表面形成的纳米尺寸的楔型晶界将对下一步的刻蚀产... 利用SEM、FESEM、AFM和XRD对Nd:YAG脉冲激光氧化Cr膜的微观结构进行了分析。在较小的激光能量作用下,所得到的氧化物薄膜均匀生长;当激光能量较高时,氧化物薄膜呈小丘状生长模式。薄膜表面形成的纳米尺寸的楔型晶界将对下一步的刻蚀产生不良影响,这是由于较低温度下进行的激光氧化会引起较低的扩散速率和初始应力释放。小丘状氧化物生长是在较高激光能量下较高温度使Cr离子向外扩散的结果。 展开更多
关键词 材料表面和界面 激光加工 薄膜 表面 微观结构 晶体生长 扩散
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Cu薄膜生长过程的Monte Carlo模拟
18
作者 王炫力 陈冷 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1263-1268,1279,共7页
用动力学晶格蒙特卡洛模型(Kinetic Lattice Monte Carlo,KLMC)模拟Cu薄膜的生长过程,讨论了基底温度、沉积原子数、单原子最大迁移步数和原子相互作用范围等参数对薄膜表面形貌的影响,并与实验结果进行了比较。结果表明:基底温度升高... 用动力学晶格蒙特卡洛模型(Kinetic Lattice Monte Carlo,KLMC)模拟Cu薄膜的生长过程,讨论了基底温度、沉积原子数、单原子最大迁移步数和原子相互作用范围等参数对薄膜表面形貌的影响,并与实验结果进行了比较。结果表明:基底温度升高或沉积原子数增加时,沉积在基底上的原子逐步由众多各自独立的离散型分布向聚集状态过渡形成团簇,并且温度越低,团簇越趋于分散生长。当最大迁移步数减小或相互作用范围增大时,团簇亦趋于分散生长。 展开更多
关键词 KLMC模型 薄膜生长过程 表面形貌 Cu薄膜
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基于托卡马克装置内壁硼膜材料的制备及其性能研究
19
作者 田小让 赵鑫 +2 位作者 赵冠超 高志开 韩培德 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期2413-2422,共10页
在真空腔室内壁生长硼膜是托卡马克装置至关重要的壁处理技术。自主搭建了球形辉光放电真空室,选用乙硼烷为硼源,采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法在真空室内壁成功制备出硼膜。扫描电镜和结合力测试表明:制备出的硼膜结构致密,覆盖完... 在真空腔室内壁生长硼膜是托卡马克装置至关重要的壁处理技术。自主搭建了球形辉光放电真空室,选用乙硼烷为硼源,采用等离子体化学气相沉积(PECVD)法在真空室内壁成功制备出硼膜。扫描电镜和结合力测试表明:制备出的硼膜结构致密,覆盖完整,结合力良好,膜层的结合力>240 N/m。同时系统研究了乙硼烷浓度、气压、电流密度和温度对硼膜生长的影响规律,并得出了室温条件下,乙硼烷浓度1%~2%,气压在5~10Pa,电流密度4.7~6.2μA/cm2的最佳制备工艺。通过残余气体分析仪(RGA)检测腔室内残余气体压力,进而研究硼膜对杂质的抑制性能。结果表明:硼化后腔室内残余气体H2O、CO2、CO和O2的分压明显降低,比硼化前分别降低了200%,400%,200%和10%。结合腔室残余气体的分压结果和硼膜成分的X射线光电子能谱分析(XPS),推测出硼膜对杂质的抑制机理。 展开更多
关键词 硼膜 生长规律 制备工艺 抑制性能
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LPCVD制备多晶硅薄膜的性能
20
作者 马红娜 李锋 +2 位作者 赵学玲 史金超 张伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期630-635,共6页
对低压化学气相沉积(LPCVD)制备多晶硅薄膜的生长工艺与钝化性能进行研究,重点分析了沉积温度、硅烷体积流量和沉积时间对薄膜生长和钝化性能的影响。在590~635℃沉积温度内,多晶硅薄膜生长速率与沉积温度近似呈线性关系,钝化性能随着... 对低压化学气相沉积(LPCVD)制备多晶硅薄膜的生长工艺与钝化性能进行研究,重点分析了沉积温度、硅烷体积流量和沉积时间对薄膜生长和钝化性能的影响。在590~635℃沉积温度内,多晶硅薄膜生长速率与沉积温度近似呈线性关系,钝化性能随着沉积温度的增加先变优再变差;在250~1150 cm^(3)/min硅烷体积流量内,多晶硅薄膜的生长速率与硅烷体积流量基本呈线性关系,当硅烷体积流量为1150 cm^(3)/min时,钝化性能明显变差;随着多晶硅薄膜厚度增加,钝化性能先变优后稳定。使用优化后的工艺制备多晶硅薄膜样品并对其进行测试,测试结果表明样品的隐性开路电压为749 mV,饱和电流密度为1.46 fA/cm^(2),钝化性能最佳。 展开更多
关键词 低压化学气相沉积(LPCVD) 多晶硅薄膜 生长工艺 钝化性能 生长速率
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