用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻

提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触。通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布。计算发现InGaN/AlGaN超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用。最后,利用p-InGaN/AlGaN超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27×10-5Ω.cm2的良好欧姆接触。