SiO_2/聚酰亚胺/SiO_2复合薄膜绝缘性能及基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致发射性能的研究

使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2绝缘膜。分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征;利用超高阻微电流测试仪测试了SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性;采用SiO2/PI/SiO2作为绝缘膜,制作了后栅型场致发射器件,使用场发射测试系统测试了器件的开启电压、发射电流以及发光亮度。结果表明:SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜具有高的击穿电压和低的漏电流密度,后栅器件中栅极对阴极表面的电场强度调控作用明显,阳极电压为750V时,栅极开启电压为91 V,阳极电流可达384μA,栅极漏电流仅为59μA,器件最高亮度可达600 cd/m2。

厚膜工艺制备后栅极场发射显示板的研究

讨论了包括丝网印刷、厚膜光刻、荧光粉沉积成膜、喷涂等厚膜工艺以及后栅极结构场致发射显示屏的制备工艺。研究了老炼工艺对阴极发射特性的改善。采用全厚膜工艺制备了2英寸后栅极场发射显示板样屏,在阳极距为1mm的后栅极结构中,阳极工作电压为2kV时,通过对样屏的测试分析,阴极开关范围差小于100V,达到了行列低压寻址驱动的要求,验证了全厚膜制备后栅极场发射显示板的可行性。

薄膜后栅型SnO_2场发射显示器的制备及性能研究

利用光刻、阳极氧化和剥离技术在玻璃基底制备薄膜后栅型场发射阵列,采用丝网印刷技术将一维SnO2纳米发射材料转移至后栅结构的阴极电极上,借助光学显微镜和扫描电镜观测薄膜后栅型场发射阴极阵列,利用ANSYS软件模拟了不同条件下阴极电极附近电子运动轨迹。结果表明,一维SnO2纳米线在阴极电极衬底上分布均匀,电子束斑随着阳压的增大而逐渐减小,随栅压的增加而变大。将阴极板与阳极荧光板制成了5 inch(1 inch=25.4 mm)单色薄膜后栅型结构场致发射显示器并对其进行了场发射性能测试。实验表明,在栅压和阳压分别为140 V和2000 V,阴极和阳极的距离为1100μm时,薄膜后栅型SnO2场致发射显示器能实现全屏点亮,其器件的最大阳极电流为232μA,峰值亮度为270 cd/m2,稳定发射400 min,发射电流无明显衰减,表明器件场发射性能良好,具有潜在的应用前景。