YVO_4晶体中缺陷的观察

应用光学显微镜 ,X射线衍射 ,激光层析和分子光谱等方法观察和分析了用中频感应提拉法生长的YVO4和Nd :YVO4晶体中缺陷。观察表明 ,晶体中的主要缺陷有如下几种 :( 1 )开裂 ,主要包括无规则开裂 ,解理和微裂纹等。( 2 )包裹体 ,主要包括无规则形状的无序和有序排列的包裹体 ,气泡以及铱小片等。( 3)小角度晶界。( 4)色心等。无规则开裂通常是由机械杂质或自发形成的杂晶进入生长晶体而造成的。晶体容易沿垂直于a轴方向解理 ,这与晶体的结构和各向异性的热膨胀性质有关。而晶体中的微开裂都处在微小包裹体的周围 ,其开裂的方向与解理方向相同 ,这种开裂显然是由包裹体造成的应力所引起的。YVO4晶体中的包裹体是影响最大的一种缺陷 ,大多数包裹体用肉眼就可以观察到 ,它们通常集中在大尺寸晶体的中心部位 ,造成严重的光散射 ,这可能与晶体的导热性能较差有关。YVO4晶体中包裹体的形成有二个不同的途径 ,一个是由外界进入晶体的如母液包臧、气泡、杂质等。另一个是由于固溶于YVO4中的极小量的YVO3 ,在晶体快速冷却时造成析晶所致。影响晶体实际应用的另一个缺陷是小角度晶界。它主要是由籽晶的不完美和生长初期的控制不当造成的。众所周知 ,该晶体中的色心是由氧缺陷引起的。我们通过液相法合成原料 ,特种?