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Threshold Current Characteristics of Intracavity-contacted Vertical-cavity Surface-emitting Laser
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作者 QUHong-wei GUOXia DONGLi-min DENGJun LIANPeng ZHOUDe-shu SHENGuang-Di 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2005年第2期81-84,共4页
Threshold current characteristics of intracavity-contacted oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser had been investigated in detail. Threshold current characteristics not only were depended on the size of... Threshold current characteristics of intracavity-contacted oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser had been investigated in detail. Threshold current characteristics not only were depended on the size of oxide-aperture, but also were also strongly affected by the mismatch of its lasing mode and gain peak. For the same degree detuning of the gain peak and lasing mode at room temperature, the threshold current was approximately proportional to the square of the oxide-aperture diameter of above 5μm. For the same oxide-aperture device, the larger the detuning degree of the lasing mode shifted to the shorter wavelength of the gain peak at room temperature was, the lower the minimum threshold current was. The wavelengths of the lasing mode and gain peak were ±N×10nm detuning at 300K, The temperature of the minimum threshold current was changed to be about ±N×40K(N real number). The calculated results were consistent with the experimental ones. 展开更多
关键词 VCSEL 极限电流 放大峰值 激光器
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2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究 被引量:2
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作者 安宁 刘国军 +5 位作者 刘超 李占国 刘鹏程 魏志鹏 方玄 马晓辉 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第2期205-208,212,共5页
为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力... 为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力。当条宽为120μm、腔长为1 000μm时,采用应变补偿量子阱结构的激光器的阈值电流为91mA,斜率效率为0.48W/A。与压应变量子阱激光器相比,器件性能得到明显的改善。 展开更多
关键词 InGaAsSb/AlGaAsSb 应变补偿 临界厚度 能带结构 增益 阈值电流
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考虑增益饱和及载流子复合效应优化设计多量子阱激光器 被引量:1
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作者 张晓霞 潘炜 +2 位作者 罗斌 吕鸿昌 陈建国 《铁道学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第1期110-113,共4页
采用光增益与载流子浓度的对数关系,在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子的复合项,通过适应于多量子阱激光器的速率方程,从理论上证明了对于短腔结构的激光器,阈值电流存在最小值。文中三种表述与阈值电流最小值对应的最... 采用光增益与载流子浓度的对数关系,在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子的复合项,通过适应于多量子阱激光器的速率方程,从理论上证明了对于短腔结构的激光器,阈值电流存在最小值。文中三种表述与阈值电流最小值对应的最佳阱数具有相同的表达式。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(阱数、腔长和反射率等)之间的依赖关系。结果表明减少激光器的腔长,提高反射率有利于降低阈值电流。这将对量子阱激光器的研究和优化器件结构有所裨益。 展开更多
关键词 量子阱激光器 增益饱和 载流子复合 激光器
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780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器
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作者 曹玉莲 廉鹏 +5 位作者 王青 吴旭明 何国荣 曹青 宋国峰 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1621-1624,共4页
采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH)的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长.在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(Incarry-o... 采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH)的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长.在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(Incarry-overeffect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量.器件的阈值电流从界面改善前的560mA减小到改善后的450mA,斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A,特别是单面最大输出功率已经从370mW增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA上升为1820mA. 展开更多
关键词 InGaP/AlGaAs 界面 增益 阈值电流 激光器
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量子阱激光器的阈值电流与腔长关系
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作者 段天利 崔碧峰 +1 位作者 王智群 沈光地 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期165-168,共4页
一般激光器的阈值电流会随着腔长增加而增大,但是最近发现单量子阱激光器的阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。造成这样现象的原因是由于激光器有源区不掺杂和采用了线形渐变折射率导引机制的量子阱激光器结构,这样可以有效的减少载... 一般激光器的阈值电流会随着腔长增加而增大,但是最近发现单量子阱激光器的阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。造成这样现象的原因是由于激光器有源区不掺杂和采用了线形渐变折射率导引机制的量子阱激光器结构,这样可以有效的减少载流子泄漏和非辐射复合,因此激光器内损耗很小,阈值增益主要由腔面损耗决定,致使阈值电流在很大的腔长范围内保持恒定。 展开更多
关键词 阈值电流 内损耗 阈值增益
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垂直耦合腔面发射激光器阈值特性研究
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作者 罗广军 罗斌 +2 位作者 潘炜 卢静 李建平 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期616-619,共4页
为了研究垂直耦合腔面发射激光器(CC-VCSELs)阈值特性,利用传输矩阵法计算了其阈值载流子浓度,在此基础上结合载流子速率方程讨论了阈值电流,得到了CC-VCSELs的双阈值点(1mA,0.75mA)与阈值电流关系曲线。数值计算结果比较表明,利用传输... 为了研究垂直耦合腔面发射激光器(CC-VCSELs)阈值特性,利用传输矩阵法计算了其阈值载流子浓度,在此基础上结合载流子速率方程讨论了阈值电流,得到了CC-VCSELs的双阈值点(1mA,0.75mA)与阈值电流关系曲线。数值计算结果比较表明,利用传输矩阵与载流子速率方程相结合的方法研究CC-VCSELs的阈值特性优于速率方程法,且数值计算结果与实验结果相吻合。 展开更多
关键词 激光器 阈值电流 传输矩阵 反射增益
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双轴张应变对锗激光器工作性能的影响
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作者 李希越 李斌 XIA Guangrui 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第7期120-125,共6页
为探索锗激光器的性能优化方案,建立了基于双轴张应变的双异质结法布里-珀罗电激励式边缘发射锗激光器模型.通过该模型讨论了双轴张应变与最优掺杂密度的关系,分析了不同双轴张应变和掺杂条件下阈值电流密度、电光转换效率等激光器参数... 为探索锗激光器的性能优化方案,建立了基于双轴张应变的双异质结法布里-珀罗电激励式边缘发射锗激光器模型.通过该模型讨论了双轴张应变与最优掺杂密度的关系,分析了不同双轴张应变和掺杂条件下阈值电流密度、电光转换效率等激光器参数的变化.结果表明:最优掺杂密度随着双轴张应变的增大而减小,过高的掺杂则导致激光器工作性能的下降;在同等掺杂条件下,光增益以及增益的峰值波长会随着双轴张应变的增大而增大;与文献数据相比,在0.8%双轴张应变和对应的最优掺杂密度(8×1019cm-3)下,锗激光器的阈值电流密度降低至文献数据的1/10,电光转换效率提升了约10倍. 展开更多
关键词 锗激光器 双轴张应变 最优掺杂密度 光增益 阈值电流密度 电光转换效率
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InGaN量子阱激光器增益和阈值电流的理论计算 被引量:3
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作者 刘斌 邱荣生 方祖捷 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期1-6,共6页
根据现有的材料参数,计算了In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95N量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密度是GaAs材料的5倍以上,但其特征温度可接... 根据现有的材料参数,计算了In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95N量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密度是GaAs材料的5倍以上,但其特征温度可接近500K。 展开更多
关键词 量子阱激光器 增益计算 阈值电流
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