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新型低泄漏防闩锁ESD钳位保护电路 被引量:1
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作者 王源 贾嵩 +2 位作者 张钢刚 陈中建 吉利久 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期400-404,共5页
提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路——栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构。相比传统级联二极管串(CDS)结构,新结构利用插入的SCR管减小了钳位电路的泄漏电流和导通电阻,提高了电路的抗ESD能力;利用栅控的PMOS管,提高了... 提出了一种新型抗静电泄放(ESD)钳位保护电路——栅控可控硅级联二极管串(gcSCR-CDS)结构。相比传统级联二极管串(CDS)结构,新结构利用插入的SCR管减小了钳位电路的泄漏电流和导通电阻,提高了电路的抗ESD能力;利用栅控的PMOS管,提高了维持电压,抑制了闩锁效应。0.35μm标准CMOS工艺流片结果表明,该结构泄漏电流为12 nA,抗ESD能力超过8 kV。 展开更多
关键词 静电泄放 gcscr-cds 泄漏电流 闩锁效应
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