宽幅薄膜高真空卷绕蒸发式镀膜机的研究与设计

为满足农产品及食品深加工中1500mm幅宽以上的聚脂薄膜（PET）、定向聚丙烯薄膜（OPP）、聚丙烯流涎薄膜（CPP）、聚乙烯薄膜（PVC）的真空镀铝,针对国内卷绕蒸发式真空镀膜机设备存在的工艺参数多、工艺重复性差、操作复杂、产品质量不稳定、设备故障率高等问题,采用高真空技术研制了宽幅卷绕蒸发式高真空镀膜机.测试分析表明,该机上室和下室的极限真空度分别达到了9.0×10^-2 Pa和6.7×10^-2 Pa,恢复真空时间小于8 min,镀膜厚度600～700А,并具有卷取性能好、镀膜幅度宽、镀膜速度快、跑偏量小、镀膜层牢固、均匀等特点,为食品和农产品深加工提供了一种新型的卷绕蒸发式高真空镀膜机.

沙特含硫原油重油清洁化加工方案的探讨

以加工12×10 6 t/a沙特含硫原油为例,采用清洁化生产模式,减压渣油采用溶剂脱沥青+IGCC和延迟焦化+IGCC两种消除高硫沥青和石油焦污染的加工工艺,两种加工工艺的技术经济分析结果表明,两种加工路线在技术方面都是可行的。

高碳醇类消泡剂在炼化常减压工艺污水中的应用研究

对本单位开发的高碳醇类消泡剂,在某厂常减压工艺装置污水中进行了应用研究。对消泡性能、COD贡献量、活性污泥友好性等进行了测试研究。并在污水处理现场进行了消泡剂的应用测试。测试结果表明,此高碳醇类消泡剂能够有效解决常减压工艺污水的泡沫问题,且对COD处理不增加压力,对生化污泥不会造成运行影响。

压缩真空激发态的高阶压缩

本文研究了压缩真空激发态的高阶压缩性质，发现θ等于零时这种态中正交分量的２Ｎ阶矩表达式可以化为压缩真空态的２Ｎ阶矩和一个与ｍ有关的函数相乘的形式，进一步分析表明当压缩参数ｒ足够大时，这种态可以压缩至任意偶数阶；对于确定的ｒ和ｍ，压缩至２Ｎ阶的这种态必然会压缩至（２Ｎ＋２）阶。

磁控溅射本底真空度对制备高锰硅的形貌影响

基于当前不同研究者在研究高锰硅过程中选用的本底真空度区间跨度过大的现状,本文以本底真空度为变量,在Si衬底上沉积锰膜,对不同本底真空度下获得的Mn/Si膜同时进行Ar气氛退火处理,退火前后的样品均用SEM对其形貌进行表征,并对结果进行分析,以确定合适的本底真空度参数。结果表明:在10^-3 Pa本底真空度下,退火前薄膜表面的锰粒子会出现明显团聚现象,当本底真空度提高到10^-4 Pa量级时,团聚现象得到显著改善。在4×10^-3~8×10^-4 Pa本底真空度下,锰粒子的分布均匀程度较差。而本底真空度达到7×10^-5 Pa时,薄膜表面会出现碎裂的情况。在溅射用于制备高锰硅的锰膜时,建议本底真空度在5.7×10^-4~7×10^-5 Pa范围内。

5～40nm波段高次谐波的定量研究

连续光谱的同步辐射光通过入射狭缝照射到光栅单色器后,在出射的单色光λ中总是不可避免的混有基波λ的高级次谐波λn=λ/n。采用自制的33001p/mm金膜自支撑透射光栅和美国IRD公司的AXUVI00G光电二极管探测器,定量研究了光谱辐射标准和计量光束线在5～40nm波段的高次谐波。研究了Zr,Si,Al和Al/Mg/Al滤片在不同能量范围对高次谐波的抑制作用,给出了实验数据和曲线。在5～40nm波段,适当的选用Zr,Si,Al和Al/Mg/Al滤片可有效地抑制高次谐波,在5～34nm波段将高次谐波与基波的信号强度比例控制在8.06%以内,经量子效率修正后小于3.08%,在35～40波段经探测器量子效率修正后高次谐波比例小于10.00%。

上海光源真空内波荡器性能的优化

介绍了上海光源一期工程两台真空内波荡器的磁铁设计、磁场测量和性能优化的方法和结果.通过调整波荡器各磁极的高度来减小各磁极附近半周期磁场积分的差异,优化电子运动轨迹和辐射相位分布,使各个周期的辐射相位误差达到最小,从而增加各个周期内产生的辐射的相干性以获得高亮度的高次谐波辐射.光束线实验也测到了11次谐波辐射,并且从测到的辐射光谱推算得到的两台波荡器的均方根相位误差分别在4°和3°以内.

压缩真空态的高阶非经典性质

通过高阶压缩效应,高阶反聚束效应和二阶亚泊松分布等统计性质,研究了压缩真空态的高阶非经典性质。采用数值计算方法,讨论了压缩参数对态的高阶非经典性质的影响。研究结果表明:压缩真空态呈现出高阶压缩效应和四阶反聚束效应,并且这些非经典性质均随压缩参数增大而增强。但它未呈现出一至三阶反聚束效应,也没有展示出一阶亚泊松分布和二阶亚泊松分布等特性。