固体激光器铟丝密封气密性能实验研究

该文对固体激光器铟丝密封结构的气密性能进行实验研究。重点通过铟丝密封试验工装对铟丝密封结构的开槽尺寸、高低温性能、重复使用效果进行试验测试,得出铟丝作为密封材料的相关变化规律,为铟丝密封气密性能研究应用提供了参考。

Si(001)表面In量子线的第一原理研究

利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用.

铟丝密封件低温密封性能实验研究

针对铟丝密封件,采用法兰-密封件-螺栓密封结构对其进行密封性能的实验研究,测试系统的设计压力范围为0—10 MPa,设计温度为-196℃。基于实验测试结果,探讨了该密封结构的螺栓预紧力、工作压力及温度等与泄漏率之间的关系。

沉降仪及水平位移计安装要点

土石坝在建设及投入使用的过程中,会产生竖直沉降及水平位移等变化,称为坝体的变形。为了及时了解坝体整体的变形情况,需要对坝体进行定期观测。针对观测中出现的问题及时采取相应措施,保证坝体安全稳定运行。主要介绍了用于观测坝体变形的水管式沉降仪及铟钢丝式水平位移计安装埋设的方法和步骤、观测、维护及需要注意的问题。

Interband Optical Transitions due to Donor Bound Excitons in Wurtzite InGaN Strained Coupled Quantum Dots： Strong Built-in Electric Field Effects

Considering the three-dimensional confinement of the electrons and holes and the strong built-in electric field （BEF） in the wurtzite InGaN strained coupled quantum dots （QDs）, the positively charged donor bound exciton states and interband optical transitions are investigated theoretically by means of a variational method. Our calculations indicate that the emission wavelengths sensitively depend on the donor position, the strong BEF, and the structure parameters of the QD system.

太赫兹波段金属线栅的紫外光控特性研究

基于氧化铟纳米薄膜及金属线栅的特性,利用紫外激光诱导以金属线栅为衬底的氧化铟纳米结构,研究其对于太赫兹偏振透射的调制特性。实验中在金属线栅上滴入溶于乙醇的氧化铟溶液,并使溶液恰好浸润在金属线栅缝隙中,同时将加热台的温度调至340℃,对金属线栅中的氧化铟进行热退火。结果表明,氧化铟-金属线栅线长方向与太赫兹电场偏振方向垂直时,在低强度紫外光的照射下,该样品对太赫兹的透射强度有较为明显的衰减,当紫外光功率密度为7mW·cm^-2时,样品对太赫兹的调制深度可达71%;当氧化铟-金属线栅线长方向与太赫兹电场偏振方向平行时,紫外光激发下的样品对太赫兹的调制效果明显减弱,当紫外光功率密度为7mW·cm^-2时,调制深度约为20%。氧化铟纳米薄膜中存在的氧空位,使该材料对紫外光具有特殊响应。在无紫外光照射下,样品环境中的氧气分子被吸附到氧化铟表面,由于化学反应生成O^2-离子态。当用光子能量大于氧化铟禁带宽度的紫外光激发样品时,在氧化铟表面激发出电子空穴对,空穴会被氧化铟表面的O^2-离子态和缺陷态束缚,从而释放电子到导带,增强了样品的电导率。在太赫兹波频段内,透过氧化铟样品的太赫兹强度与氧化铟电导率有很好的相关性。金属线栅利用金属表面可存在的自由电子的振荡,使电场方向与线栅方向平行的太赫兹偏振光激发电子沿线栅方向振荡,当电子与金属晶格中的原子碰撞时,此偏振光发生衰减并伴随辐射;而电场方向与线栅方向垂直的太赫兹偏振光,由于周期性结构的限制,无法激发自由电子振荡,主要表现出透射特性。结合氧化铟的表面缺陷特性,紫外光可实现作为氧化铟-金属线栅结构的光控偏振开关作用,氧化铟-金属线栅结构偏振器能很好地应用于太赫兹波频段的光控偏振调制。

高选择性的In_2O_3基热线型氢气传感器

采用反相微乳液法合成出纳米氧化铟(In_2O_3),利用其制备出了热线型气体传感器。利用二甲基二乙氧基硅烷(DEMS)的化学气相沉积,在敏感元件表面形成了一层致密的二氧化硅(SiO_2)分子筛层,限制了除氢气(H_2)以外其它分子直径较大的还原性气体向气敏材料内层的扩散,提高了该传感器对H_2的选择性和响应。参考元件的补偿作用降低了环境湿度的影响,通过气敏机理模型讨论了其内在原因。该传感器具有对H_2较高的选择性和响应,优良的抗环境影响能力,以及较好的稳定性和较低的功耗。

大径高隧道变形监测方法及分析

我国隧道建设工程的日益增加,为隧道变形监测提出了新的要求,为适应大径高隧道变形监测的高新要求,本文在分析了传统监测方法的基础上,探讨了一种利用铟钢丝进行隧道变形监测的新方法,详细阐述了该方法的特点、实施过程和要求,结合工程实例验证了这种方法的有效性和高精度。