期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Feed Signal Influence and Potential Performances of a Compact Radiation Source Based on a Helical Antenna
1
作者 Laurent Pecastaing Marc Rivaletto +4 位作者 Antoine de Ferron Romain Pecquois René Vézinet Jean-Christophe Diot Stéphane Tortel 《Journal of Electromagnetic Analysis and Applications》 2015年第7期199-208,共10页
In the class of emerging high power electromagnetic sources, a complete pulsed power source, named MOUNA (French acronym of “Module Oscillant Utilisant une Nouvelle Architecture”) has been developed. This device mus... In the class of emerging high power electromagnetic sources, a complete pulsed power source, named MOUNA (French acronym of “Module Oscillant Utilisant une Nouvelle Architecture”) has been developed. This device must transmit waveforms with a wide frequency band and a high figure-of-merit. To improve the overall performance of the MOUNA system while maintaining its compact size, two approaches are being explored in the paper: the replacement of the dipole antenna by a helical antenna and its feeding signal influence. Helical antenna is cylindrical shape and relatively compact. It offers relatively good gain factor and directivity. The waveform delivered to the antenna is directly related to the amplitude of the radiated electric field. Therefore, different waveforms (step pulse, Gaussian pulse, bipolar pulse and damped sinusoid) are compared to point out the feed signal influence on the radiated electric field. Switch oscillators appear to be considered as interesting resonant sources for driving an antenna. The novel radiating source consists of a primary power source, a resonant transformer, a coaxial transmission line damped oscillator (also termed as coaxial resonator), and a helical antenna. This high voltage pulsed source is very compact (volume of only 2500 cc without the antenna). Our study aims at designing the antenna (number of turns, size…) and a coaxial damped oscillator directly implemented at the output of the transformer. A CST-based simulation is proposed to predict the performances of this wideband source. 展开更多
关键词 Pulse Transformer HELICAL Antenna COAXIAL DAMPED OSCILLATOR high Voltage peaking Switch electric field
下载PDF
高可靠性P-LDMOS研究 被引量:6
2
作者 孙智林 孙伟锋 +1 位作者 易扬波 陆生礼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1690-1694,共5页
分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响 ,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度 .模拟结果显示 ,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场 ,从而缓解沟道热载流子效应 ,提高 P- L DMOS的可靠性 .
关键词 LDMOS 沟道 峰值电场 热载流子效应
下载PDF
微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计 被引量:4
3
作者 薛舫时 《中国电子科学研究院学报》 2007年第5期456-463,共8页
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿... 在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。 展开更多
关键词 二维异质结构 HFET沟道中的强场峰 能带剪裁 极化电荷 电流崩塌
下载PDF
GaN HFET的性能退化 被引量:2
4
作者 薛舫时 《微纳电子技术》 CAS 2007年第11期976-984,1007,共10页
在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究了器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处。通过沟道中强电场和热电子分布的研究,完善了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型。使用这一... 在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究了器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处。通过沟道中强电场和热电子分布的研究,完善了热电子触发产生缺陷陷阱的器件退化模型。使用这一模型解释了实验中观察到的各类性能退化现象,指出优化设计异质结构可以有效减弱GaN HFET的性能退化。最后提出减弱器件性能退化的方法和途径。 展开更多
关键词 GaNHFET 性能退化 退化机理 沟道中的强场峰 热电子 能带剪裁 极化电荷 电流崩塌
下载PDF
GaN HFET沟道层中的慢输运电子态和射频电流崩塌 被引量:5
5
作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期205-210,共6页
从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中通过正常输运电子到慢电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为... 从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中通过正常输运电子到慢电子的转换过程解释了射频电流崩塌行为。沟道中的慢电子是产生射频电流崩塌的真正缘由。运用这一慢电子电流崩塌模型解释了目前用耗尽模型不能解释的大量实验结果。最后提出了通过异质结构优化设计来消除慢电子,解决电流崩塌难题的新途径。 展开更多
关键词 氮化镓异质结场效应管中的电流崩塌 沟道中的慢输运电子 电子输运过程中的状态转换 沟道强场峰的由来 射频电流崩塌
下载PDF
GaN HFET沟道中的强场峰和背势垒 被引量:1
6
作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期203-210,214,共9页
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、分析了目前国外用Silvaco有限元经典模拟软件计算的结果,发现... 研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、分析了目前国外用Silvaco有限元经典模拟软件计算的结果,发现这些理论计算的能带都向缓冲层末端倾斜,电子从沟道阱转移到缓冲层末端,不能用来研究上述课题和进行器件优化设计。提出了新的量子模拟理念,用沟道阱的量子限制解开了上述难题。量子模拟结果解释了上述课题的实验结果及其关联,有望从沟道强场峰和背势垒的相互作用研究中优化设计出高漏压工作的大功率、高效GaN HFET。 展开更多
关键词 氮化镓异质结场效应晶体管 沟道中的强场峰 背势垒 电流崩塌 场板电极 短沟道效应 源-漏穿通
下载PDF
p-GaN栅结构GaN HEMT的场板结构研究 被引量:1
7
作者 王立东 王中健 +1 位作者 程新红 万里 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期831-835,共5页
对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅高迁移率晶体管(HEMT)器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真。仿真结果表明,具有p-GaN栅的GaN HEMT器件阈值电压为1.5 V。采用栅极场板能缓解电场的集... 对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅高迁移率晶体管(HEMT)器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了仿真。仿真结果表明,具有p-GaN栅的GaN HEMT器件阈值电压为1.5 V。采用栅极场板能缓解电场的集中程度,当场板长度为5μm时,器件击穿电压达到1 100 V。间断型栅极场板能在场板间隙中产生新的电场峰值,更充分地利用漂移区耐压,器件的击穿电压可达到1 271 V。栅极场板与AlGaN势垒层的距离影响场板对漂移区电场的调控作用,当栅极场板下方介质层厚度为0.24μm时,器件的击穿电压可达1 255 V。 展开更多
关键词 ALGAN GaN异质结 高迁移率晶体管(HEMT) p-GaN栅 电场峰值 击穿电压 阈值电压
下载PDF
一种宽1dB增益带宽全介质Fresnel透镜天线 被引量:1
8
作者 王晨 彭麟 廖欣 《微波学报》 CSCD 北大核心 2022年第6期26-30,共5页
高增益和宽1 dB增益带宽天线具有重要意义。文中提出一种E波段全介质菲涅尔(Fresnel)波带透镜天线,它包括一个菲涅尔波带透镜以及一个作为馈源的喇叭天线。透镜对电场进行操控,使穿过透镜的电磁波相位变化满足需求,从而使透镜口径面处... 高增益和宽1 dB增益带宽天线具有重要意义。文中提出一种E波段全介质菲涅尔(Fresnel)波带透镜天线,它包括一个菲涅尔波带透镜以及一个作为馈源的喇叭天线。透镜对电场进行操控,使穿过透镜的电磁波相位变化满足需求,从而使透镜口径面处的电场分布更加均匀。与传统菲涅尔透镜的焦点电场相比,本透镜在焦点处的电场值约提高了1.6~3.0 V,说明透镜的聚焦特性提高,从而实现更高的增益和带宽。该透镜天线的口径为72 mm,整体剖面高度仅为52.47 mm,焦径比为0.66。透镜采用3D打印技术进行加工,降低了加工成本。与传统菲涅尔透镜相比,实测结果表明,该透镜天线在70 GHz峰值增益达到了27.5 dBi,1 dB增益带宽34.2%(63~89 GHz),占总带宽85.53%。 展开更多
关键词 菲涅尔透镜天线 焦点电场峰值 焦点位置 超宽带 高增益
下载PDF
综合物探在水库渗漏探测中的应用 被引量:31
9
作者 姚纪华 罗仕军 +3 位作者 宋文杰 刘媛 赵文刚 吕慧珠 《物探与化探》 CAS 北大核心 2020年第2期456-462,共7页
受右坝肩正断层F2的影响,某水库岩溶发育,一直存在渗漏问题,经多处防渗处理,问题依然存在且日趋严重。本文综合采用流场法、自然电场法、高密度电阻率法对该水库渗漏进行了探测。发现老隧洞封堵质量较差,存在渗漏问题,并导致其下游侧坝... 受右坝肩正断层F2的影响,某水库岩溶发育,一直存在渗漏问题,经多处防渗处理,问题依然存在且日趋严重。本文综合采用流场法、自然电场法、高密度电阻率法对该水库渗漏进行了探测。发现老隧洞封堵质量较差,存在渗漏问题,并导致其下游侧坝体集中渗漏和大面积散浸;大坝坝体中部存在从上游坝坡至下游渗漏通道,是坝体下游二级坝坡出现散浸的主要原因;大坝右岸低矮山体存在渗漏入口,并可能与下游山脚的泉水点相连通;大坝右坝肩F2断层带防渗性差,存在与下游断层露头集中渗漏点相通的渗漏通道。此次探测结果表明:综合物探法能较准确获得水库渗漏源、渗流通道等位置信息。 展开更多
关键词 渗漏探测 水库 流场法 自然电场法 高密度电阻率法 渗流通道
下载PDF
高场非对称波形离子迁移谱检测分析二氧化硫 被引量:2
10
作者 张永谦 高适 +4 位作者 张立功 马斌 李廷 王学峰 左国民 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期226-230,共5页
采用高场非对称波形离子迁移谱对二氧化硫进行分析检测,建立了动态气体浓度配气系统,考察了0. 025×10-6~7. 5×10-6范围内的FAIMS响应峰值、信噪比等信号参数,分析得出了二氧化硫在负模式下电离生成了一种产物离子(SO2)O2-(H2O... 采用高场非对称波形离子迁移谱对二氧化硫进行分析检测,建立了动态气体浓度配气系统,考察了0. 025×10-6~7. 5×10-6范围内的FAIMS响应峰值、信噪比等信号参数,分析得出了二氧化硫在负模式下电离生成了一种产物离子(SO2)O2-(H2O)n-1,且峰值随浓度增大先增大后逐渐饱和,其中分离电场为45%时SO2产物离子峰峰值与浓度呈一定线性,线性方程为y=0. 793 3x+0. 059 2,线性回归率为0. 971,FAIMS对二氧化硫的检测下限为3. 5×10-9,证实了FAIMS灵敏度高的特性,并且可以对物质进行定量和半定量检测,对危险化学品事故应急侦检具有指导意义。 展开更多
关键词 高场非对称波形离子迁移谱 二氧化硫 响应峰值 分离电场 灵敏度
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部