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Creating Distinctive Connections between Multifunctional Microwave Circuits and Mobile-Terminal Radio-Frequency Integrated Chips Using Integrated Passive Device Technology
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作者 Yongle Wu Mengdan Kong +1 位作者 Zheng Zhuang Weimin Wang 《China Communications》 SCIE CSCD 2021年第8期121-132,共12页
In this review,the advanced microwave devices based on the integrated passive device(IPD)technology are expounded and discussed in detail,involving the performance breakthroughs and circuit innovations.Then,the develo... In this review,the advanced microwave devices based on the integrated passive device(IPD)technology are expounded and discussed in detail,involving the performance breakthroughs and circuit innovations.Then,the development trend of IPD-based multifunctional microwave circuits is predicted further by analyzing the current research hot spots.This paper discusses a distinctive research area for microwave circuits and mobile-terminal radio-frequency integrated chips. 展开更多
关键词 CHIPS integrated passive device(ipd) MULTIFUNCTIONAL microwave circuit
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Integrated Product Development in Rhinoplasty:A Case Study
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作者 杨骁丽 刘凯 吴春茂 《Journal of Donghua University(English Edition)》 CAS 2023年第3期284-292,共9页
The 3D simulation in preoperative design for nasal plastic surgery was studied to help patients see the postoperative effects and reduce medical disputes.The study developed and clinically tested an innovative design ... The 3D simulation in preoperative design for nasal plastic surgery was studied to help patients see the postoperative effects and reduce medical disputes.The study developed and clinically tested an innovative design for surgical guides for nasal plastic surgery,which showed positive results in patient satisfaction and accuracy in achieving the preoperative simulated effect.The study also investigated the process of designing and producing nasal prostheses and how patient feedback could be obtained using third-party social media voting.Patient satisfaction information was collected and evaluated using the Likert scale,and the data statistical analysis was carried out with the SPSS19.0 software.More than 94.1% of the patients were satisfied with the postoperative results.The study provides a good reference case for the integration of knowledge and skills from the medicine,design,and engineering fields in the development of medical devices. 展开更多
关键词 integrated product development(ipd) RHINOPLASTY intraoperative navigation medical device
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Electrical characterization of integrated passive devices using thin film technology for 3D integration
3
作者 Xin SUN Yun-hui ZHU +5 位作者 Zhen-hua LIU Qing-hu CUI Sheng-lin MA Jing CHEN Min MIAO Yu-feng JIN 《Journal of Zhejiang University-Science C(Computers and Electronics)》 SCIE EI 2013年第4期235-243,共9页
With the development of 3D integration technology, microsystems with vertical interconnects are attracting attention from researchers and industry applications. Basic elements of integrated passive devices (IPDs), i... With the development of 3D integration technology, microsystems with vertical interconnects are attracting attention from researchers and industry applications. Basic elements of integrated passive devices (IPDs), including inductors, capacitors, and resistors, could dramatically save the tbotprint of the system, optimize the form factor, and improve the performance of radio frequency (RF) systems. In this paper, IPDs using thin film built-up technology are introduced, and the design and characterization of coplanar waveguides (CPWs), inductors, and capacitors are presented. 展开更多
关键词 integrated passive device (ipd Benzocyclobutcne (BCB) Thin flim 3D integration
原文传递
基于GaAs IPD的小型化高选择性X波段宽带带通滤波器 被引量:2
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作者 赵辉 刘海文 +2 位作者 冯林平 高一强 孙晓玮 《微波学报》 CSCD 北大核心 2023年第2期28-32,38,共6页
文中设计并实际开发了一种基于砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)技术的小型化高选择性宽带带通滤波器。首先,所提出的带通滤波器是通过引入集总参数谐振器来设计的,以实现高选择性和宽带性能... 文中设计并实际开发了一种基于砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)技术的小型化高选择性宽带带通滤波器。首先,所提出的带通滤波器是通过引入集总参数谐振器来设计的,以实现高选择性和宽带性能。其次,进一步研究了实现高选择性和宽带性能的工作原理。最后,为了证明所述性能,基于GaAs-IPD技术设计、制造和测量了一个紧凑型高选择性宽带带通滤波器。该滤波器工作频率覆盖了整个X波段(6~13 GHz),相对带宽为74.0%,带外实现了四个传输零点,从而实现了高选择性和良好的带外性能,芯片尺寸为0.05λ_(0)×0.03λ_(0)。比较了实测结果与电磁仿真结果,验证了该设计的可行性。 展开更多
关键词 带通滤波器 砷化镓 集成无源器件 小型化 高选择性 宽带
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基于GaAs IPD的X波段200W GaN宽带功率放大器 被引量:1
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作者 黄旭 银军 +3 位作者 余若祺 斛彦生 倪涛 许春良 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期488-492,共5页
基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)研制了一款X波段宽带内匹配大功率放大器。输入匹配电路采用高集成的GaAs集成无源元件(IPD)技术,在有限空间内实现宽带匹配。输出匹配电路采用L-C-L匹配网络及三节阻抗变换线,实现四胞匹配合成。该放大... 基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)研制了一款X波段宽带内匹配大功率放大器。输入匹配电路采用高集成的GaAs集成无源元件(IPD)技术,在有限空间内实现宽带匹配。输出匹配电路采用L-C-L匹配网络及三节阻抗变换线,实现四胞匹配合成。该放大器封装在采用铜-钼铜-铜热沉的金属陶瓷管壳内,尺寸仅为24 mm×17.4 mm×5 mm。测试结果显示,在36 V漏极电压下,8.5~10.5 GHz频带内饱和输出功率大于200 W,功率附加效率≥38%,功率增益平坦度小于0.8 dB。该功率放大器具有广阔的工程应用前景。 展开更多
关键词 GAN 内匹配 宽带 大功率 GaAs集成无源元件(ipd)
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A linear 180 nm SOI CMOS antenna switch module using integrated passive device filters for cellular applications
6
作者 崔杰 陈磊 +2 位作者 赵鹏 牛旭 刘轶 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2014年第6期114-118,共5页
A broadband monolithic linear single pole, eight throw (SP8T) switch has been fabricated in 180 nm thin film silicon-on-insulator (SOI) CMOS technology with a quad-band GSM harmonic filter in integrated passive de... A broadband monolithic linear single pole, eight throw (SP8T) switch has been fabricated in 180 nm thin film silicon-on-insulator (SOI) CMOS technology with a quad-band GSM harmonic filter in integrated passive devices (IPD) technology, which is developed for cellular applications. The antenna switch module (ASM) features 1.2 dB insertion loss with filter on 2G bands and 0.4 dB insertion loss in 3G bands, less than -45 dB isolation and maximum -103 dB intermodulation distortion for mobile front ends by applying distributed architecture and adaptive supply voltage generator. 展开更多
关键词 antenna switch module (ASM) integrated passive devices (ipd single pole eight throw (SP8T) thin film silicon-on-insulator (SOI)
原文传递
0.2~2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器 被引量:1
7
作者 张晓帆 银军 +4 位作者 倪涛 余若祺 斛彦生 王辉 高永辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第3期252-256,共5页
设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确... 设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片;设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路;基于建立的传输线变压器(TLT)的精确模型,设计了宽带阻抗变换器,在超宽频带内将50Ω的端口阻抗变换至约12.5Ω,再通过多节微带电路与预匹配后的GaN HEMT芯片实现阻抗匹配。最终,以较小的电路尺寸实现了功率放大器的超宽带性能指标。测试结果表明,功率放大器在0.2~2.0 GHz频带内,在漏极电压36 V、输入功率9 W、连续波的工作条件下,输出功率大于103 W,漏极效率大于50%,输入电压驻波比(VSWR)≤2.5。 展开更多
关键词 GaN高电子迁移率功率管(HEMT) 功率放大器 集成无源器件(ipd) 超宽带 传输线变压器(TLT)
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基于GaAs工艺的片上宽带功率分配器
8
作者 李辰辰 高一强 +3 位作者 孙晓玮 钱蓉 周健 杨明辉 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第1期95-98,共4页
提出了一种基于砷化镓—集成无源器件(GaAs-IPD)工艺的宽带3dB功率分配器。使用多节级联以及集总参数等效的方法,实现了宽带小型化设计;使用RC串联隔离网络实现宽带内的高隔离性能。对提出的功分器进行了理论分析,并以20GHz为中心频率... 提出了一种基于砷化镓—集成无源器件(GaAs-IPD)工艺的宽带3dB功率分配器。使用多节级联以及集总参数等效的方法,实现了宽带小型化设计;使用RC串联隔离网络实现宽带内的高隔离性能。对提出的功分器进行了理论分析,并以20GHz为中心频率完成设计,电路尺寸为0.04λ0×0.053λ0,λ0为中心频率处的自由空间波长。经过测试,其相对工作带宽为80%,带内插损0.7dB,端口隔离高于20dB。测试结果与仿真结果保持了良好的一致性。 展开更多
关键词 功率分配器 砷化镓工艺 宽带 集成无源器件
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基于高阻硅的毫米波IPD滤波器研究 被引量:6
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作者 吕立明 曾荣 +1 位作者 方芝清 魏启甫 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第4期87-90,共4页
5G通信迫切需要毫米波集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD),要求该类器件低成本、高性能。基于高阻硅(High Resistivity Silicon,HRS)工艺设计并加工了一款四阶交叉耦合毫米波微带滤波器,基于测试结果和有耗耦合矩阵理论... 5G通信迫切需要毫米波集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD),要求该类器件低成本、高性能。基于高阻硅(High Resistivity Silicon,HRS)工艺设计并加工了一款四阶交叉耦合毫米波微带滤波器,基于测试结果和有耗耦合矩阵理论反提取得到四阶滤波器谐振器的真实无载品质因素。进而对高阻硅基的毫米波工艺参数(例如,损耗角正切)进行修正,利用电磁仿真软件进行验证;分析了金属粗糙度对于滤波器损耗的影响。修正后的模型仿真结果和测试结果吻合较好,验证了修正后毫米波段高阻硅基参数的有效性,为芯片级毫米波无源器件的设计提供了支撑。 展开更多
关键词 毫米波 微带滤波器 高阻硅 集成无源器件
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一种基于IPD工艺应用于5G网络的带通滤波器设计 被引量:3
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作者 张磊 邢孟江 +1 位作者 李小珍 杨晓东 《通信技术》 2017年第12期2875-2878,共4页
提出了一种应用于第五代移动通信(5G)的四阶开口环谐振器耦合的带通滤波器。它可以在5G(37~42.5 GHz)频段上运行。滤波器的设计基于集成无源器件(IPD)工艺,运用了硅通孔(TSV)技术。实验结果表明,该滤波器的中心频率在39.75 GHz,带宽5.5 ... 提出了一种应用于第五代移动通信(5G)的四阶开口环谐振器耦合的带通滤波器。它可以在5G(37~42.5 GHz)频段上运行。滤波器的设计基于集成无源器件(IPD)工艺,运用了硅通孔(TSV)技术。实验结果表明,该滤波器的中心频率在39.75 GHz,带宽5.5 GHz,中心频率处的插入损耗小于1.2 d B,回波损耗大于23 d B,电压驻波比小于1.15,且滤波器的尺寸仅有1.2×1.2 mm2。可见,该滤波器具有尺寸小、插损小、带外抑制高等优点,且结构简单、加工成本低,特别适合5G频段的射频前端。 展开更多
关键词 带通滤波器 ipd 集成无源器件 开口环耦合谐振器 TSV
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基于微系统IPD工艺的功分网络制造技术 被引量:1
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作者 崔凯 李浩 +3 位作者 谢迪 张兆华 齐昆仑 孙毅鹏 《电子机械工程》 2021年第4期40-43,共4页
集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电路及高精度电阻制作是限制其广泛应用的关键问题。文中基于IPD技术设计制作了毫米波Wilkinson带状线功率分... 集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)具有高集成度、高精度、高可靠性的优势,在射频微波领域极具应用前景,但薄膜多层电路及高精度电阻制作是限制其广泛应用的关键问题。文中基于IPD技术设计制作了毫米波Wilkinson带状线功率分配/合成器,通过薄膜多层技术实现了2层苯并环丁烯(BCB)介质、3层布线的多层结构,最小线宽和线距皆为20μm。通过反应磁控溅射方法在BCB介质表面制备了50Ω/□和100Ω/□的TaN高精度薄膜电阻。片上集成的功分网络的工作频率为30-40 GHz,频带内各个端口的回波损耗为-15dB,插入损耗为(4.6±0.2)dB。该研究突破了硅基薄膜多层高密度布线技术,制作了功分器并对其进行了测试,为射频微系统无源网络一体化集成提供了有效的解决方案。 展开更多
关键词 射频微系统 集成无源器件 功分器 多层薄膜 氮化钽薄膜电阻
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基于硅基IPD技术的新型S波段带通滤波器设计 被引量:3
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作者 方芝清 唐高弟 +2 位作者 吕立明 曾荣 李智鹏 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期347-352,共6页
将无源器件内埋或集成在封装基板中,是射频系统级封装(SIP)的小型化面临的首要问题之一。基于硅基集成无源器件(IPD)技术,借鉴经典的级联四角元件(CQ)滤波器拓扑,提出一种四电感互耦结构。利用集总LC谐振器和分布式互感耦合原理,... 将无源器件内埋或集成在封装基板中,是射频系统级封装(SIP)的小型化面临的首要问题之一。基于硅基集成无源器件(IPD)技术,借鉴经典的级联四角元件(CQ)滤波器拓扑,提出一种四电感互耦结构。利用集总LC谐振器和分布式互感耦合原理,在交叉耦合节点处以加载电容的方式引入频变耦合节点,实现了一款新颖的S波段四阶带通滤波器,尺寸仅为1.5 mm×1 mm,其通带内最小插损约为-3.5 dB@2.8 GHz,-1 dB带宽为2.63~2.96 GHz,在带外形成两个传输零点位置:-41.5 dB@2.29 GHz和-26 dB@3.34 GHz。该滤波器结构形式新颖,可以整体集成到硅基板中,为射频系统级封装一体化集成提供支持。 展开更多
关键词 带通滤波器 集成无源器件(ipd) 系统级封装(SIP) 频变耦合 互感电感结构
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基于0.15μm GaAs工艺的高阻带抑制低通滤波器设计
13
作者 姜严 吴啸鸣 +3 位作者 闫慧君 王文斌 嵇华龙 施永荣 《电子与封装》 2024年第10期69-72,共4页
射频低通滤波器是射频电路的重要组件之一,它基于电感和电容的特性,具有阻止高频信号而通过低频信号的作用。基于GaAs集成无源器件技术,使用ADS仿真软件,在滤波器设计中的特定位置使用不同品质因数(Q值)的电感,最终设计实现了一款性能... 射频低通滤波器是射频电路的重要组件之一,它基于电感和电容的特性,具有阻止高频信号而通过低频信号的作用。基于GaAs集成无源器件技术,使用ADS仿真软件,在滤波器设计中的特定位置使用不同品质因数(Q值)的电感,最终设计实现了一款性能优良的高阻带抑制低通滤波器。测试结果表明,在通带DC~17 GHz内,滤波器插入损耗≤2.28 dB,回波损耗≥14.5 dB,其带外抑制在22 GHz处达到23 dB,在26~50 GHz处≥43 dB,芯片尺寸为1.4 mm×0.55 mm×0.1 mm,该滤波器性能优异。 展开更多
关键词 低通滤波器 GAAS 集成无源器件 高阻带
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基于IPD工艺的滤波器设计 被引量:2
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作者 李鹏浩 吴蓉 +4 位作者 马骁 杨新豪 陈思婷 邱昕 郭瑞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期313-319,共7页
采用集成无源器件(IPD)工艺设计并实现了一款9阶椭圆低通滤波器和一款9阶椭圆高通滤波器。利用设计软件对电感元件、滤波器中的串联和并联谐振支路以及滤波器整体进行设计布局以及电磁仿真优化。低通滤波器芯片尺寸为0.65 mm×1 mm&... 采用集成无源器件(IPD)工艺设计并实现了一款9阶椭圆低通滤波器和一款9阶椭圆高通滤波器。利用设计软件对电感元件、滤波器中的串联和并联谐振支路以及滤波器整体进行设计布局以及电磁仿真优化。低通滤波器芯片尺寸为0.65 mm×1 mm×0.1 mm,高通滤波器芯片尺寸为0.7 mm×1.3 mm×0.1 mm。芯片测试结果显示,低通滤波器的-3 dB截止频率高于4.85 GHz,带外抑制在5.89~16.8 GHz内大于35 dB;高通滤波器的-3 dB截止频率低于6.35 GHz,带外抑制在5.17 GHz以下时大于35 dB。这两款滤波器在所需的工作频率范围内与设计指标吻合良好,达到了设计要求。 展开更多
关键词 集成无源器件(ipd) 高通滤波器 低通滤波器 电感 谐振
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基于IPD工艺的无反射带阻滤波器 被引量:1
15
作者 唐子舜 邢孟江 +2 位作者 侯明 李小珍 代传相 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2020年第11期96-100,共5页
设计了一款基于集成无源器件(IPD)技术的无反射带阻滤波器。它能将阻带反射回的信号吸收掉,从而可以提高电路的线性度。在无反射低通滤波器的电路拓扑结构下,采用变换的形式设计出电路,使用电子设计自动化软件(ADS)和三维全波电磁场仿... 设计了一款基于集成无源器件(IPD)技术的无反射带阻滤波器。它能将阻带反射回的信号吸收掉,从而可以提高电路的线性度。在无反射低通滤波器的电路拓扑结构下,采用变换的形式设计出电路,使用电子设计自动化软件(ADS)和三维全波电磁场仿真软件(HFSS)完成无反射带阻滤波器的建模与仿真。该滤波器的中心频率为4.11 GHz,阻带频段为1.52~6.70 GHz,阻带抑制大于等于14.47 dB,通带插入损耗小于0.7 dB,相对带宽为79%。在毫米波滤波器引入IPD结构,使得滤波器更加小型化,有利于优化滤波器的尺寸,模型的整体尺寸仅为0.9 mm×1 mm×0.1 mm。通过三维电磁仿真实验,验证了该无反射带阻滤波器的可行性。 展开更多
关键词 集成无源器件(ipd) 带阻滤波器 无反射 毫米波
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系统集成中的高阻硅IPD技术 被引量:5
16
作者 刘勇 《现代电子技术》 2014年第14期128-131,共4页
集成无源器件(IPD)技术可以将分立的无源器件集成在衬底内部,提高器件Q值及系统集成度。由于高阻硅衬底具有良好的射频特性,高阻硅IPD技术可以制备出Q值高达70以上的电感。高阻硅IPD基于薄膜技术具有高精度、高集成度等特点,可将无源器... 集成无源器件(IPD)技术可以将分立的无源器件集成在衬底内部,提高器件Q值及系统集成度。由于高阻硅衬底具有良好的射频特性,高阻硅IPD技术可以制备出Q值高达70以上的电感。高阻硅IPD基于薄膜技术具有高精度、高集成度等特点,可将无源器件特征尺寸缩小一个数量级。同时可利用成熟的硅工艺平台,便于批量生产降低成本。此外,高阻硅IPD技术可与硅通孔(TSV)技术兼容,可实现三维叠层封装。分析表明,高阻硅IPD技术在系统集成中具有广泛应用前景。 展开更多
关键词 ipd 系统集成 高阻硅 无源器件 滤波器
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一种基于IPD工艺的新型小型化前向波定向耦合器 被引量:1
17
作者 易鑫 钱兴成 +2 位作者 施永荣 沈一鸣 于正永 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第6期416-420,共5页
提出了一种基于LC单元电路拓扑结构的新型前向波定向耦合器,通过集成无源器件工艺制作以实现小型化设计。测试结果表明:在6.3~8.5 GHz频段范围内,耦合器的耦合系数为-5.5 dB,直通传输系数为-8dB,相对带宽为29.72%,电路总尺寸为3.60 mm&#... 提出了一种基于LC单元电路拓扑结构的新型前向波定向耦合器,通过集成无源器件工艺制作以实现小型化设计。测试结果表明:在6.3~8.5 GHz频段范围内,耦合器的耦合系数为-5.5 dB,直通传输系数为-8dB,相对带宽为29.72%,电路总尺寸为3.60 mm×1.57 mm,有利于小型化集成。 展开更多
关键词 前向波耦合器 小型化 集成无源器件
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基于IPD工艺的高通滤波器芯片设计 被引量:4
18
作者 易康 邢孟江 +2 位作者 侯明 李小珍 代传相 《通信技术》 2020年第1期230-234,共5页
设计采用了集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺设计了一款集总式紧凑型椭圆函数高通滤波器。设计采用砷化镓GaAs作为衬底材料,基于寄生参数和等效电路模型对螺旋电感和MIM(金属-介质-金属)电容进行理论分析,并在三维电磁... 设计采用了集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺设计了一款集总式紧凑型椭圆函数高通滤波器。设计采用砷化镓GaAs作为衬底材料,基于寄生参数和等效电路模型对螺旋电感和MIM(金属-介质-金属)电容进行理论分析,并在三维电磁场仿真软件HFSS中进行建模与仿真。经过调试,该模型截止频率9.2 GHz,在9.8 GHz通带上插入损耗小于2 dB,在0~7.2 GHz阻带抑制>30 dB,尺寸仅为640μm×865μm×84μm,有效缩小了无源滤波器的尺寸,验证了基于GaAs IPD工艺的集总式高通滤波器设计的可行性。 展开更多
关键词 集成无源器件(ipd) 高通滤波器 砷化镓(GaAs) 寄生参数 螺旋电感 MIM电容
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一种GaAs IPD的宽阻带低通滤波器设计 被引量:4
19
作者 易康 邢孟江 +2 位作者 侯明 李小珍 代传相 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第6期57-60,共4页
针对传统低通滤波器尺寸小、阻带范围小的问题,在砷化镓(GaAs)衬底上采用集成无源器件(IPD)工艺设计了一款宽阻带低通滤波器。在切比雪夫型低通滤波器电路上引入两传输零点以提高滚降度,在HFSS中对该电路结构进行建模与仿真,并进行实物... 针对传统低通滤波器尺寸小、阻带范围小的问题,在砷化镓(GaAs)衬底上采用集成无源器件(IPD)工艺设计了一款宽阻带低通滤波器。在切比雪夫型低通滤波器电路上引入两传输零点以提高滚降度,在HFSS中对该电路结构进行建模与仿真,并进行实物加工与测试。测试结果表明:所设计的滤波器截止频率为11.1 GHz,在15~30 GHz范围内的阻带衰减量大于30 dB,整体尺寸仅为800μm×650μm×111.96μm。 展开更多
关键词 砷化镓 宽阻带 传输零点 低通滤波器 集成无源器件
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一种IPD吸收式低通滤波器的设计 被引量:2
20
作者 徐珊 邢孟江 +2 位作者 李小珍 代传相 杨晓东 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期89-92,96,共5页
为解决反射信号损害系统性能的问题,提出了一种具有高带外抑制和高带外吸收的小型化吸收式低通滤波器。该滤波器通过高通通路和低通通路实现了吸收式低通滤波器;通过抑制增益支路实现了高带外抑制。利用ADS和HFSS仿真软件对滤波器结构... 为解决反射信号损害系统性能的问题,提出了一种具有高带外抑制和高带外吸收的小型化吸收式低通滤波器。该滤波器通过高通通路和低通通路实现了吸收式低通滤波器;通过抑制增益支路实现了高带外抑制。利用ADS和HFSS仿真软件对滤波器结构进行优化设计,并进行了实物的加工和测试。实测结果表明:该滤波器的3 dB截止频率为4 GHz,其带内最小插入损耗0.88 dB,通带内DC到3.5 GHz的回波损耗大于20 dB,阻带回波损耗大于10 dB,10.5 GHz处的阻带抑制大于45dB,从8 GHz到30 GHz的带外抑制大于33 dB,实测结果与仿真结果有较好的吻合。该滤波器尺寸仅为1220μm×650μm×87.71μm,相比传统PCB、LTCC工艺的滤波器,体积大大缩小,符合现代射频与微波系统小型化的发展趋势。 展开更多
关键词 吸收式滤波器 集成无源器件 小型化 高带外抑制 高带外吸收
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