期刊文献+
共找到11篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Microstructure of flow pattern defects in boron-doped Czochralski-grown silicon 被引量:1
1
作者 LIU Caichi HAO Qiuyan +5 位作者 ZHANG Jianfeng TENG Xiaoyun Sun Shilong Qigang Zhou WANG Jing XIAO Qinghua 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第4期389-392,共4页
The morphology and microstructure of flow pattern defects (FPDs) in lightly boron-doped Czochralski-grown silicon (Cz-Si) crystals were investigated using optical microscopy and atomic force microscopy. The experi... The morphology and microstructure of flow pattern defects (FPDs) in lightly boron-doped Czochralski-grown silicon (Cz-Si) crystals were investigated using optical microscopy and atomic force microscopy. The experimental results showed that the morphology of FPDs was parabola-like with several steps. Single-type and dual-type voids were found on the tip of FPDs and two heaves exist on the left and right sides of the void. All the results have proved that FPDs were void-type defects. These results are very useful to investigate FPDs in Cz-Si wafers further and explain the annihilation of FPDs during high-temperature annealing. 展开更多
关键词 flow pattern defects grown-in defects atomic force microscopy Czochralski-grown silicon
下载PDF
Microstructure of flow pattern defects in boron-doped Czochralski-grown silicon
2
作者 LIU Caichi HAO Qiuyan +5 位作者 ZHANG Jianfeng TENG Xiaoyun Sun Shilong QigangZhou WANG Jing XIAO Qinghua 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期793-793,共1页
The morphology and microstructure of flow pattern defects (FPDs) in lightly boron-doped Czochralski-grown silicon (Cz-Si) crystals were investigated using optical microscopy and atomic force microscopy. The experiment... The morphology and microstructure of flow pattern defects (FPDs) in lightly boron-doped Czochralski-grown silicon (Cz-Si) crystals were investigated using optical microscopy and atomic force microscopy. The experimental results showed that the morphology of FPDs was parabola-like with several steps. Single-type and dual-type voids were found on the tip of FPDs and two heaves exist on the left and right sides of the void. All the results have proved that FPDs were void-type defects. These results are very useful to investigate FPDs in Cz-Si wafers further and explain the annihilation of FPDs during high-temperature annealing. 展开更多
关键词 流态缺陷 微观结构 原子力显微镜方法 硼掺杂 直拉法单晶硅 晶体生长
下载PDF
快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响 被引量:1
3
作者 张建强 刘彩池 +5 位作者 周旗钢 王敬 郝秋艳 孙世龙 赵丽伟 滕晓云 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期73-77,共5页
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2... 研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度. 展开更多
关键词 CZSI 空洞型微缺陷 流动图形缺陷 快速热处理 MDZ
下载PDF
Plastic flow pattern and its effect in friction stir welding of A2024 and A1060
4
作者 王希靖 张忠科 +1 位作者 李晶 达朝炳 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2006年第A03期1336-1341,共6页
During the friction stir welding (FSW), the property of the welding joint is highly affected by the plastic and viscous flow behavior of the softened material. The flow pattern of the welded material was examined thro... During the friction stir welding (FSW), the property of the welding joint is highly affected by the plastic and viscous flow behavior of the softened material. The flow pattern of the welded material was examined through observing the microstrucrural distribution of friction stir welded joints between dissimilar 2024 and 1060 aluminum alloy. The experimental results show that the flow patterns of material at different locations in the weld are different and can be divided into four layers along the thickness direction: surface flow layer influenced by the shoulder of the tool, in which the material tends to flow as integrity; horizontal flow layer influenced by the surface flow layer, in which the material of surface flow layer enters and flows forwards under the advancing force of the tool; vertical flow layer (plastic flow area induced by stirring of the pin), in which the flow pattern is complex and onion rings can often be observed; unstirred bottom layer because of the length of the pin being shorter than the thickness of the plates. The effect of plastic flow on welding quality was further investigated. The study suggests that welding quantity is significantly influenced by the flow pattern and defects always appear in horizontally lamellar flow region because of the complex flow pattern. 展开更多
关键词 焊接工艺 金属加工 定位焊接 固相
下载PDF
Ar气氛下快速退火对CZ-Si单晶中FPD的影响
5
作者 乔治 李同锴 +2 位作者 刘彩池 冀建利 张彦立 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第8期691-693,共3页
将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火... 将Si片经Secco腐蚀液腐蚀,用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPD)的形貌、分布及结构进行了研究,对Si片进行了湿氧化处理并采用较新的快速退火方法(RTA),在Ar气氛下对Si片进行热处理,研究了退火温度和退火时间对FPD缺陷密度的影响。结果表明,FPDs缺陷在1100℃以下非常稳定;但是在1100℃以上的温度,尤其在1200℃对Si片进行RTA处理后,Si片中FPD的密度大大降低,而且随着的退火时间的延长,密度不断下降。 展开更多
关键词 快速退火 流动图形缺陷 空洞型缺陷
下载PDF
CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究 被引量:2
6
作者 乔治 刘彩池 +1 位作者 张彦立 史严 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期257-259,共3页
CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其... CZ-Si单晶中的流动图形缺陷(FPDs)是否属于空洞型缺陷,目前尚有争议。通过光学显微镜和原子力显微镜对其结构进行了细致地研究。实验发现,FPDs外形如抛物线,在硅片中呈内高外低分布,并且在其顶端附近还存在一单型或双型的八面体空洞,其尺寸、结构及类型与COPs、LSTDs缺陷都非常相似。所有这些都表明,FPDs为空洞型缺陷。本次实验结果将有助于对空洞型缺陷本性及其消除机制的进一步研究。 展开更多
关键词 CZ-SI 流动图形缺陷(fpds) 空洞型缺陷
下载PDF
快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响 被引量:1
7
作者 郝秋艳 乔治 +3 位作者 张建峰 任丙彦 李养贤 刘彩池 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期747-750,共4页
本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原... 本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2/O2(3%)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。 展开更多
关键词 快速退火 原生微缺陷 流动图形缺陷 原子力显微镜 直拉硅单晶片
下载PDF
搅拌摩擦焊接过程塑性流动形态与试验分析 被引量:4
8
作者 王训宏 王快社 +1 位作者 徐可为 胡锴 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期47-50,共4页
使用FLUENT流体工程仿真软件对搅拌摩擦焊缝金属的塑性流动进行数值模拟,初步得出搅拌摩擦焊焊缝塑性流体流动规律,并进行试验分析与验证。试验结果表明:随着距轴肩和搅拌针距离的增大,速度场开始减弱,焊缝金属由顶面向底面、由搅拌区... 使用FLUENT流体工程仿真软件对搅拌摩擦焊缝金属的塑性流动进行数值模拟,初步得出搅拌摩擦焊焊缝塑性流体流动规律,并进行试验分析与验证。试验结果表明:随着距轴肩和搅拌针距离的增大,速度场开始减弱,焊缝金属由顶面向底面、由搅拌区向旋转区的流动也随之减弱;水平方向计算结果与试验结果基本吻合。搅拌工具旋转速度是影响接头成型形貌的关键原因之一,速度过低有可能会导致隧道型孔洞缺陷。 展开更多
关键词 搅拌摩擦焊 流动形态 模拟 焊接参数 隧道型孔洞
下载PDF
硅中的缺陷和硅片热处理 被引量:3
9
作者 闵靖 邹子英 《上海有色金属》 CAS 2000年第4期171-176,共6页
本文评述了近年来着重研究的COP、LSTD、FPD和BMD等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷 ,提高GOI合格率的实验结果。研究表明 ,硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。
关键词 晶体原生颗粒缺陷 流动图形缺陷 硅片 热处理
下载PDF
掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
10
作者 韩海建 周旗钢 +1 位作者 戴小林 肖清华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期746-749,共4页
采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的vo... 采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小,氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大。 展开更多
关键词 300mm 流动图形缺陷 氧化诱生层错环 掺氮
下载PDF
高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响 被引量:3
11
作者 郝秋艳 刘彩池 +6 位作者 孙卫忠 张建强 孙世龙 赵丽伟 张建峰 周旗钢 王敬 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期4863-4866,共4页
对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并... 对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为. 展开更多
关键词 重掺锑硅单晶 快速退火(RTA) 流动图形缺陷(fpds) 空洞缺陷 快速退火工艺 硅单晶 微缺陷 掺锑 高温 图形
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部