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808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计 被引量:4
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作者 套格套 路国光 +3 位作者 尧舜 宁永强 刘云 王立军 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期778-780,784,共4页
推导出半导体激光器前腔面和后腔面上的入射激光功率之比,阐述了后腔面膜电场强度优化设计的重要性。从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上,选择适合制备808 nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料。给出了镀制腔面膜过程中会出现的种... 推导出半导体激光器前腔面和后腔面上的入射激光功率之比,阐述了后腔面膜电场强度优化设计的重要性。从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上,选择适合制备808 nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料。给出了镀制腔面膜过程中会出现的种种关键问题的解决方法,针对各种具体应用提出几种前腔面设计方案。得到后腔面电场强度优化设计的膜系。 展开更多
关键词 大功率半导体激光器 电场强度优化设计 腔面膜
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半导体激光器腔面镀膜研究 被引量:1
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作者 吴根柱 齐鸣 +2 位作者 何友军 张永刚 李爱珍 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期203-205,共3页
从理论和实验两方面研究了半导体激光器腔面功率增强膜的镀制方法,得到一些新的镀膜设计方案,改善了传统半导体激光器腔面镀膜工艺。
关键词 端面反射率 减反射膜 高反射膜 行波速率方程
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腔面镀膜分布反馈量子级联激光器 被引量:2
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作者 魏林 李耀耀 +2 位作者 李爱珍 徐刚毅 张永刚 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期233-237,共5页
报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果。与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%。通过对比... 报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果。与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%。通过对比镀膜和未镀膜器件的阈值电流密度,估算出器件的波导损耗约为7.25cm-1。 展开更多
关键词 分布反馈量子级联激光器 高反射率腔面镀膜
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