三维电催化氧化法处理含P204废水的试验研究

为研究三维电催化氧化技术处理含二(2-乙基己基)磷酸酯(P204)废水的效果,选用3种不同类型的电极为阳极、不锈钢板为阴极,以负载铁锰复合氧化物的活性炭为粒子电极构建三维电解体系,探讨了不同阳极材料对废水COD去除效果的影响,并通过单因素及正交试验考察粒子电极投加量、废水初始pH值、电解时间及电流密度等因素对废水COD去除率的影响。试验结果表明,含锡锑中间层的钛基二氧化铅电极优于钛基钌铱电极和石墨电极;三维电解体系的最佳工艺参数为:粒子电极投加量为100 g/L,废水初始pH值为6,电解时间为80 min,电流密度为50 mA/cm2;各因素的影响程度:电流密度>废水pH值>电解时间>粒子电极投加量;在最佳反应条件下连续进行49次重复电解试验,COD去除率仍能维持在93.5%以上,表明该三维电解体系具有良好的电催化活性和稳定性。

耐高温抗氧化铱涂层的研究现状

金属铱具有高熔点和良好的抗氧化性能,是1 800℃以上高温抗氧化涂层的首选材料。通过对国内外制备耐高温抗氧化铱涂层的研究现状进行了综述,探讨了铼基底上铱涂层的主要失效机制,分析了复合沉积技术对于制备高致密、高稳定性铱涂层的意义。

高温抗氧化铱涂层复合制备技术展望

金属铱具有高熔点及低氧渗透率,是理想的氧气扩散屏障材料,为重要的高温抗氧化防护涂层材料之一,在航空航天领域具有广阔的应用前景。综述了目前较常采用的几种铱涂层制备技术的特点,在对比现有铱涂层制备方法的基础上,提出了原子层沉积/化学气相沉积复合制备技术。分析了该复合制备技术在铱涂层制备方面的优势,并指出发展原子层沉积/化学气相沉积复合制备技术尚需解决的几个关键问题。

氧化铱/聚多巴胺/层粘连蛋白仿生涂层的制备

神经电极的生物相容性是制约植入式神经假体长期使用功效的核心要素,对电极表面进行修饰改性可有效提高电极活性。本研究利用射频磁控溅射和循环伏安法在钛基体表面形成氧化铱薄膜,通过多巴胺氧化自聚合修饰氧化铱薄膜,进一步在涂层表面接枝层粘连蛋白实现二次功能化,完成仿生涂层的构建。对涂层的理化性质研究表明,其机械稳定性较好,表面亲水性以及电化学性能得到显著提高,并且无细胞毒性,促细胞粘附能力较好。

BMIC离子液体中电沉积制备Ir层研究

在BMIC离子液体中利用恒电压电沉积的方法在Pt基体上制备出表面平整且相对比较致密的Ir层。利用扫描电子显微镜和能谱仪(EDS)对Ir层的表面形貌和成分进行了分析。结果表明:在纯BMIC离子液体中恒电压电沉积时无法获得Ir层;加入乙二醇和提高温度均能够有效提高IrCl3在BMIC离子液体中的溶解度,从而有利于电沉积获得Ir层;Ir层表面随着BMIC与乙二醇的摩尔比的增大而变得粗糙;过低的恒电压电沉积时无法获得Ir层,而过高的恒电压又会使获得的Ir层非常疏松;较低的电沉积温度得不到Ir层,而较高的电沉积温度所获得的Ir层裂纹较大。

(t-bt)_2Ir(acac)超薄层厚度对有机电致发光器件性能的影响

以新型铱配合物黄光磷光染料bis[2-(4-tertbutylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]为超薄层,制备了结构为indiumtinoxide(ITO)/N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzi-dine(NPB)(45 nm)/(t-bt)2Ir(acac)(d)/NPB(5 nm)/2,2′,2′′(1,3,5-benzenetriyl)tris-(1-phenyl-1H-benzimid-azole)(TPBI)(30 nm)/Mg:Ag(200 nm)的有机电致发光器件(OLED)。通过改变超薄磷光发光层的厚度,研究了厚度对器件电致发光(EL)性能的影响。结果表明,当磷光染料层厚度为0.20 nm时,器件的最大发光亮度近18400 cd/m2,并在6 V电压下可实现CIE色坐标为(0.33,0.32)的白光发射;当磷光层厚度为0.10 nm时,器件的最大功率效率为5.4lm/W。分析表明,器件的高性能是由于磷光染料的直接载流子捕获可限制复合发光区域,以及NPB向磷光染料的能量传递的共同作用。

原子层沉积制备铱薄膜的特性研究

以乙酰丙酮铱[Ir(acac)3]和高纯氧为前驱体,采用原子层沉积(ALD)方法在基板温度为340℃的石英玻璃和硅基板上制备了金属铱薄膜。采用反射光谱测试仪、X射线电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等手段对不同厚度薄膜的微结构、表面形貌和光学性能进行了研究。结果表明,原子层沉积制备的Ir薄膜中元素纯度较高(大于95%),表面粗糙度低,并呈现多晶纳米颗粒。同时,Ir薄膜在紫外波段表现出较好的光学特性,可以用于制作Ir金属紫外光栅等光学器件。