射频负偏压与放电电流对cBN薄膜形成的影响

用ＡＲＥ（Ａｃｔｉｖｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ） 装置， 在Ｎ２／Ａｒ 混合等离子体弧光放电气氛下， 通过电子束蒸镀纯硼， 同时伴以一定能量的正离子轰击生长的膜表面的方法， 在单晶硅（１００） 基片上成功地合成了立方氮化硼（Ｃｕｂｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ ， 简称ｃＢＮ） 薄膜， 并对基片射频自偏压和等离子体弧光放电电流对ｃＢＮ 膜形成的影响进行了研究。用富立叶变换红外（ＦＴＩＲ） 透射谱和ＡＥＳ对沉积的膜进行相结构和化学成分分析。ＦＴＩＲ 透射谱表明， 在波数约１ ０６０ｃｍ － １ 处， 存在很强的ｃＢＮ 的吸收峰。随基片所加射频负偏压及等离子体弧光放电电流的增大， 膜中的ｃＢＮ 含量增大； 当射频偏压为－ ２００ Ｖ， 放电电流为１５ Ａ 时， 沉积的膜为单相ｃＢＮ 膜。ＡＥＳ 的成分深度分布表明，ｃＢＮ 膜中的Ｂ， Ｎ