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忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真
被引量:
1
1
作者
曹新亮
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期120-123,178,共5页
忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机。忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发。基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现对电容和忆阻回转的忆感器有源...
忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机。忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发。基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现对电容和忆阻回转的忆感器有源等效。MATLAB的系统级仿真结果表明:等效忆感器具有电流-磁通量之间的自收缩滞回特性,这与理论概念上的忆感特性相吻合,为忆感器在电子学中产生新功能的实验研究提供了功能模拟实体。
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关键词
忆感器
忆阻器
有源等效
滞回特性
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职称材料
题名
忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真
被引量:
1
1
作者
曹新亮
机构
延安大学物理与电子信息学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期120-123,178,共5页
基金
延安大学博士科研启动基金项目(YDK2011-07)
文摘
忆阻器的出现给电子信息技术的进一步发展带来新的契机。忆感器作为新型模拟记忆器件的另一种类型,其实体器件尚待研发。基于模拟记忆器件特性的分析,利用电压模和电流模电路分别进行电抗性质的变换,实现对电容和忆阻回转的忆感器有源等效。MATLAB的系统级仿真结果表明:等效忆感器具有电流-磁通量之间的自收缩滞回特性,这与理论概念上的忆感特性相吻合,为忆感器在电子学中产生新功能的实验研究提供了功能模拟实体。
关键词
忆感器
忆阻器
有源等效
滞回特性
Keywords
meminductor
memristor
active equivalent
hysteresist loop
分类号
TN6 [电子电信—电路与系统]
TN602 [电子电信—电路与系统]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
忆阻-电容等效忆感器的有源回转实现及其特性仿真
曹新亮
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014
1
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