Performance of High Indium Content InGaAs p-i-n Detector: A Simulation Study

In this work, we investigate the performance of InGaAs p-i-n photodetectors with cut-off wavelengths near 2.6 μm. The influences of different substrate materials on the optoelectronic properties of InGaAs detector are also compared and discussed. GaAs-based device shows a significant enhancement in detector with a better performance for a InGaAs photodetector compared to InP- based device. In addition, our results show that the device performance is influenced by the conduction band offset. This work proves that InAlAs/InGaAs/GaAs structure is a promising candidate for high performance detector with optimally tuned band gap.

Structure optimization of high indium content InGaAs/InP heterostructure for the growth of In_(0.82)Ga_(0.18)As buffer layer

Microstructure and misfit dislocation behavior in In_xGa_(1-x)As/InP heteroepitaxial materials grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition(LP-MOCVD) were analyzed by high resolution transmission electron microscopy(HRTEM), scanning electron microscopy(SEM), atomic force microscopy(AFM), Raman spectroscopy and Hall effect measurements. To optimize the structure of In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP heterostructure, the In_xGa_(1-x)As buffer layer was grown. The residual strain of the In_(0.82)Ga_(0.18)As epitaxial layer was calculated. Further, the periodic growth pattern of the misfit dislocation at the interface was discovered and verified. Then the effects of misfit dislocation on the surface morphology and microstructure of the material were studied. It is found that the misfit dislocation of high indium(In) content In_(0.82)Ga_(0.18)As epitaxial layer has significant influence on the carrier concentration.

Na_(2)EDTA滴定法测定钪含量

研究了测定浸出富集渣(钒钛磁铁矿尾渣在湿法冶金工艺流程的提取富集物)及高含量三氧化二钪中钪的Na_(2)EDTA络合滴定方法。对测定体系中的各干扰元素镓、铝、锡、钼、钨、钒、铁、铜、锆、镍和钛进行试验研究。研究了测定方法的各项测定条件。方法的相对标准偏差为0.088%~0.122%,标准样品加标回收率在99.90%~100.13%之间,方法精密度高,准确度好。测定范围:Sc_(2)O_(3)5.00%~99.00%,应用于湿法冶金在工业废料钒钛磁铁矿尾渣中提取钪时,对浸取富集后三氧化二钪的系列测定效果良好。

采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)

利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.

含铟高铁闪锌矿的活化

研究文山都龙矿区含铟和银、高铁闪锌矿粗选时硫酸铜用量和活化时间以及混合用药的作用效果。结果表明,混合用药活化效果明显优于单一用药,CuSO4∶X-1用量比为400g/t∶800g/t,锌精矿锌品位和回收率分别达到42.27%和92.03%,锌品位提高1.8%,锌回收率提高16.85%。

火焰原子吸收法测定高铁闪锌矿中铟含量的测量条件选择与优化

针对高铁闪锌矿组成复杂、矿石中低含量铟的测定干扰因素多的情况,对火焰原子吸收光谱法测定高铁闪锌矿中铟含量的仪器工作条件、酸性介质及其浓度等影响因素进行了试验研究。结果表明:在波长为303.94nm,采用空气-乙炔火焰,燃烧器狭缝长度为100mm、宽度为0.4mm,试液进样量6mL/min的情况下,仪器最佳工作条件为:灯电流5mA;燃烧器高度7cm,乙炔流量1.8~2.0L/min,空气流量6.0L/min,待测样品最佳酸性介质为体积分数为10%的硝酸介质。

高铟高铁硫化锌精矿冶炼工艺探讨

介绍了高铟高铁硫化锌精矿的常用湿法冶炼工艺及工艺特点。指出热酸浸出-赤铁矿工艺是目前处理此类精矿的最佳工艺,使用该工艺流程,有价金属锌、铟回收率高,主要杂质元素铁以赤铁矿的形式得以资源化利用,实现了"无废渣"冶炼。

共振隧穿型太赫兹波振荡器设计

本文设计的RTD结构,采用目前最新的发射极渐变In含量(GE)结构和集电区隔离层与势垒层之间的高In过渡层(HITL)结构,同时对发射区和集电区进行重掺杂。发射极设计面积为1μm2至几μm2的情况下,通过基于非平衡格林函数法的量子输运模拟器WinGreen模拟,将势阱厚度从4.5nm降低到4nm,峰值电流密度JP从13mA/μm2达到43mA/μm2,输出功率从235μW达到2.625mW。阵列型RTO可实现功率合成,使RTO的功率再增加一个数量级,达到毫瓦甚至几十毫瓦。同时建立包含各种寄生参数的等效电路模型,通过PSPICE工具仿真,得到振荡频率可达1.78THz的仿真结果。

电解精炼法制备高纯铟

以4N精铟为原料,采用铟电解精炼法提纯制备高纯铟。设计了以铟离子浓度、Na Cl浓度、电解液pH值以及电流密度为实验因素的L9(34)正交试验,获得了铟电解精炼较优工艺参数条件。结果显示,当铟离子浓度为70 g/L、Na Cl浓度为60 g/L、电解液pH值为1. 5、电流密度为65 A/m2时,样品的电解精炼效果最好,铟含量达到99. 999 8%以上,其他杂质达到5N高纯铟YS/T 264—2012的标准。

高铅硅锌渣绿色回收锗铟的新工艺研究

针对锌渣中铅、硅含量高的特点,采用中性浸锌—二段氧压浸出—一段萃取提铟—钙盐蒸馏提锗工艺,锗、铟回收率分别达到93.2%和95.6%,是一个安全、绿色、高效、经济型新工艺。

铟电解提纯中明胶的影响

研究了铟电解提纯中明胶对阴极过电位、槽电压、阴极铟表面质量、杂质含量的影响。实验结果表明,加入明胶可以增加阴极过电位,细化晶粒,抑制阴极尖端晶粒生长,得到光滑、致密的阴极铟,降低杂质含量,同时增大槽电压;在铟的电解过程中,明胶加入量为1 g/L时,可以获得光滑、平整的阴极铟,总杂质含量低,达到YS/T 264-2012高纯铟In-05标准。

高铟高铁多金属锌精矿冶炼工艺浅谈与展望

本文对高铟高铁多金属锌精矿的现有冶炼工艺进行了综述，也对可能存在的工艺改进进行了分析，并对熔池还原熔炼技术处理高铟高铁多金属锌精矿进行了展望。

高纯无水InCl_3制备工艺的研究

为了寻求高纯无水InCl_3的最佳制备工艺,提高高纯无水InCl3,的纯度、减少其含水量以及降低生产成本,以金属铟和氯气作为原料,采用金属铟直接氯化法制备高纯无水InCl_3,分析不同温度、时间下产物的转化率及铟含量,确定最佳反应条件。试验表明,加热至650℃反应时间为3 h时,可以生产出纯度为99.9%的高纯无水InCl_3,其产率可达94.1%。由此说明,用金属铟直接氯化法可以制得高纯无水InCl_3,并可运用于实际生产。