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单室沉积本征微晶硅薄膜及其在电池中的应用 被引量:6
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作者 王光红 张晓丹 +7 位作者 孙福河 许盛之 岳强 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 赵颖 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期637-641,共5页
为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜。通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合... 为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜。通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合适的本征层和p种子层处理B污染的技术,在单室中制备出光电转换效率为6.23%(1cm2)的单结μc-Si电池。 展开更多
关键词 单室 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD) 本征微晶硅(μc-si) 太阳电池
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