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基于FPGA控制的NAND Flash存储设计 被引量:15
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作者 刘东海 任勇峰 储成君 《科学技术与工程》 北大核心 2013年第34期10349-10353,共5页
为实现大容量存储电路的设计,以FPGA作为控制核心,Flash作为存储芯片,采用组合指令的设计方法,提高控制指令的可靠性,并对其进行有限状态机检测,最大限度防止无效指令;针对存储芯片坏块问题,建立一种快速实时更新的无效块地址列表,将所... 为实现大容量存储电路的设计,以FPGA作为控制核心,Flash作为存储芯片,采用组合指令的设计方法,提高控制指令的可靠性,并对其进行有限状态机检测,最大限度防止无效指令;针对存储芯片坏块问题,建立一种快速实时更新的无效块地址列表,将所有无效块地址存储在FPGA内部RAM中,通过地址对比,实现数据的可靠存储。该设计具有一定的通用性,可以扩展到所有类似Flash存储系统中,对其他的电路具有一定的借鉴意义。 展开更多
关键词 FLASH FPGA 三线控制 无效块地址列表
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