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题名基于FPGA控制的NAND Flash存储设计
被引量:15
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作者
刘东海
任勇峰
储成君
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机构
中北大学电子测试技术国家重点实验室
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出处
《科学技术与工程》
北大核心
2013年第34期10349-10353,共5页
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文摘
为实现大容量存储电路的设计,以FPGA作为控制核心,Flash作为存储芯片,采用组合指令的设计方法,提高控制指令的可靠性,并对其进行有限状态机检测,最大限度防止无效指令;针对存储芯片坏块问题,建立一种快速实时更新的无效块地址列表,将所有无效块地址存储在FPGA内部RAM中,通过地址对比,实现数据的可靠存储。该设计具有一定的通用性,可以扩展到所有类似Flash存储系统中,对其他的电路具有一定的借鉴意义。
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关键词
FLASH
FPGA
三线控制
无效块地址列表
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Keywords
flash
FPGA
three-wire control
invalid block address list
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分类号
TP333
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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