ITO导电玻璃单颗磨粒切削机理仿真试验研究

为研究氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃材料的去除机理,采用单磨粒对材料进行切削仿真,建立了ITO导电玻璃的材料模型,根据加工表面形貌、应力和切削力情况分析了材料去除机理,之后研究了切削参数对切削力和残余应力的影响,并与钠钙玻璃进行对比分析。结果表明:在磨粒的切削过程中,材料的去除受ITO薄膜层、玻璃基底和内聚力接触行为的共同影响,会产生分层、通道开裂和层间断裂等失效形式;随着磨粒的进给,切削力在一定范围内波动,且呈现上升、稳定、降低的变化,同时磨粒的切削力与切削速度和切削深度呈正相关;薄膜上残余应力相比玻璃基底,数值更大且波动更剧烈;当切削深度接近ITO薄膜厚度时,薄膜的存在对磨粒切削行为的影响显著。

基于ITO的Co-ZnO电极的制备及对邻苯二酚的检测评价

采用分布电沉积法在ITO导电玻璃表面制备Co-ZnO电极传感器,并将其用于邻苯二酚的分析检测。利用SEM、EDS和XRD对制备的Co-ZnO电极进行表面形貌、元素组成和晶体结构分析,并利用循环伏安法和计时电流法对其进行电化学分析。结果表明,Co-ZnO电极对邻苯二酚具有非常明显的电催化活性,通过测试分析得到其线性范围为0.01~10 mmol/L、灵敏度为1429.67 mA/(mM·cm^(2))、检出限为0.87μmol/L。通过干扰试验可知,Co-ZnO电极对其有良好的选择性,且电极的重现性良好。

基于ITO的Co薄膜制备及对邻苯二酚的检测

邻苯二酚是对环境有害的毒性污染物,实验采用电沉积方法在ITO导电玻璃表面制备Co电化学传感器,将其用于邻苯二酚的分析检测。首先通过正交实验确定了Co电极最佳制备工艺条件,然后结合SEM、EDS和XRD分析确定了其表面形貌、元素组成和晶体结构,并采用循环伏安法和计时电流法对其进行了电化学分析。结果表明:Co盐浓度10 g·L^(-1)、沉积电流0.1 A、沉积温度20℃、沉积时间10 min为制备Co电极的最佳制备工艺条件,电化学分析结果表明Co电极对邻苯二酚具有电催化活性,得到检测邻苯二酚的线性范围0.001 mM~0.2 mM、灵敏度1385.81 mA/mM·cm^(2)和检出限1.04μM,干扰试验显示Co电极对邻苯二酚有良好的选择性。

基于机器视觉的ITO导电玻璃缺陷检测系统设计

针对传统人工检测ITO导电玻璃缺陷时存在错检、漏检、效率低等问题,提出一种基于机器视觉的ITO导电玻璃缺陷检测方法。首先,提出了一种基于线扫描相机和多光源同时曝光合成图像的成像方案,使表面缺陷检测项与易误干扰项形成不同特征;其次,采用Blob分析方法对明暗场图像分类处理实现对划痕、气泡、划伤等表面缺陷的检测;最后,利用C#Winform实现具备友好的人机操作界面的检测软件系统。实验结果表明,系统综合漏检率为0.25%、误判率为4.07%,对单片玻璃的检测时间为2.3s,同传统人工目检方式相比,系统检测具有较高的效率和正确率,具备较高的实用价值。

电流密度对镀镍ITO玻璃性能的影响

为提高ITO玻璃在中、低频磁场的屏蔽效能,采用恒流电镀工艺,以不同的电流密度(0.4、1.3、2.2、3.1 A·dm^(-2))在ITO玻璃表面电镀沉积镍薄膜。采用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针电阻测试仪及微同轴屏蔽效能测试装置对材料的形貌、物相、透过率、电导率及电磁屏蔽效能进行测试及表征。结果表明:随着电流密度的增大,镍薄膜厚度、电导率、屏蔽效能逐渐增大,透光率逐渐减小。其中电流密度为2.2 A·dm^(-2)时所制备的镀镍ITO玻璃电导率和屏蔽性能较好,电导率为0.99 S/mm,平均屏蔽效能为35.57 dB。

除油和蚀刻对ITO导电玻璃化学镀镍的影响

实验采用碱性除油去除ITO导电玻璃表面的油污，用磷酸溶液进行蚀刻以提高化学镀镍镀层的结合力，以硫酸镍为主盐进行了化学镀镍。研究了除油和蚀刻的工艺条件对镀镍层性能的影响，确定了化学镀镍前处理的最佳工艺参数。结果表明，用碱性化学除油液在25～35℃，除油6min，用磷酸溶液在40℃左右，蚀刻3min的条件下进行前处理，所得镀层覆盖率高、选择性优，与基体的结合力良好。

ITO薄膜射频磁控溅射法制备及性能研究

以10%SnO2和90%In2O3(以质量计)烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃基片成功地制备出光电性能优异的ITO透明导电薄膜。研究了基片温度和氧分压溅射工艺参数对ITO薄膜的结构和光电性能的影响。实验结果表明,采用氧化铟锡陶瓷靶射频磁控溅射制备的ITO薄膜沿(222)晶面生长,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带随着衬底温度和氧分压的升高向短波长方向漂移。

空间太阳电池阵用ITO玻璃盖片工艺探索

ITO薄膜即铟锡氧化物(Indium Tin Oxides)半导体透明导电膜,有良好的导电性,高的透过率,并且具有很高的可靠性,可应用于航天领域电磁监测卫星的太阳电池板上以控制其表面电位。针对航天器太阳电池阵用ITO薄膜的真空蒸镀法制备进行工艺优化,通过选用合适的蒸镀速率和退火条件得到具有较低电阻率、较高透过率并且与空间用三结砷化镓太阳电池相匹配的ITO盖片产品。

氧化锌在ITO导电玻璃上电沉积生长过程研究

采用恒电流电解法,以0.1mol/LNH4NO3、0.01mol/LZn(CH3COO)2水溶液为电解液,成功将ZnO电沉积于ITO导电玻璃的表面。利用扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO晶核在ITO导电玻璃表面上的生长过程,对其生长取向、排列方式及微观形貌等方面发生的一系列变化的规律进行了研究和讨论。利用X射线衍射分析(XRD)研究了电沉积时间对ZnO结晶性的影响。结果表明:ZnO在ITO导电玻璃上的电沉积过程,经历了晶核生成、增长成片、片状组合、定向排列、团聚成花、团聚成块等连续过程;随着沉积时间的增长,沉积厚度增加,使得ZnO晶体的结晶性变差。

ITO 膜发展现状及工艺技术分析

重点阐述氧化铟锡（ＩＴＯ）导电玻璃的发展状况，分析介绍了研制的自动连续镀膜生产线的各种工艺、技术、设备，并总结整套设备所达到的水平。

ITO镀膜设备气室门阀阀板的改进设计

通过对ITO镀膜设备气室门阀阀板的结构进行改进,解决了实际生产中真空室密封性能差、阀板使用寿命短、产品质量不稳定等一系列问题。改进要点是在主动、从动阀板上增加设计了冷却水循环水道。

ITO导电玻璃及其在平板显示器中的应用

简单介绍了ITO导电玻璃的制备,及其在多种平板显示器中的应用,并相应给出了其基本特性和要求。

镀金ITO导电玻璃的制备与二次硫醇修饰的性能研究

采用循环伏安法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面上电沉积金纳米颗粒,再用十八硫醇进行二次修饰,得到硫醇修饰的ITO镀金材料。随后对此材料进行扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、接触角测定、紫外扫描等表征。根据XRD结果显示金粒子已成功沉积在ITO玻璃上且分布均匀;考察电沉积圈数(20~200段)对样品接触角的影响,发现140段沉积效果最好,接触角由55.52°增加到128.27°。修饰前后ITO样品的性能不同,在实际生活中可用于自清洁等方面。

对抗·碰撞——故事里的网版印刷技术与半导体技术(二)

液晶显示器是当前应用非常广泛的一种平板显示技术,用于显示器导电玻璃ITO膜的制备方法有真空蒸发工艺、CVD工艺、溅射工艺等,而其最主要竞争对手的OLED具有LCD平板显示器所无法比拟的优势。

脉冲激光电化学复合加工的试验研究

在所构建的激光电化学复合加工系统中,加入透光导电的氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)导电玻璃作为工具阴极,使电场分布更加均匀,有利于工件表面形成均匀的钝化膜,保证了激光电化学的高效复合。采用该复合方法在浓度为0.5 mol/L的Na NO3溶液中对铝合金进行了加工试验,研究了不同的工艺参数对激光电化学定域性的影响。应用扫描电子显微镜、光学显微镜对工件的加工形貌进行检测。结果表明:随着激光的能量、频率、加工电流的增大,槽的宽度变大;随着进给速度的增大,槽的宽度变小。

静电场描绘仪的改进

传统的模拟法静电场描绘仪存在的缺陷,针对这些缺陷提出了改进方案。通过实验比较,改进后的描绘仪能很好地模拟描绘静电场,值得推广。

ZnO纳米线的制备及其影响因素

【目的】采用化学浴沉积法在ITO导电玻璃衬底上制备ZnO纳米线。【方法】研究种子层结晶性、PEI浓度对ZnO纳米线生长的影响,并用SEM、XRD、AFM对其形貌、晶体结构等进行表征。【结果】衬底温度为200℃时生长的ZnO纳米线垂直排列呈六角纤锌矿结构;PEI浓度为4.5 mmol/L时,ZnO纳米线的长径比最高,达20.56。【结论】制备的ZnO纳米线取向良好、结构尺寸均匀、长径比高。

形貌可控的钯纳米粒子的电化学制备及电催化性质

以NaPdCl4为前驱体,以柠檬酸钠为包裹剂,通过两步恒电势法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃基底上沉积得到不同形貌的钯纳米粒子(PdNPs).通过调节晶种沉积电势和粒子生长电势、柠檬酸根和溴离子的浓度及反应温度等因素,可以控制PdNPs的形貌、尺寸及在ITO基底上的生长密度;制备出了钯纳米锥阵列及球形、花状和多面体形的PdNPs.研究结果表明,钯纳米锥阵列与其它形状的PdNPs相比,在单位面积ITO基底上具有更大的表面积,表现出对甲醇更强的电化学氧化能力.

料浆喷涂法制备纳米晶TiO2薄膜及其在DSSC中的应用

采用料浆喷涂法在ITO导电玻璃上制备了纳米晶TiO2,SEM测试结果表明该薄膜呈多孔结构,构成薄膜的TiO2颗粒均为20～30nm,薄膜的厚度能够很好地控制在5～20μm之间。将此薄膜组装成染料敏化太阳电池(DSSC),在标准模拟太阳光(AM1.5G)下测试,短路电流密度达7.78mA/cm2、光电转换效率为1.94%。讨论了制备工艺对电池性能的影响。

ZnO/TiO_2复合涂层电极的制备及其光电性能

以氧化铟锡导电玻璃为基材,采用电泳沉积法制备负载型ZnO/TiO2复合涂层,经450℃后续烧结处理后,采用XRD、SEM、EDX和UV-Vis DRS对ZnO/TiO2复合涂层进行表征;在pH=7.00的磷酸盐缓冲溶液中,分别测试ZnO/TiO2复合涂层电极在紫外灯和100 W白炽灯辐照下的电化学阻抗谱、Tafel极化曲线和循环伏安等电化学性质。结果表明：ZnO以200-300 nm晶粒分散于复合涂层中,质量百分比为0.74%;ZnO/TiO2复合涂层在可见光区有一定的吸收;在可见光辐照下ZnO/TiO2复合涂层电极具有较好的光电活性,并对水的分解具有较强的光电催化活性。