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新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路
被引量:
1
1
作者
王源
贾嵩
+2 位作者
张钢刚
陈中建
吉利久
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期400-404,共5页
提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路——栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构。相比传统级联二极管串(CDS)结构,新结构利用插入的SCR管减小了钳位电路的泄漏电流和导通电阻,提高了电路的抗ESD能力;利用栅控的PMOS管,提高了...
提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路——栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构。相比传统级联二极管串(CDS)结构,新结构利用插入的SCR管减小了钳位电路的泄漏电流和导通电阻,提高了电路的抗ESD能力;利用栅控的PMOS管,提高了维持电压,抑制了闩锁效应。0.35μm标准CMOS工艺流片结果表明,该结构泄漏电流为12 nA,抗ESD能力超过8 kV。
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关键词
静电泄放
gcscr-cds
泄漏电流
闩锁效应
下载PDF
职称材料
题名
新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路
被引量:
1
1
作者
王源
贾嵩
张钢刚
陈中建
吉利久
机构
北京大学微电子研究院
出处
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期400-404,共5页
文摘
提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路——栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构。相比传统级联二极管串(CDS)结构,新结构利用插入的SCR管减小了钳位电路的泄漏电流和导通电阻,提高了电路的抗ESD能力;利用栅控的PMOS管,提高了维持电压,抑制了闩锁效应。0.35μm标准CMOS工艺流片结果表明,该结构泄漏电流为12 nA,抗ESD能力超过8 kV。
关键词
静电泄放
gcscr-cds
泄漏电流
闩锁效应
Keywords
ESD
gcscr-cds
leakage current
latch-up effect
分类号
TM85 [电气工程—高电压与绝缘技术]
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路
王源
贾嵩
张钢刚
陈中建
吉利久
《北京大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
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