CaCu_3Ti_4O_(12)材料的研究现状

综述了研究CaCu_3Ti_4O_(12)材料反常巨介电特性的理论和实用意义。给出了CaCu_3Ti_4O_(12)结构示意图和X射线衍射(XRD)谱。评述了制备不同维度CaCu_3Ti_4O_(12)材料的常规制备方法、优缺点及低温下介电性能测定方法。从内禀和外赋的角度,分析了影响CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电特性的各种可能因素。指出了目前该材料研究需要解决的一些问题。

高介电材料CaCu_3Ti_4O_(12)的制备方法及性能研究

采用固相反应法制备实验所需的多晶样品,综述CaCu3Ti4O12材料反常巨介电特性的理论和实用意义,给出CaCu3Ti4O12的结构示意图和X射线衍射(XRD)谱,评述制备不同维度Ca-Cu3Ti4O12材料的常规制备方法、优缺点及低温下介电性能的测定方法。分析表明,烧成工艺、温度、内部阻挡层电容数目直接对CaCu3Ti4O12(CCTO)的相对介电常数产生影响。

KBT CuW铁电陶瓷晶粒异常生长和巨介电性能研究

为了探究Cu/W掺杂对K_(0.5)Bi_(4.5)Ti_(4)O_(15)(KBT)铁电陶瓷显微组织和介电性能的影响,文中采用固相反应法制备了K_(0.5)Bi_(4.5-x)Ti_(4-x)(Cu_(0.5)W_(0.5))_(2 x)O_(15)(KBT-CuW_(x),x分别为0.00,0.01,0.02,0.03)陶瓷。采用X射线衍射分析仪表征陶瓷的相结构,扫描电子显微镜分析陶瓷的显微组织形貌,利用精密阻抗分析仪测试室温下不同频率(100 Hz~107 Hz)的介电常数ε′和介电损耗tanδ,并测试不同温度(303~453 K)下的阻抗谱,最后利用Arrhenius公式计算得到KBT-CuW陶瓷电导率和温度关系。研究结果表明:KBT-CuW陶瓷为正交相结构并且伴有异常长大的晶粒出现;随着Cu^(2+)和W^(6+)含量的增加,陶瓷中大晶粒尺寸逐渐减小,数量逐渐增加,其介电常数显著提高,x=0.03陶瓷在100 Hz下介电常数达到了106;KBT-CuW陶瓷的低频巨介电响应与异常长大晶粒引起的缺陷偶极子和界面响应有关。