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Effect of High-fat Diet on Cholesterol Metabolism in Rats and Its Association with Na^+/K^+-ATPase/Src/pERK Signaling Pathway 被引量:4
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作者 汪理 徐飞 +2 位作者 张学俊 金润铭 李欣 《Journal of Huazhong University of Science and Technology(Medical Sciences)》 SCIE CAS 2015年第4期490-494,共5页
Summary: Abnormal cholesterol metabolism is associated with an elevated risk of developing athero- sclerosis, hypertension, and diabetes etc. Na+/K+-ATPase was found to regulate cholesterol synthesis, distribution ... Summary: Abnormal cholesterol metabolism is associated with an elevated risk of developing athero- sclerosis, hypertension, and diabetes etc. Na+/K+-ATPase was found to regulate cholesterol synthesis, distribution and trafficking. This study aimed to examine the effect of high-fat diet on cholesterol me- tabolism in rats and the role of Na+/K+-ATPase/Src/ERK signaling pathway in the process. Forty male SD rats were evenly divided into high-fat diet group and control group at random. Animals in the former group were fed on high-fat diet for 12 weeks, and those fed on basic diet served as control. Blood lipids, including total cholesterol (TC), triglyceride (TG), high density lipoprotein-cholesterol (HDL-C), and low density lipoprotein-cholesteral (LDL-C) levels, were detected at 3, 6 and 12 weeks. The ratio of cholesterol content in cytoplasm to that in cell membrane was detected in liver tissues. RT-PCR and Western blotting were used to measure the expression of lipid metabolism-associated genes (HMG-CoA reductase and SREBP-2) after 12-week high-fat diet. Na+/K+-ATPase/Src/ERK signaling path- way-related components (Na+/K+-ATPase ctl, Src-PY418 and pERK1/2) were also measured by West- ern blotting. The results showed that the serum TC, TG, and LDL-C levels were significantly higher in high-fat diet group than those in control group, while the HDL-C level was significantly lower in high-fat diet group at 6 weeks (P〈0.01). High-fat diet led to an increase in the cholesterol content in the cytoplasm and cell membrane. The ratio of cholesterol content in cytoplasm to that in cell membrane was elevated over time. The expression of HMG-CoA reductase and SREBP-2 was significantly sup- pressed at mRNA and protein levels after 12-week high-fat diet (P〈0.05). Moreover, high-fat diet pro- moted the expression of Na+/K+-ATPase α1 but suppressed the phosphorylation of Src-PY418 and ERK1/2 at 12 weeks (P〈0.05). It was concluded that high-fat diet regulates cholesterol metabolism, and Na+/K+-ATPase signaling pathway is involved in the process possibly by regulating the expression of lipid metabolism-associated proteins HMG-CoA reductase and SREBP-2. 展开更多
关键词 Na+/K+-ATPase CHOLESTEROL high-fat diet lipid metabolism-associated genes Na+/K+-ATPase/Src/pERK signaling pathway
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MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述
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作者 吕品 白永臣 邱巍 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期24-32,共9页
随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面... 随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面层导致漏电流大、界面态密度高、击穿电压低等问题,回顾了最近论文报道的两种策略,即掺杂改性和插入缓冲层.接着举例讨论了Hf基材料从二元到掺杂氧化物/复合物的演变、非Si衬底上淀积Hf基高k栅介质、Hf基高k栅介质的非传统MOS器件结构,为集成电路(IC)中MOS器件的长期发展提供一些思路. 展开更多
关键词 Hf基高k材料 栅介质 MOS器件 介电常数
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WS_(2)场效应晶体管的表面电子掺杂
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作者 李海鸥 冯天旸 刘兴鹏 《桂林电子科技大学学报》 2024年第2期111-117,共7页
二硫化钨(WS_(2))属于过渡金属硫族化合物(TMDs)材料,具有较宽的可调带隙(1.3~2.1 e V),缺陷密度相对较低,且有超高的表面积比,可通过外界掺杂或相变处理来改善载流子传输性能,在低功耗场效应晶体管和超灵敏光电探测器等领域有广阔的应... 二硫化钨(WS_(2))属于过渡金属硫族化合物(TMDs)材料,具有较宽的可调带隙(1.3~2.1 e V),缺陷密度相对较低,且有超高的表面积比,可通过外界掺杂或相变处理来改善载流子传输性能,在低功耗场效应晶体管和超灵敏光电探测器等领域有广阔的应用前景。采用微机械剥离的方法将多层WS_(2)薄膜转移到氧化铪(HfO2)介质层上,制备出具有高栅控、低功耗的WS_(2)背栅场效应晶体管,通过注入三乙胺(TEA)实现WS_(2)薄膜的表面电子掺杂。实验结果表明,修饰后的多层WS_(2)薄膜的面内振动模式有轻微位移,拉曼特征峰强度变弱,证明三乙胺溶液能有效增加WS_(2)薄膜内的电子浓度;薄膜与金属电极之间的欧姆接触良好,器件的电子迁移率由10.87 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)提升到24.89 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),室温下的电流开关比保持在106,亚阈值摆幅为190.11 m V/dec。结合理论分析TEA对WS_(2)原子薄层的掺杂机理,TEA通过表面电荷转移的方式来增加WS_(2)半导体内的电子浓度,完成WS_(2)背栅场效应晶体管的n型掺杂。器件较高的电流开关比及电子迁移率的提升证明了TEA的表面修饰能有效调控多层WS_(2)晶体管器件的电子传输特性。 展开更多
关键词 二硫化钨 high-K 三乙胺 背栅晶体管 电学性能
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高密度电阻率法在复杂岩溶地区的应用研究 被引量:1
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作者 李玉 陈宗清 +2 位作者 柳倩男 许文学 江巍 《工程勘察》 2024年第1期72-78,共7页
岩溶地区多存在塌陷安全隐患,严重影响工程建设及使用安全,因此准确探测岩溶的形态特征及填充性质在工程勘察中尤为重要。近年来,高密度电阻率法因其适应性强、采集效率高和显示直观的特点,已经成为岩溶探测的有效手段。本文引入反射系... 岩溶地区多存在塌陷安全隐患,严重影响工程建设及使用安全,因此准确探测岩溶的形态特征及填充性质在工程勘察中尤为重要。近年来,高密度电阻率法因其适应性强、采集效率高和显示直观的特点,已经成为岩溶探测的有效手段。本文引入反射系数K剖面法,通过分析其原理及发展,对比了与传统软件RES2DINV的处理效果。并以西南地区某机场工程为例,采用高密度电阻率法中不同装置类型、不同电极距对地下岩溶发育情况进行探测,通过对比分析得到适合该场区的探测方法和参数,同时结合钻孔资料进行综合解释,弥补由点到面的不足。通过本文的实践和验证,高密度电阻率法在复杂地形条件下探测岩溶发育有很好的反映,且斯伦贝谢装置的识别效果比温纳装置更佳,反射系数K剖面法处理后的剖面对岩溶形态特征刻画得更为清晰,为工程的后期勘察和资料处理以及防治措施提供了技术支撑,对于岩溶地区的地质勘察具有良好的应用和参考价值。 展开更多
关键词 岩溶 高密度电阻率法 反射系数K剖面法 斯伦贝谢装置
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TC11钛合金动态回复与动态再结晶高温本构模型研究
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作者 朱宁远 陈秋明 +1 位作者 陈世豪 左寿彬 《有色金属科学与工程》 CAS 北大核心 2024年第1期58-66,共9页
采用Gleeble-1500热模拟试验机在变形温度为900~1050℃、应变速率为0.1~10 s^(-1)的条件下,对TC11钛合金进行等温恒应变速率单轴压缩试验。组织观测结果表明,在热变形过程中,TC11钛合金存在明显的动态再结晶现象,变形温度分别为900℃和... 采用Gleeble-1500热模拟试验机在变形温度为900~1050℃、应变速率为0.1~10 s^(-1)的条件下,对TC11钛合金进行等温恒应变速率单轴压缩试验。组织观测结果表明,在热变形过程中,TC11钛合金存在明显的动态再结晶现象,变形温度分别为900℃和950℃时,再结晶晶粒尺寸随应变速率增加而先增大后减小;变形温度分别达1000℃和1050℃时,α相含量大量减少,组织演变中动态再结晶机制占主导,晶粒细化明显。为研究此现象对流变行为的影响,结合K-M位错密度模型与动态再结晶分数模型,建立了基于动态回复与动态再结晶现象的流动应力高温本构模型。将此本构模型预测结果与试验数据对比分析,相关性系数和平均相对误差分别为0.989和6.53%,表明所构建的考虑动态回复与动态再结晶的流动应力模型能够准确预测TC11钛合金热变形条件下的流动应力。 展开更多
关键词 TC11钛合金 动态回复 动态再结晶 高温本构模型 K-M位错密度模型
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High-k材料研究进展与存在的问题 被引量:3
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作者 杨雪娜 王弘 +4 位作者 张寅 姚伟峰 尚淑霞 周静涛 刘延辉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期731-735,共5页
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基... 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这就要综合考虑以下几个方面问题:(1)介电常数和势垒高度;(2)热稳定性;(3)薄膜形态;(4)界面质量;(5)与Si基栅兼容;(6)工艺兼容性;(7)可靠性。本文综述了几类High-k栅介质材料的研究现状及存在的问题。目前任何一种有望替代SiO2的栅介质材料都不能完全满足上述几点要求。但是,科学工作者们已经发现了几种有希望的High-k候选材料。 展开更多
关键词 high-k材料 介电常数 势垒高度 热稳定性 薄膜形态 界面质量 栅介质材料 半导体材料
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TiO_2/Al_2O_3堆栈结构high-k薄膜的制备及性能 被引量:1
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作者 凌惠琴 丁冬雁 +2 位作者 周晓强 李明 毛大立 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期326-329,共4页
采用磁控溅射法制备了TiO_2/Al_2O_3堆栈结构高k栅介质薄膜,研究了不同后处理条件对等效氧化物厚度,界面电荷和界面扩散的影响。实验结果表明:400℃退火后,TiO_2已经结晶,退火可以降低漏电流密度和介电层中的电荷密度。同时,退火使Ti进... 采用磁控溅射法制备了TiO_2/Al_2O_3堆栈结构高k栅介质薄膜,研究了不同后处理条件对等效氧化物厚度,界面电荷和界面扩散的影响。实验结果表明:400℃退火后,TiO_2已经结晶,退火可以降低漏电流密度和介电层中的电荷密度。同时,退火使Ti进一步向Al_2O3层扩散,形成TiO_2和Al_2O_3的混合层,Al_2O_3层过薄时不能有效阻挡TiO_2的扩散。 展开更多
关键词 TiO2/Al2O3 堆栈结构 high-K 界面层
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U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS
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作者 钱图 代红丽 +1 位作者 周春行 陈威宇 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期110-115,共6页
近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场... 近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场板的新型结构。与传统沟槽LDMOS相比,垂直场板和高K介质膜充分地将电势线引导至沟槽中,提高了击穿电压。此外垂直场板与高K介质和漂移区形成的MIS金属-绝缘层-半导体电容结构能增加漂移区表面的电荷量,降低比导通电阻。通过二维仿真软件,在7.5μm深的沟槽中引入宽0.3μm、深6.8μm的垂直场板,实现了具有300 V的击穿电压和4.26 mΩ·cm^(2)的比导通电阻,以及21.14 MW·cm^(-2)的Baliga品质因数的LDMOS器件。 展开更多
关键词 LDMOS 高K介质 垂直场板 击穿电压 比导通电阻
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High-k材料MOS器件的PISCES-II模拟 被引量:1
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作者 陈震 向采兰 余志平 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第3期65-67,72,共4页
High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对S... High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 展开更多
关键词 high-k材料 MOS器件 PISCES-Ⅱ模拟 隧道击穿 MOSFET器件
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不同温度型小麦K^+吸收动力学特征及其盐胁迫效应 被引量:2
10
作者 张纪涛 韩坤 +1 位作者 王林权 李翠 《植物营养与肥料学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期1-9,共9页
本试验采用吸收动力学方法结合药理学方法,研究了NR9405(暖型)、小偃六号(中间型)、RB6和陕229(冷型)等4种不同温度型小麦幼苗(14 d)K+的高亲和和低亲和吸收特征。结果表明:1)在0~50mmol/L的K+浓度范围内,K+吸收可分为0~1和1~50mmol/... 本试验采用吸收动力学方法结合药理学方法,研究了NR9405(暖型)、小偃六号(中间型)、RB6和陕229(冷型)等4种不同温度型小麦幼苗(14 d)K+的高亲和和低亲和吸收特征。结果表明:1)在0~50mmol/L的K+浓度范围内,K+吸收可分为0~1和1~50mmol/L两个阶段,均可用米氏方程描述;2)对于高亲和吸收系统(0~1mmol/L),冷型小麦具有高的饱和吸收率Imax[42.46~43.12μmol/(h.g),RDW]和亲合系数Km(0.430~0.432mmol/L),暖型小麦(NR9405)和小偃六号具有较低的Imax[33.57~35.38μmol/(h.g),RDW]和Km(0.332~0.353mmol/L),抑制低亲和系统后增加了4种小麦的高亲和转运载体数量,降低了冷型小麦对K+的亲和力,但对NR9405和小偃六号的Km值影响较小;3)抑制高亲和吸收后,低亲和系统的Imax和Km均增加;4)在盐胁迫下,K+高亲和和低亲和吸收系统均受到抑制,小麦幼苗K+吸收能力均显著降低,暖型小麦NR9405和小偃六号的高亲和系统Km几乎不受盐胁迫的影响,而冷型小麦的Km值因盐胁迫而降低。因此,在盐胁迫下高亲和吸收系统的稳定性可能是影响暖型小麦耐盐性的一个重要因素。这对小麦耐盐性研究及耐盐品种选育均具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 Na+胁迫 K+吸收动力学 K+高亲和吸收 K+低亲和吸收 温度型小麦
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基于角度的图神经网络高维数据异常检测方法
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作者 王俊 赖会霞 +1 位作者 万玥 张仕 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第3期156-165,共10页
在高维数据空间中,数据大都处于高维空间边缘且分布十分稀疏,由此引起的“维度灾难”问题导致现有异常检测方法无法保证异常检测精度。为解决该问题,提出一种基于角度的图神经网络高维数据异常检测方法A-GNN。首先通过数据空间的均匀采... 在高维数据空间中,数据大都处于高维空间边缘且分布十分稀疏,由此引起的“维度灾难”问题导致现有异常检测方法无法保证异常检测精度。为解决该问题,提出一种基于角度的图神经网络高维数据异常检测方法A-GNN。首先通过数据空间的均匀采样和初始训练数据的扰动来扩充用于训练的数据;然后利用k近邻关系构造训练数据的k近邻关系图,并以k近邻元素距离加权角度的方差作为近邻关系图节点的初始异常因子;最后通过训练图神经网络模型,实现节点间的信息交互,使得相邻节点能够互相学习,从而进行有效的异常评估。在6个自然数据集上将A-GNN方法与9种典型异常检测方法进行实验对比,结果表明:A-GNN在5个数据集中取得了最高的AUC值,其能够大幅提升各种维度数据的异常检测精度,在一些“真高维数据”上异常检测的AUC值提升达40%以上;在不同k值下与3种基于k近邻的异常检测方法相比,A-GNN利用图神经网络节点间的信息交互能有效避免k值对检测结果的影响,方法具有更强的鲁棒性。 展开更多
关键词 异常检测 基于角度的异常评估 图神经网络 高维数据 K近邻
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盐响应信号途径SOS与植物K^+吸收关系 被引量:1
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作者 陈丹丹 陈明 +4 位作者 薛飞洋 徐兆师 李连城 马有志 闵东红 《中国农业科学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第24期4967-4977,共11页
【目的】在盐胁迫条件下研究SOS突变体K+吸收的变化,旨在解析植物高盐胁迫响应与K+吸收的关系。【方法】以SOS信号途径的3个主要基因sos1、sos2、sos3突变体和野生型拟南芥(WT)为试验材料,在含有不同Na+/K+浓度比例的培养基上处理试验材... 【目的】在盐胁迫条件下研究SOS突变体K+吸收的变化,旨在解析植物高盐胁迫响应与K+吸收的关系。【方法】以SOS信号途径的3个主要基因sos1、sos2、sos3突变体和野生型拟南芥(WT)为试验材料,在含有不同Na+/K+浓度比例的培养基上处理试验材料,观察各突变体与WT的表型差异,进行根系扫描、测定植物的RGR(相对生长率),植株体内Na+、K+的含量,计算植株体内Na+/K+浓度比值,同时,利用qRT-PCR分析K+转运体基因AKT1、AKT2、SKOR在突变体和WT间的表达差异。【结果】不同浓度K+进行处理时,突变体和WT之间没有明显差异;在30 mmol.L-1NaCl处理下,植株形态、RGR和体内Na+/K+浓度比值,体内K+浓度的测定结果显示,当K+浓度从0.2 mmol.L-1增加到60 mmol.L-1时,K+浓度增加缓解了高盐胁迫对突变体生长的抑制作用。所有植株体内的Na+/K+值降低,体内K+浓度提高。在相同处理条件下,突变体的Na+/K+值高于WT,WT体内K+浓度高于突变体;当K+浓度升高到80 mmol.L-1时,突变体的生长又重新受到抑制。所有植株体内的Na+/K+值升高,体内K+浓度降低。3个K+转运体AKT1、AKT2、SKOR的real-time PCR分析结果显示,在30 mmol.L-1NaCl处理时,在低钾条件下(0.2 mmol.L-1K+)AKT1和SKOR表达比较低,而高钾条件下(20.05 mmol.L-1K+或者60 mmol.L-1K+)AKT1、AKT2、SKOR的表达量没有明显差异,这3个基因的表达方式在突变体之间没有明显的差异。【结论】在中度盐胁迫条件下,外界K+浓度增加可以缓解盐胁迫对植物生长造成的抑制作用,但是当外界一价阳离子的总浓度高于110 mmol.L-1时,拟南芥的生长重新受到抑制。SOS信号途径对植物K+吸收没有直接的调节作用。 展开更多
关键词 SOS途径 K^+离子吸收 高盐胁迫 NA^+ K^+浓度比值 K^+转运体
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小鼠脑组织高能X射线照射后K^+、Na^+、Ca^(2+)、LDH的变化 被引量:5
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作者 韦鹏翔 栾永昕 +5 位作者 刘宇 于波 许凯祥 王建中 陈炳桓 王春仕 《中国兽医学报》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期188-189,共2页
以150Gy高能X射线1次或分2次(每次75Gy,间隔24h)照射小鼠全脑,1周后处死小鼠,立即取出全脑称重(湿重)后测定。结果,1次与分2次照射,对脑组织靶区产生相同的放射生物学效应,即引起脑组织乳酸脱氢酶(LDH... 以150Gy高能X射线1次或分2次(每次75Gy,间隔24h)照射小鼠全脑,1周后处死小鼠,立即取出全脑称重(湿重)后测定。结果,1次与分2次照射,对脑组织靶区产生相同的放射生物学效应,即引起脑组织乳酸脱氢酶(LDH)活性和Na+、Ca2+含量明显升高(P<0.05或P<0.01),K+含量下降(P<0.05)。 展开更多
关键词 高能X射线 K^+ NA^+ CA^2+ LDH 脑组织
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维拉帕米、福司考林和克罗马卡林对高K^+及去甲肾上腺素预收缩血管舒张作用的比较 被引量:1
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作者 谢笑龙 黄燮南 文国容 《遵义医学院学报》 1998年第1期9-11,共3页
目的:比较3个作用机理不同的舒血管药在不同激动剂所致预收缩血管中的作用特点。方法:以高K+及去甲肾上腺素预收缩家兔主动脉条,观察维拉帕米、福司考林和克罗马卡林的舒血管特点。结果:维拉帕米对高K+收缩的舒张明显大于其对... 目的:比较3个作用机理不同的舒血管药在不同激动剂所致预收缩血管中的作用特点。方法:以高K+及去甲肾上腺素预收缩家兔主动脉条,观察维拉帕米、福司考林和克罗马卡林的舒血管特点。结果:维拉帕米对高K+收缩的舒张明显大于其对去甲肾上腺素预收缩血管的舒张作用,相反福司考林和克罗马卡林对去甲肾上腺素收缩的舒张远较其对高K+收缩的舒张作用为大。克罗马卡林对高K+预收缩血管的舒张作用比福司考林微弱得多。结论:维拉帕米、福司考林、克罗马卡林的舒血管效应各有其不同特点。为研究未知扩血管药的作用原理提供参考。 展开更多
关键词 维拉帕米 福司考林 克罗马卡林 去甲肾上腺素
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6 W@80 K空间同轴脉管制冷机设计与实验研究
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作者 王冲聪 庄昌佩 +4 位作者 闫春杰 罗新奎 许国太 何嘉华 屈方杰 《低温工程》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期1-7,43,共8页
针对某空间红外载荷需求,基于Sage平台搭建了同轴脉管制冷机整机模型,根据仿真结果对冷头结构参数进行了设计计算。在此基础上,利用实验方法探究了回热器填充方式、惯性管组合方式、充气压力、输入功率、冷头方向对制冷机性能的影响,并... 针对某空间红外载荷需求,基于Sage平台搭建了同轴脉管制冷机整机模型,根据仿真结果对冷头结构参数进行了设计计算。在此基础上,利用实验方法探究了回热器填充方式、惯性管组合方式、充气压力、输入功率、冷头方向对制冷机性能的影响,并与仿真结果比较,两者吻合度较高。研制成功的脉管制冷机整机质量为3.5 kg,输入功率150 W时,无负荷制冷温度为39.74 K,可获得7.23 W@80 K的冷量,整机相对卡诺效率13.26%,在空间用同轴脉管制冷机中处于先进水平。 展开更多
关键词 空间 80 K 同轴脉管 高效 制冷机
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28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
16
作者 方精训 姜兰 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第9期838-843,共6页
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe... 针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe区域。这意味着在相同的热预算条件下,PMOS的工艺窗口相较于NMOS会更狭窄。结合激光退火工艺特性,在首次扫描过程中,受降温阶段的影响,晶圆特定区域会累积额外热量,使得该区域热预算异常升高,镍硅化物产生异常,导致产品良率损失;当激光退火温度降低40℃,镍硅化物缺陷问题得以成功解决,产品良率也得到明显提升。 展开更多
关键词 镍硅化物 良率 激光退火 热预算 高介电常数金属栅(HKMG)
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离子色谱法(IC)测定高放废液中的Na^+,K^+离子 被引量:4
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作者 陈连仲 马桂兰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期23-26,共4页
应用离子色谱法测定高放废液中的Na^+和K^+离子。先以EDTA螯合树脂预处理柱,除去废液中的过渡金属和重金属离子,再用高效低容量离子交换树脂单柱离子色谱法分析测定Na^+、K^+离子。当Na^+和K^+离子含量为μg/ml水平时,方法精度好于5%。
关键词 离子色谱 高放废液 钠离子 钾离子
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异构并行计算下高维混合型数据聚类算法研究 被引量:2
18
作者 祝鹏 《现代电子技术》 北大核心 2024年第9期139-142,共4页
高维数据维度增加,数据空间的体积呈指数增长,容易陷入“维数灾难”,导致聚类算法执行效率低,为此,提出异构并行计算下高维混合型数据聚类算法。构建高维混合型数据相异度矩阵,提取高维混合型数据的统计序列特征值,利用时间窗口进行特... 高维数据维度增加,数据空间的体积呈指数增长,容易陷入“维数灾难”,导致聚类算法执行效率低,为此,提出异构并行计算下高维混合型数据聚类算法。构建高维混合型数据相异度矩阵,提取高维混合型数据的统计序列特征值,利用时间窗口进行特征优化。采用K⁃Prototypes聚类算法提取高维混合型数据的统计序列特征,评估数据与类中心的相异性,计算数据与类中心的欧氏距离,实现高维混合型数据聚类。采用异构并行计算技术进行高维混合型数据K⁃Prototypes聚类的并行化处理,合理分配CPU与GPU工作,达到CPU与GPU的工作负载平衡,提高K⁃Prototypes的聚类效率。实验结果表明,此算法对于高维混合型数据的聚类效果好、运行时间短、性能稳定。 展开更多
关键词 异构并行计算 高维混合型数据 K⁃Prototypes聚类算法 欧氏距离 统计序列特征 负载平衡
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连云港海相软土固结状态及地质成因
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作者 苟富刚 卢毅 +2 位作者 李明亮 陆徐荣 李进 《工程地质学报》 CSCD 北大核心 2024年第5期1509-1517,共9页
软土的固结状态是分析其沉降变形的一个重要指标。为了研究连云港海相软土的固结状态,进行了多组原位十字板剪切(FVT)试验、标准固结试验和金属基索状光缆的沉降监测。结果表明:由于表层作用,导致浅部和深部软土显示出不同的固结状态,... 软土的固结状态是分析其沉降变形的一个重要指标。为了研究连云港海相软土的固结状态,进行了多组原位十字板剪切(FVT)试验、标准固结试验和金属基索状光缆的沉降监测。结果表明:由于表层作用,导致浅部和深部软土显示出不同的固结状态,固结状态存在一个临界深度(5~6 m)。原位土抗剪强度与埋深的拟合曲线表明视超固结比(OCR_(1))大于1,但这包含了土体结构强度,不能反映土体在地质历史上曾经受过的最大有效应力,临界深度(5m)以上OCR_(1)平均值为1.74,临界深度以下OCR_1平均值为1.01,整体均为轻微超固结土。基于标准固结试验,采用塑状样试验数据计算临界深度以下软土超固结比(OCR_(2)),OCR_(2)小于1,表明其为欠固结土,在地质历史上所遭受的最大有效应力小于现在土体上覆有效应力。FVT试验得出的OCR_(1)值大于标准固结试验得出的OCR_(1),这与室内试验样的扰动和土体应力状态的改变有关,基于室内压缩试验的数据会低估OCR_(1)。基于金属基索状光缆的软土沉降监测数据在深度上的分布规律与软土OCR_(1)分布规律基本一致,OCR_(1)虽不是真正的超固结比,但这一指标直接与工程建设有关。 展开更多
关键词 先期固结压力 结构屈服强度 原位十字板试验 超固结比 高压固结试验 固结状态
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异质栅介质双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究
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作者 谭淏升 《上海电力大学学报》 CAS 2024年第1期45-50,共6页
采用异质栅介质结构,加入高k介质Pocket区,对双栅隧穿场效应晶体管进行了改进。通过搭建不同模型,分析了栅介质的长度、介电常数以及Pocket区厚度等参数对器件开态电流Ion、双极性特性、亚阈值摆幅等的影响。TACD仿真结果表明,Ion随介... 采用异质栅介质结构,加入高k介质Pocket区,对双栅隧穿场效应晶体管进行了改进。通过搭建不同模型,分析了栅介质的长度、介电常数以及Pocket区厚度等参数对器件开态电流Ion、双极性特性、亚阈值摆幅等的影响。TACD仿真结果表明,Ion随介电常数的增大可提升至5.17×10-5A/μm,且双极性电流也有极大的增幅,亚阈值摆幅因开态电流的改善降低至28.3 mV/dec,而异质栅介质的不同长度对器件性能并无明显影响;在双极性上,Pocket区厚度的增加使得栅漏隧穿宽度增大,双极性电流减小至1.0×10-17A/μm,抑制了双极性导通,同时对器件其他特性未产生明显影响。 展开更多
关键词 异质栅介质 高k介质Pocket区 隧穿场效应晶体管 TCAD仿真
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