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Particle Swarm Optimization-Support Vector Machine Model for Machinery Fault Diagnoses in High-Voltage Circuit Breakers 被引量:10
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作者 Xiaofeng Li Shijing Wu +2 位作者 Xiaoyong Li Hao Yuan Deng Zhao 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第1期104-113,共10页
According to statistic data,machinery faults contribute to largest proportion of High-voltage circuit breaker failures,and traditional maintenance methods exist some disadvantages for that issue.Therefore,based on the... According to statistic data,machinery faults contribute to largest proportion of High-voltage circuit breaker failures,and traditional maintenance methods exist some disadvantages for that issue.Therefore,based on the wavelet packet decomposition approach and support vector machines,a new diagnosis model is proposed for such fault diagnoses in this study.The vibration eigenvalue extraction is analyzed through wavelet packet decomposition,and a four-layer support vector machine is constituted as a fault classifier.The Gaussian radial basis function is employed as the kernel function for the classifier.The penalty parameter c and kernel parameterδof the support vector machine are vital for the diagnostic accuracy,and these parameters must be carefully predetermined.Thus,a particle swarm optimizationsupport vector machine model is developed in which the optimal parameters c andδfor the support vector machine in each layer are determined by the particle swarm algorithm.The validity of this fault diagnosis model is determined with a real dataset from the operation experiment.Moreover,comparative investigations of fault diagnosis experiments with a normal support vector machine and a particle swarm optimization back-propagation neural network are also implemented.The results indicate that the proposed fault diagnosis model yields better accuracy and e-ciency than these other models. 展开更多
关键词 high-voltage circuit BREAKER MACHINERY fault diagnosis WAVELET PACKET decomposition Support vector machine
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A generalized Norde plot for reverse biased Schottky contacts
2
作者 Chin-Min Hsiung Chuen-Shii Chou Ting-Lung Chiang 《International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第1期54-58,共5页
When a metal makes intimate contact with a semiconductor material, a Schottky barrier may be created. The Schottky contact has many important applications in the integrated circuit (IC) electronics field. The parame... When a metal makes intimate contact with a semiconductor material, a Schottky barrier may be created. The Schottky contact has many important applications in the integrated circuit (IC) electronics field. The parameters of such contacts can be determined from their current-voltage (I-V) characteristics. The literature contains many proposals for extracting the contact parameters using graphical methods. However, such methods are generally applicable only to contacts with a forward bias, whereas many Schottky contacts actually operate un- der a reverse bias. Accordingly, the present study proposed a generalized reverse current-voltage (I-V) plot which enables the series resis- tance, barrier height, and ideality factor of a reverse biased Schottky contact to be extracted from a single set of I-V measurements. A theo- retical derivation of the proposed approach was presented and a series of validation tests were then performed. The results show that the pro- posed method is capable of extracting reliable estimates of the contact parameters even in the presence of experimental noise. 展开更多
关键词 semiconductor materials integrated circuits electric contacts reverse bias Schottky barriers
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A Subthreshold Low-Voltage Low-Phase-Noise CMOS LC-VCO with Resistive Biasing
3
作者 Jungnam Bae Saichandrateja Radhapuram +2 位作者 Ikkyun Jo Takao Kihara Toshimasa Matsuoka 《Circuits and Systems》 2015年第5期136-142,共7页
This paper presents a low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with top resistive biasing in subthreshold region. The subthreshold LC-VCO has low-power and low-phase-noise due to its high transconduct... This paper presents a low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with top resistive biasing in subthreshold region. The subthreshold LC-VCO has low-power and low-phase-noise due to its high transconductance efficiency and low gate bias condition. The top resistive biasing has more benefit with the feature of phase noise than MOS current source since it can support the low-noise characteristics and large output swing. The LC-VCO designed in 130-nm CMOS process with 0.7-V supply voltage achieves phase noise of -116 dBc/Hz at 200 kHz offset with tuning range of 398 MHz to 408 MHz covering medical implant communication service (MICS) band. 展开更多
关键词 VCO Resistive biasING Current Source CMOS Integrated circuit Phase Noise MICS Band
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SOFTWARE TOOLS FOR ANALYZING NBTI-INDUCED DIGITAL CIRCUIT DEGRADATION
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作者 Luo Hong Wang Yu +1 位作者 Luo Rong Yang Huazhong 《Journal of Electronics(China)》 2009年第5期715-719,共5页
As semiconductor manufacturing migrates to more advanced technology nodes, accelerated aging effect for nanoscale devices poses as a key challenge for designers to find countermeasures that effectively mitigate the de... As semiconductor manufacturing migrates to more advanced technology nodes, accelerated aging effect for nanoscale devices poses as a key challenge for designers to find countermeasures that effectively mitigate the degradation and prolong system's lifetime. Negative Bias Temperature Instability (NBTI) is emerging as one of the major reliability concerns. Two software tools for NBTI analyzing are proposed in this paper, one for transistor-level, and the other for gate-level. The transistor-level can be used to estimate the delay degradation due to NBTI effect very accurately, while the gate-level can be used for repeat analysis in circuit optimization because of its fast computing speed. 展开更多
关键词 软件工具 数字电路 铌钛 降解 诱导 NBTI 测试分析 半导体制造
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一种基于CLASS-AB类运放的无片外电容LDO设计
5
作者 崔明辉 王星 +2 位作者 李娜 相立峰 张国贤 《电子技术应用》 2023年第9期53-57,共5页
介绍了一种基于CLASS-AB类运放无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。电路在高摆率误差放大器(EA)的基础上,通过构建动态偏置电路反馈到EA内部动态偏置管,大幅改善了LDO的瞬态响应能力,且动态偏置电路引入的左半平面零点保证了LDO的环路... 介绍了一种基于CLASS-AB类运放无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。电路在高摆率误差放大器(EA)的基础上,通过构建动态偏置电路反馈到EA内部动态偏置管,大幅改善了LDO的瞬态响应能力,且动态偏置电路引入的左半平面零点保证了LDO的环路稳定性。同时,EA采用过冲检测电路减小了输出过冲,缩短了环路稳定时间。电路基于65 nm CMOS工艺设计和仿真。仿真结果表明,在负载电流10μA~50 mA、输出电容0~50 pF条件下,LDO输出稳定无振荡。在LDO输入2.5 V、输出1.2 V、无片外电容条件下,控制负载在10μA和50 mA间跳变,LDO输出恢复时间为0.7μs和0.8μs,下冲和上冲电压为58 mV和15 mV。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 瞬态增强电路 动态偏置电路 无片外电容
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含磁偏置超导限流器的66/10 kV变电站的故障限流分析 被引量:2
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作者 何淼 郑楠 +2 位作者 诸嘉慧 孟庆丰 汪清山 《电力系统及其自动化学报》 CSCD 北大核心 2023年第6期99-105,共7页
配网系统短路电流越来越大,现有断路器即将超过遮断容量,给电网安全带来较大影响。针对此问题,利用双分裂电抗器反并联低阻抗特性和超导单元故障失超特性,提出一种具有二级逐级限流特征的磁偏置超导限流器。根据辽阳市某66/10 kV变电站... 配网系统短路电流越来越大,现有断路器即将超过遮断容量,给电网安全带来较大影响。针对此问题,利用双分裂电抗器反并联低阻抗特性和超导单元故障失超特性,提出一种具有二级逐级限流特征的磁偏置超导限流器。根据辽阳市某66/10 kV变电站线路参数,基于Matlab/Simulink建立含磁偏置超导故障限流器的系统仿真模型,进行限流仿真计算,获得磁偏置超导故障限流器限流效果的变化规律,以及在故障电流下的失超电阻和温度的变化规律,验证了磁偏置超导限流器原理的正确性。结果表明,磁偏置超导限流器在三相短路故障时电网电流限流率最大可达到19.68%,最大温度为123.7 K,失超恢复时间为32 ms,表明其具有限流响应迅速和失超恢复快的优势。 展开更多
关键词 磁偏置超导限流器 三相短路 变电站 限流率
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高压碳化硅IGBT器件的电学特性
7
作者 肖凯 刘航志 +2 位作者 王振 邹延生 王俊 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期102-109,139,共9页
借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的... 借助计算机辅助设计技术(TCAD)仿真并结合基础物理建模,对SiC n和p沟道IGBT器件的电学特性进行比较研究。研究表明,在小电流密度下,n-IGBT电导调制效应较强,并具有较低的通态压降。而在较大的正向偏置电压下,p-IGBT背部的n^(+)注入层的正向载流子注入增强,从而使得p-IGBT导通电流较大。相比较npn晶体管而言,由于n-IGBT内部pnp晶体管的电流增益较低,关断过程中载流子的抽取电流较高,耗尽层扩展速度较快,使得其关断时间较短,因而n-IGBT在动态关断能耗和正向导通压降之间具有较好的折中关系。但n-IGBT关断过程中电压变化率(dv/dt)、电流变化率(di/dt)值较高,特别是发生电压穿通现象过后。因此,应对n-IGBT电磁干扰(EMI)抑制的器件设计技术加以重视。 展开更多
关键词 SiC IGBT 短路安全工作区(SCSOA) 反向偏置安全工作区(RBSOA) 能量损耗
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一种动态自偏置的低功耗无片外电容LDO
8
作者 王梓淇 黄少卿 +1 位作者 肖培磊 雷晓 《现代电子技术》 2023年第11期175-180,共6页
基于0.13μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化。电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性。输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应。仿真得... 基于0.13μm工艺设计的低功耗无片外电容LDO,文中采用动态自偏置技术使电路根据负载变化,提供不同的偏置电流,实现两级和三级结构下相互转化。电路采用Cascode Miller补偿,实现高稳定性。输出端加入过冲抑制电路,优化瞬态响应。仿真得到压差电压为57 mV;在-55~125℃范围内,温漂系数为27 ppm/℃;在电源电压1.2~3.3 V和负载100 nA~50 mA的变化范围内,线性调整率为0.452 mV/V,负载调整率为0.074 mV/mA。满载50 mA和电源电压1.2 V时,电源抑制比-53 dB@100 kHz,环路相位裕度大于60°。负载100 nA时静态电流2.5μA。负载瞬态响应结果展示过冲电压小于50 mV,建立时间约420 ns。此电路可调节性强,作为低功耗芯片,有着优秀的稳定性,适用于便携式产品。 展开更多
关键词 低功耗LDO 过冲抑制电路 动态自偏置 瞬态响应 压差电压 结构转换
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基于高摆率误差放大器的低功耗LDO设计
9
作者 吴为清 黄继伟 《微电子学与计算机》 2023年第12期81-86,共6页
本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管... 本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管在不同负载的快速切换;同时采用动态偏置对电路进行偏置减少过欠冲值.电路采用台积电(TSMC)0.18µm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,版图核心面积为220µm×140µm.仿真结果表明,该LDO在最小负载电流与最大负载电容的组合下相位裕度达到100度,消耗的静态电流仅为849 nA.当负载电流在500 ns时间内从100µA到100 mA进行切换时,电路表现出良好的瞬态响应,其中过冲电压为220 mV,欠冲电压为225 mV.经过计算,品质因数(FOM)值为0.198 mV. 展开更多
关键词 共栅差分跨导单元 低压差线性稳压器 体偏置运放 动态偏置 低静态电流 FOM
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考虑短路电流非周期分量影响的磁偏置型超导故障限流器设计方法及其限流特性分析
10
作者 李超 吴琪 +4 位作者 李斌 诸嘉慧 陈盼盼 韦德福 信赢 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2023年第12期4887-4896,共10页
随着电力负荷快速增长,电力系统的故障电流水平持续上升,甚至超出了现有断路器的开断能力;为有效限制故障电流,超导故障限流器(superconducting fault current limiter,SFCL)逐渐投入应用。SFCL在正常运行时呈现零阻抗,故障发生后迅速... 随着电力负荷快速增长,电力系统的故障电流水平持续上升,甚至超出了现有断路器的开断能力;为有效限制故障电流,超导故障限流器(superconducting fault current limiter,SFCL)逐渐投入应用。SFCL在正常运行时呈现零阻抗,故障发生后迅速转为高阻抗,可作为配合断路器开断的理想选择,提高电力系统的运行安全性。介绍了一种磁偏置型超导故障限流器(magneto-biased superconducting fault current limiter,MBSFCL),提出了考虑短路电流非周期分量影响的MBSFCL设计方法,对于MBSFCL的制造具有一定的指导意义。通过搭建仿真模型,验证了所提出方法的可行性,并对MBSFCL的限流特性进行了深入分析,讨论了不同非周期分量对断路器的开断影响,以及MBSFCL中电感、电阻参数变化对短路电流及其分量的限流效果影响。分析结果表明,在所提出MBSFCL设计方法中必须考虑非周期分量,且MBSFCL的电阻参数变化对短路电流的抑制效果更为显著。 展开更多
关键词 超导限流器 磁偏置 非周期分量 断路器 开断电流
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用偏压法拉第筒测量强流脉冲离子束 被引量:13
11
作者 何小平 石磊 +1 位作者 张嘉生 邱爱慈 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期753-755,共3页
分析了偏压法拉第筒测量强流脉冲离子束的原理和影响测量准确度的主要因素 ,研制了一种结构简单的偏压离子法拉第筒阵列 ,利用该装置测量了 2 0 0 k V小型强流脉冲离子束源的束流密度分布 ,束流中心密度最大值约为 1 70 A/cm2 。
关键词 脉冲离子束 偏压法拉第筒 束流密度分布 测量原理
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基于瞬态场路耦合模型的变压器直流偏磁计算 被引量:53
12
作者 潘超 王泽忠 +3 位作者 李海龙 刘连光 张科 郭若颖 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第5期174-181,共8页
利用变压器瞬态场路耦合模型,计算单相变压器的直流偏磁问题。对比在一次侧和二次侧注入直流时变压器的直流偏磁情况,结果说明两种注入方式下交流电流的波形基本相同。分析变压器直流偏磁时交流磁场和电路等效参数的变化,变压器直流偏... 利用变压器瞬态场路耦合模型,计算单相变压器的直流偏磁问题。对比在一次侧和二次侧注入直流时变压器的直流偏磁情况,结果说明两种注入方式下交流电流的波形基本相同。分析变压器直流偏磁时交流磁场和电路等效参数的变化,变压器直流偏磁时励磁电流波形畸变,其峰值与各次谐波含量均随直流电流增大而增加;动态电感取决于励磁的饱和程度,其波形在交流励磁的正负半周并不对称,两种运行方式下场路耦合参数受直流影响的变化规律相同。负载运行直流偏磁时动态漏电感波形畸变,外侧一次绕组的漏磁通增大。当直流电流超过一定值时,变压器发生偏磁时的励磁电流峰值与直流电流近似呈线性关系。最后,通过实验验证了瞬态场路耦合方法的准确性和可行性,为变压器直流偏磁计算提供新方法。 展开更多
关键词 变压器直流偏磁 瞬态场路耦合 注入方式 动态电感
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变压器直流偏磁瞬态场路耦合计算的稳定性分析 被引量:15
13
作者 潘超 王泽忠 +1 位作者 杨敬瑀 刘连光 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第12期226-232,239,共8页
变压器瞬态场路耦合计算存在稳定性、计算效率及精确度的问题。利用瞬态场路耦合方法,结合能量扰动原理计算磁场变化对应的动态电感。根据四阶龙格库塔法求解的高阶收敛性,推导绝对稳定域以判断计算是否收敛,分析时间步长与状态矩阵特... 变压器瞬态场路耦合计算存在稳定性、计算效率及精确度的问题。利用瞬态场路耦合方法,结合能量扰动原理计算磁场变化对应的动态电感。根据四阶龙格库塔法求解的高阶收敛性,推导绝对稳定域以判断计算是否收敛,分析时间步长与状态矩阵特征值的关系,定义电感变化函数评价磁场计算精确度。对单相变压器建模和仿真,计算正常运行和直流偏磁时的瞬态磁场和等效电路参数,研究耦合参数在不同励磁饱和程度时的变化规律,结果说明利用动态电感参数可以反映时变的励磁饱和情况。与传统欧拉法和改进欧拉法对比,四阶龙格库塔法具有更高的稳定性和精确性,同时验证了绝对稳定域的正确性。以稳定性为前提,合理选取磁场求解频率可以有效提高计算效率和精确度。通过实验验证了瞬态场路耦合计算的可行性和稳定性分析的可靠性,为实际变压器瞬态场路计算提供新的思路。 展开更多
关键词 变压器直流偏磁 瞬态场路耦合 稳定性 动态电感
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直流输电对交流系统变压器的影响 被引量:27
14
作者 梅桂华 徐柏榆 +2 位作者 王晓毛 邓志 刘春权 《广东电力》 2006年第1期1-7,共7页
列举了天生桥—广州直流输电系统、三峡—广东鹅城直流输电系统、贵州高坡—广东肇庆直流输电系统调试投运期间的大量现场实测数据,并对这些数据进行分析,结果表明直流输电系统单极大地回线方式或双极不对称方式运行时对交流系统中性点... 列举了天生桥—广州直流输电系统、三峡—广东鹅城直流输电系统、贵州高坡—广东肇庆直流输电系统调试投运期间的大量现场实测数据,并对这些数据进行分析,结果表明直流输电系统单极大地回线方式或双极不对称方式运行时对交流系统中性点接地运行变压器的噪声、变压器中性线直流电流以及电网谐波电压均会产生较大影响,严重时可能损坏电力设备。该结论对直流输电系统的设计、建设、运行以及交流系统采取相应措施有极重要的参考价值。 展开更多
关键词 直流输电 单极大地回线方式 变压器 噪声 直流偏磁 谐波
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特高压变压器空载直流偏磁计算精度分析 被引量:9
15
作者 谭瑞娟 王泽忠 +2 位作者 邓涛 胥建文 李书连 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第4期162-169,共8页
针对特高压变压器直流偏磁计算问题,提出一种空载简化电路模型下的分段解析法,为直流偏磁数值计算奠定基础。根据特高压变压器简化电路模型,推导励磁电流解析式。电感随着电流的变化,分两段取值;电感的取值通过比较电流计算值与临界电... 针对特高压变压器直流偏磁计算问题,提出一种空载简化电路模型下的分段解析法,为直流偏磁数值计算奠定基础。根据特高压变压器简化电路模型,推导励磁电流解析式。电感随着电流的变化,分两段取值;电感的取值通过比较电流计算值与临界电流值的大小来判断。设置临界电流误差判据来判别电流计算值是否达到临界电流。分析计算表明,当电阻为实际电阻时,临界电流误差判据严格,可获得直流分量的准确解,临界电流误差判据宽松时,直流分量与准确解出现较大误差,甚至计算错误;通过人为增大串联电阻值,临界电流误差判据可相对宽松,从而获得直流分量近似准确解。在此基础上,以解析解的计算结果为基准,对比分析四阶龙格库塔法数值解。结果表明,步长较大相当于临界电流误差判据宽松,必须加大电阻,直流分量才可与准确解接近;步长较小相当于临界电流误差判据严格,电阻可不必太大。在特高压变压器直流偏磁数值计算中,可通过人为增大串联电阻值和适当减小计算步长来获得较为准确的直流偏磁特性。 展开更多
关键词 特高压变压器直流偏磁 简化电路模型 解析解 误差判据
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基于偏置经验特征映射的电路故障诊断方法 被引量:4
16
作者 杨智明 俞洋 +1 位作者 乔立岩 王钢 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1595-1602,共8页
基于支持向量机的模拟电路故障诊断方法已经成为故障诊断领域的研究热点。然而,在该方法实用化过程中,故障样本集中存在的不平衡分布问题严重影响了该方法的整体诊断性能。针对该问题,提出一种基于偏置经验特征映射的故障诊断方法,该方... 基于支持向量机的模拟电路故障诊断方法已经成为故障诊断领域的研究热点。然而,在该方法实用化过程中,故障样本集中存在的不平衡分布问题严重影响了该方法的整体诊断性能。针对该问题,提出一种基于偏置经验特征映射的故障诊断方法,该方法将故障样本集映射至经验特征空间,并在该特征空间中使用偏置判别分析准则作为核函数优化的目标函数,最大化所有正常样本同故障样本中心的距离,从而提高故障诊断方法的整体诊断能力。标准数据集以及真实电路上的实验效果表明,提出的方法可以大大缓解由于样本不平衡造成的支持向量机诊断效果下降的问题,从而提高了基于支持向量机的电路故障诊断法方法的适用范围。 展开更多
关键词 故障诊断 模拟电路 不平衡数据集 偏置经验特征映射
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异极性永磁偏置径向磁轴承的参数设计与实现 被引量:11
17
作者 赵旭升 邓智泉 汪波 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第7期131-138,159,共9页
为了克服现有异极性永磁偏置径向磁轴承参数设计的不足,对一种异极性永磁偏置径向磁轴承进行了研究,分析其结构和工作原理。以其为对象提出了一种根据二维有限元仿真结果构建等效磁路,以满足承载力所需的偏置磁场与控制磁场的磁通量为... 为了克服现有异极性永磁偏置径向磁轴承参数设计的不足,对一种异极性永磁偏置径向磁轴承进行了研究,分析其结构和工作原理。以其为对象提出了一种根据二维有限元仿真结果构建等效磁路,以满足承载力所需的偏置磁场与控制磁场的磁通量为基本目标;并以软磁材料不饱和为约束条件,结合等效磁路,推导出永磁材料和定转子结构的参数设计方法;设计了径向悬浮力400N的原理样机,进行了三维仿真分析和实验验证。结果表明:提出的参数设计方法合理,利用该方法设计的异极性永磁偏置径向磁轴承悬浮性能优良,为其他型永磁偏置磁轴承的研究奠定了基础。 展开更多
关键词 异极性 永磁偏置径向磁轴承 等效磁路 参数设计 有限元仿真 实验
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基于GaAs HBT功率放大器效率提升技术 被引量:4
18
作者 杨敏 万晶 +3 位作者 李跃华 贲志红 梁晓新 阎跃鹏 《微波学报》 CSCD 北大核心 2015年第S2期222-224,共3页
针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置... 针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、输出馈电对谐波分量的影响之后,通过改进输入、输出馈电方式,输入端在单一供电模式下能够方便地调整偏置状态,输出端馈电通路可同时将二次谐波短接到地,有效地提升该器件的功率附加效率。测试结果表明在不影响输出功率的前提下,效率可提升12.7%左右,而且电路形式简单,操作方便,能够广泛地应用到不同频段要求和不同输出功率的GaAs HBT功率放大器测试过程中。 展开更多
关键词 GA As HBT 效率提升 自适应偏置 馈电方式
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永磁偏置径向磁轴承的原理分析与参数设计 被引量:13
19
作者 赵旭升 邓智泉 汪波 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第11期127-134,共8页
为克服现有永磁偏置径向磁轴承的缺陷,研究了一种磁悬浮高速电动机用永磁偏置径向磁轴承,利用等效磁路法分析其结构及工作原理,得出了径向悬浮力的数学模型,并对数学模型进行了线性化处理,得出了其径向力-位移系数和力-电流系数。给出... 为克服现有永磁偏置径向磁轴承的缺陷,研究了一种磁悬浮高速电动机用永磁偏置径向磁轴承,利用等效磁路法分析其结构及工作原理,得出了径向悬浮力的数学模型,并对数学模型进行了线性化处理,得出了其径向力-位移系数和力-电流系数。给出了磁极面积、控制绕组、定转子结构等主要参数的设计方法,并制作了实验样机,对样机进行了三维有限元仿真分析和动静态悬浮实验。理论研究和实验结果表明,该型磁轴承转子磁滞损耗小,结构紧凑,控制简单,悬浮性能良好,给出的参数设计方法合理。 展开更多
关键词 永磁偏置径向磁轴承 等效磁路 数学模型 参数设计 有限元仿真 实验
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基于精确磁路的永磁偏置轴向径向磁轴承设计 被引量:7
20
作者 汪波 邓智泉 +2 位作者 赵旭升 刘程子 华春 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第17期2036-2040,2047,共6页
针对永磁偏置轴向径向磁轴承集成度高、结构紧凑、磁场分布不规则、偏置磁场和控制磁场存在耦合的特点,根据二维仿真结果,在精细划分磁轴承漏磁路径和软磁路径的基础上,构建了包括漏磁磁阻和软磁磁阻的精确磁路。利用精确磁路可观测各... 针对永磁偏置轴向径向磁轴承集成度高、结构紧凑、磁场分布不规则、偏置磁场和控制磁场存在耦合的特点,根据二维仿真结果,在精细划分磁轴承漏磁路径和软磁路径的基础上,构建了包括漏磁磁阻和软磁磁阻的精确磁路。利用精确磁路可观测各磁路中的磁通分布的优势,有针对性地调整磁轴承的各结构参数,实现其设计的优化,减少对初步参数的重复有限元仿真。对设计样机进行的三维有限元仿真结果表明:基于精确磁路的永磁偏置轴向径向磁轴承设计正确合理。 展开更多
关键词 永磁偏置轴向径向磁轴承 精确磁路 磁轴承设计 有限元仿真
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