研究Ta掺杂六方相氧化钨(hex-WO_3)材料在吸附Sr^(^(2+))过程中其表面zeta电位的变化情况,并进一步探讨了吸附过程的热力学及吸附机理。结果表明:(1)在实验pH值范围内,Ta掺杂hex-WO_3悬浮液的zeta电位值随溶液中电解质的价态增大而增大;...研究Ta掺杂六方相氧化钨(hex-WO_3)材料在吸附Sr^(^(2+))过程中其表面zeta电位的变化情况,并进一步探讨了吸附过程的热力学及吸附机理。结果表明:(1)在实验pH值范围内,Ta掺杂hex-WO_3悬浮液的zeta电位值随溶液中电解质的价态增大而增大;(2)且zeta电位随体系中离子强度的增加而增大;(3)Ta掺杂hexWO_3对Sr^(2+)的吸附容量随着温度降低而增大,随着离子强度的增加而减少;(4)吸附过程的吸附焓为-47 k J?mol^(-1),且Sr^(2+)离子与材料表面之间主要为化学相互作用;(5)Ta掺杂hex-WO_3对Sr^(2+)吸附过程主要为材料表面吸附及材料孔道内离子交换共同作用。展开更多
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文摘研究Ta掺杂六方相氧化钨(hex-WO_3)材料在吸附Sr^(^(2+))过程中其表面zeta电位的变化情况,并进一步探讨了吸附过程的热力学及吸附机理。结果表明:(1)在实验pH值范围内,Ta掺杂hex-WO_3悬浮液的zeta电位值随溶液中电解质的价态增大而增大;(2)且zeta电位随体系中离子强度的增加而增大;(3)Ta掺杂hexWO_3对Sr^(2+)的吸附容量随着温度降低而增大,随着离子强度的增加而减少;(4)吸附过程的吸附焓为-47 k J?mol^(-1),且Sr^(2+)离子与材料表面之间主要为化学相互作用;(5)Ta掺杂hex-WO_3对Sr^(2+)吸附过程主要为材料表面吸附及材料孔道内离子交换共同作用。
