化学气相沉积法制备Ta_2O_5薄膜的研究进展

Ta2O5是重要的介电材料和光波导材料。从前驱体的选择方面综述了化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展,说明了五卤化钽和Ta金属有机化合物对CVD过程的影响,对这两类前驱体的优缺点进行了比较和评述,讨论了Ta2O5的生成机理,并对其发展方向作了简要的展望。

γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长

本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；平移样品，图样并不发生变化．Ｘ射线双晶衍射看到，除了硅的（４００）峰和（２００）峰以外，只在２θ为４５°处有一个低而宽的小峰．ＸＰＳ谱给出氧的１ｓ峰位为５３２．３ｅＶ，Ａｌ的２ｐ峰位为７５．４ｅＶ，将他们与α－Ａｌ２Ｏ３比较，对应峰位移动了约３．５ｅＶ．俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ－Ａｌ２Ｏ３．说明在我们实验室里确实长出单晶γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜，与衬底的结晶关系是（１００）γ－Ａｌ２Ｏ３／／（１００）Ｓｉ，［０１０］γ－Ａｌ２Ｏ３／／［０１０］Ｓｉ．

GaN的MOCVD生长

ＧａＮ是重要的蓝光半导体材料．我们以ＴＭＧａ和ＮＨ３为源在（０１１２）α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功的用ＭＯＣＶＤ方法生长了ＧａＮ外延层，研究了ＧａＮ的表面形貌与结晶学、电学和光学特性．ＧａＮ（２１１０）面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达１６＇．并观测到ＧａＮ所发出的紫外和可见光波段的阴极荧光．

金属有机配合物-硫脲硫酸锌晶体的生长探索

采用水溶液法生长了多块厘米级金属有机配合物ZTS晶体,其中最大尺寸者达1.5cm×3.2cm×3.0cm。所得晶体无色透明,外形较完整,由10个单形、共22个晶面组成,在大气中能够长期稳定存在。该晶体在水中溶解度和溶解度温度系数都较小,在水溶液中生长其晶体以降温和蒸发相结合的方法为宜。采用X射线单晶衍射法验证了所生长的晶体。测定了该晶体的红外光谱,发现该晶体在红外光区400-4000 cm^-1范围内有较多强吸收带。

几种MOCVD用挥发性β-二酮类金属螯合物的合成及初步研究

以丙酮为初级原科,逐步合成频那酮。三甲基乙酸,最后合成了β-二铜螯合剂DPM,红外光谱鉴定表明合成是成功的。以β-二酮类螯合剂AA,DPM,TFAA,及FOD与Y,Ba,Cu,Zr等中心原子合成了它们的螯合物。热重分析表明,螯合物的挥发性同配体的空间位阻及F代原子数目有关,配体的空间位阻越大,F代原子数目越多,则螯合物的挥发性越好;同时与中心原子的离子半经密切相关,中心原子的离子半经越小,则螯合物的挥发性越好。此外,对几种螯合物进行了质谱研究,以推测它们在plasma-MOCVD过程中的可能行为。

高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器

用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定批量生产能力，批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA，额定输出光功率不小于5mw，标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实用要求。

摩阻材料用耐高温酚醛树脂的研究

采用金属有机化合物封闭酚羟基，可提高酚醛树脂的耐热性。根据该原理采用本体法制得的改性酚醛树脂可很好地用于摩阻材料的生产中。

MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性

本文通过MOCVDGaInP的生长速率，组分In的气相分配比与生长温度的关系，较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究，并研究了低温GaInP缓冲层对高温GaInP外延生长的影响，根据GaInP的组分．随生长温度的变化关系，生长出质量较好的短波长Ga0.65In0.35P材料．

AlGaN肖特基势垒二极管的研制

为研制适合高温高压下工作的整流器件,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术生长的AlGaN/GaN/蓝宝石材料,采用电子束蒸发的方法,用Au和Ti/Al分别作为肖特基接触和欧姆接触的电极,制备了AlGaN肖特基二极管,并对其工艺过程和器件特性进行了研究.IV测试表明该AlGaN肖特基二极管具有明显的整流特性和较高的反向击穿电压(95V),理想因子为1.93.经300℃1min退火,该器件正、反向IV特性都得到明显改善.采用变温IV法对Au/AlGaN接触的肖特基势垒高度进行了标定,其势垒高度高达1.08eV,更适合在高压、大电流条件下工作.

用金属有机化合物制备铁电薄膜：工艺及进展

本文概述了以金属有机化合物为原料制备铁电薄膜的工艺过程、特点，以及最新研究进展；着重介绍了金属有机物化学气相沉积，金属有机物热分解，以及溶胶一凝胶三种制备技术在铁电薄膜制备领域中的应用。

Wade规则在稠合型硼烷等中的应用

本文把 Wade规则推广应用于稠合型硼烷和稠合型金属碳硼烷中 ,导出计算它们价电子数 (NVE)的公式。对于稠合型硼烷 ,本文公式与唐敖庆等的拓扑结构规则的计算结果相同。但本文公式的适用范围比上述两个规则广。

羰基化合物与烯丙型金属有机化合物的加成反应

介绍了某些烯丙型金属有机化合物与羰基化合物的加成反应 ,并通过反应历程予以说明 .

高效液相色谱和离子色谱在形态分析中的应用

本文综述了高效液相色谱（ＨＰＬＣ）和离子色谱（ＩＣ）在形态分析方面的应用，包含：元素的价态分析、有机金属化合物的形态确定、元素存在状态确定、对映体化合物的分离与鉴定。附参考文献１３３篇。

五烷氧基钽化合物的电化学合成及其应用性能研究

目的研究合成金属钽有机化合物的新方法。方法以金属钽为阳极,采用牺牲阳极的电化学法合成不同烷氧基的钽化合物,经过减压精馏得到高纯化合物。结果合成了3种不同烷氧基的钽化合物,利用红外光谱对产物进行了结构表征,发射光谱进行了杂质元素分析测试,产品纯度达99.995%。结论该方法具有反应条件温和、操作简便、易于纯化的优点,合成的高纯烷氧基钽可以有效改善不溶性阳极涂层的电化学性能和耐久性能,大大提高阳极的应用能力。

重油助燃添加剂的应用研究

就研制的助燃添加剂在重油燃烧过程中的应用，作了举例说明，试验证明冶金窑炉使用后节油率不低于５％，因此对节省燃油和改善燃烧工况具有良好的效果。

激光生物作用及其影响因子

本文对影响激光生物作用的因子进行了讨论。组织的吸收和散射、入射激光束的直径以及含色素组织的尺寸等因子决定了激光作用下组织中光能的沉积区域，短激光脉冲能在光能沉积区内产生最强的光热和光机械作用。在高强度激光的辐照下，组织焦斑的形成会改变光能沉积区，并改变激光生物作用效果。

MO-PECVD SnO_(2-x)气敏薄膜

以金属有机化合物(MO)四甲基锡[sn(CH_3)_4]为源物质,利用等离子体增强化学气相沉积技术,分别在单晶硅片、三氧化二铝陶瓷基片上淀积了纯净的SnO_(2-x)薄膜,对淀积的一些工艺条件,膜的结构、成分和薄膜元件的气敏性能进行了研究,并与普通PECVDSnO_(2-x)薄膜元件的气敏性能作了比较,对SnO_(2-x)膜的气敏机理作了探讨。

LP-MOVPE生长的1.3μm InGaAsP/InP张压应变交替MQW特性

本文在国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阶结构的研制过程及其材料的高精度X射线双晶摇摆衍射曲线和光致发光谱特性表征．在此材料基础之上制作的平面掩埋条形结构激光器经过双腔面镀增透射膜后，其TE模与TM模自发发射谱光强差为3dBm，呈现偏振补偿特性．

C-H键与金属有机化合物的交叉偶联研究进展

综述了近年来C-H键与金属有机化合物的交叉偶联研究进展。其中,C-H键主要涉及C(sp2)-H键和C(sp3)-H键,金属有机化合物主要涉及有机锡试剂、有机硅试剂、有机硼试剂及活泼金属有机试剂,反应催化体系主要涉及Ru、Rh、Pd等贵金属催化剂以及Fe、Co、Cu等非贵金属催化剂。

MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。