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Transfer of Machined Patterns on an Aluminum Plate to Pyrex Glass Using Reactive Ion Etching SF_(6) Plasma without Masks
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作者 Carlos M.Ortiz-Lima Fernando J.Quinones-Novelo +1 位作者 Alberto Jaramillo-Nunez Jorge Castro-Ramos 《Journal of Surface Engineered Materials and Advanced Technology》 2014年第5期262-269,共8页
A method for etching the surface of a Pyrex glass substrate using the Reactive Ion Etching process without the use of masks is reported. Variations in the machined surface on an auxiliary plate, manufactured in alumin... A method for etching the surface of a Pyrex glass substrate using the Reactive Ion Etching process without the use of masks is reported. Variations in the machined surface on an auxiliary plate, manufactured in aluminum and placed below a Pyrex glass slide, were transferred to the upper surface of the substrate. SF6 as etching gas and low pressure chamber to promote the increase of mean free path of ions were used. Two etching ratios were found, general, that affects the entire surface of the substrate, and differential, which generates the relief on the surface of the glass. Differential etching depth showed a linear behavior with respect to time;the mean differential etching rate obtained was 43 nm/min. The same phase between the auxiliary plate machining and the etched pattern on the substrate is preserved. With this technique it was possible to manufacture convex and concave surfaces;some examples are given. The arithmetic mean roughness achieved with the proposed method was found to be N1 class, ideal for the development of optical corrector plates. 展开更多
关键词 reactive ion etching No Masking rie SF_(6) Plasma etching
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Fabrication of Diamond Microstructures by Using Dry and Wet Etching Methods
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作者 张继成 周民杰 +1 位作者 吴卫东 唐永建 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第6期552-554,共3页
Diamond films have great potential for micro-electro-mechanical system(MEMS) application.For device realization,precise patterning of diamond films at micrometer scale is indispensable.In this paper,simple and facil... Diamond films have great potential for micro-electro-mechanical system(MEMS) application.For device realization,precise patterning of diamond films at micrometer scale is indispensable.In this paper,simple and facile methods will be demonstrated for smart patterning of diamond films,in which two etching techniques,i.e.,plasma dry etching and chemical wet etching(including isotropic-etching and anisotropic-etching) have been developed for obtaining diamond microstructures with different morphology demands.Free-standing diamond micro-gears and micro-combs were achieved as examples by using the experimental procedures.It is confirmed that as-designed diamond structures with a straight side wall and a distinct boundary can be fabricated effectively and efficiently by using such methods. 展开更多
关键词 MEMS diamond film FREE-STANDING reactive ion etching anisotropic and isotropic wet etching
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基于ICP-RIE工艺和共晶键合技术的微引擎
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作者 周鑫 赖丽燕 李以贵 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第9期1481-1487,共7页
针对便携式设备的电源存在能量密度不够、电池寿命短、回收利用困难以及难以实现小型化等问题,设计了一种氢气作为燃料的微型往复式引擎来替代小型电源,其整体设计尺寸为52 mm×43 mm×4 mm。利用绝缘体上硅(SOI)基板制作了微... 针对便携式设备的电源存在能量密度不够、电池寿命短、回收利用困难以及难以实现小型化等问题,设计了一种氢气作为燃料的微型往复式引擎来替代小型电源,其整体设计尺寸为52 mm×43 mm×4 mm。利用绝缘体上硅(SOI)基板制作了微型往复式引擎的零部件,包括上下盖板、燃烧室、活塞、弹簧和点火装置等;利用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICPRIE)得到垂直度接近90°的硅燃烧室、活塞等部件;利用Au-Si共晶键合等关键工艺,保证了上、下盖板与燃烧室等部件之间的气密性。为了验证微引擎的的可行性,搭建了一套测量燃烧压及活塞往复运动的实验装置,测得最大燃烧压约为50 kPa,活塞最大行程长度为1.6 mm,因此其具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 微型往复式引擎 燃烧室 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-rie) 共晶键合 燃烧压 活塞
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石英玻璃刻蚀浅锥孔阵列的工艺研究 被引量:1
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作者 乌李瑛 刘丹 +7 位作者 权雪玲 程秀兰 张芷齐 高庆学 付学成 徐丽萍 张文昊 马玲 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期434-441,共8页
介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻... 介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻璃的刻蚀性能、表面轮廓、蚀刻速率和侧壁倾角的影响。结果表明:刻蚀气体种类对石英浅锥孔阵列刻蚀效果有显著影响,CF_(4)和Ar的组合气体所刻蚀的石英锥孔阵列的效果最佳,随着CF_(4)气体流量比的增加,石英刻蚀倾角先降低后又小幅增加,当刻蚀气体(CF_(4)∶Ar)流量比在5∶3时,石英刻蚀速率为0.154μm/min,光刻胶刻蚀速率为0.12μm/min,得到的石英浅锥孔倾角最倾斜。在其他刻蚀参数一定的情况下,ICP功率由600W升高至800W,石英刻蚀速率大幅降低,聚合物的沉积成为刻蚀工艺的主导;刻蚀石英的粗糙度Rq随着ICP功率的降低明显增加;RF功率升高时刻蚀石英的速率增加,Rq值增加后又降低,当RF功率升高至200W时,光刻胶发生碳化现象。可为石英玻璃微器件的制备提供工艺参考。 展开更多
关键词 电感耦合反应离子刻蚀 石英玻璃 干法刻蚀 等离子体 刻蚀倾角 微透镜阵列 锥孔
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Fabrication of metal suspending nanostructures by nanoimprint lithography(NIL) and isotropic reactive ion etching(RIE)
5
作者 XIE GuoYong ZHANG Jin +3 位作者 ZHANG YongYi ZHANG YingYing ZHU Tao LIU ZhongFan 《Science China(Technological Sciences)》 SCIE EI CAS 2009年第5期1181-1186,共6页
We report herein a rational approach for fabricating metal suspending nanostructures by nanoimprint lithography(NIL) and isotropic reactive ion etching(RIE).The approach comprises three principal steps:(1) mold fabric... We report herein a rational approach for fabricating metal suspending nanostructures by nanoimprint lithography(NIL) and isotropic reactive ion etching(RIE).The approach comprises three principal steps:(1) mold fabrication,(2) structure replication by NIL,and(3) suspending nanostructures creation by isotropic RIE.Using this approach,suspending nanostructures with Au,Au/Ti or Ti/Au bilayers,and Au/Ti/Au sandwiched structures are demonstrated.For Au nanostructures,straight suspending nanostructures can be obtained when the thickness of Au film is up to 50 nm for nano-bridge and 90 nm for nano-finger patterns.When the thickness of Au is below 50 nm for nano-bridge and 90 nm for nano-finger,the Au suspending nanostructures bend upward as a result of the mismatch of thermal expansion between the thin Au films and Si substrate.This leads to residual stresses in the thin Au films.For Au/Ti or Ti/Au bilayers nanostructures,the cantilevers bend toward Au film,since Au has a larger thermal expansion coefficient than that of Ti.While in the case of sandwich structures,straight suspending nanostructures are obtained,this may be due to the balance of residual stress between the thin films. 展开更多
关键词 suspending NANOSTRUCTURE FABRICATion NANOIMPRINT lithography(NIL) isotropic reactive ion etching(rie)
原文传递
4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀 被引量:4
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作者 王进泽 杨香 +7 位作者 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨富华 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2015年第1期59-63,共5页
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB... 传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响。实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小。HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用。在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-rie) SF6/O2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率
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Fabrication of High-Density Out-of-Plane Microneedle Arrays with Various Heights and Diverse Cross-Sectional Shapes 被引量:2
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作者 Hyeonhee Roh Young Jun Yoon +4 位作者 Jin Soo Park Dong-Hyun Kang Seung Min Kwak Byung Chul Lee Maesoon Im 《Nano-Micro Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期60-78,共19页
Out-of-plane microneedle structures are widely used in various applications such as transcutaneous drug delivery and neural signal recording for brain machine interface.This work presents a novel but simple method to ... Out-of-plane microneedle structures are widely used in various applications such as transcutaneous drug delivery and neural signal recording for brain machine interface.This work presents a novel but simple method to fabricate high-density silicon(Si)microneedle arrays with various heights and diverse cross-sectional shapes depending on photomask pattern designs.The proposed fabrication method is composed of a single photolithography and two subsequent deep reactive ion etching(DRIE)steps.First,a photoresist layer was patterned on a Si substrate to define areas to be etched,which will eventually determine the final location and shape of each individual microneedle.Then,the 1st DRIE step created deep trenches with a highly anisotropic etching of the Si substrate.Subsequently,the photoresist was removed for more isotropic etching;the 2nd DRIE isolated and sharpened microneedles from the predefined trench structures.Depending on diverse photomask designs,the 2nd DRIE formed arrays of microneedles that have various height distributions,as well as diverse cross-sectional shapes across the substrate.With these simple steps,high-aspect ratio microneedles were created in the high density of up to 625 microneedles mm^(-2)on a Si wafer.Insertion tests showed a small force as low as~172μN/microneedle is required for microneedle arrays to penetrate the dura mater of a mouse brain.To demonstrate a feasibility of drug delivery application,we also implemented silk microneedle arrays using molding processes.The fabrication method of the present study is expected to be broadly applicable to create microneedle structures for drug delivery,neuroprosthetic devices,and so on. 展开更多
关键词 MICRONEEDLE Various heights Cross-sectional shapes isotropic etch Deep reactive ion etching
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多晶硅的反应离子刻蚀(RIE)制绒绒面研究 被引量:1
8
作者 张婷 郭永刚 +2 位作者 屈小勇 陈璐 王举亮 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第10期2090-2094,共5页
实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流。实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进... 实验基于反应离子刻蚀(Reaction Ion Eatching RIE)技术进行的多晶硅片纳米绒面制备,这种结构的绒面可明显降低晶体硅电池反射率,提高电池短路电流。实验具体指将多晶硅片在同一条件混酸溶液中腐蚀去除表面损伤,然后利用RIE制绒技术进行不同尺寸纳米绒面制备,根据绒面变化分别调整工艺进行清洗及电池制备,发现绒面小到一定程度时RIE制绒过程造成的损伤不易清洗去除且抗反射Si Nx膜沉积困难。所以多晶硅片RIE制绒不可单纯的追求小绒面和低反射率,实验证明纳米绒面凹坑尺寸最小应控制在240~360 nm才能更稳定地匹配清洗、沉积抗反射膜等工艺从而制备出高光电转换效率的多晶硅电池。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀(rie) 纳米凹坑绒面 反射率 Sil膜沉积
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故障树分析法在RIE故障诊断中的应用
9
作者 马培圣 《电子工业专用设备》 2013年第5期62-64,共3页
基于半导体刻蚀技术,对RIE(反应离子刻蚀)的技术原理和等离子启辉原理进行了阐述,概括介绍了故障树分析法,绘制了启辉故障的故障树,分析了造成该故障的各种原因,并根据维修经验介绍了APC(自动压力控制)故障和AMU(自动匹配网络)故障等一... 基于半导体刻蚀技术,对RIE(反应离子刻蚀)的技术原理和等离子启辉原理进行了阐述,概括介绍了故障树分析法,绘制了启辉故障的故障树,分析了造成该故障的各种原因,并根据维修经验介绍了APC(自动压力控制)故障和AMU(自动匹配网络)故障等一些典型因素的处理方法。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 等离子 故障树 自动压力控制 自动匹配网络
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金刚石纳米锥坑阵列结构的制备
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作者 谭心 潘超 +2 位作者 贺占清 祁晖 杨桥 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第1期116-123,共8页
采用电感耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)技术刻蚀金刚石薄膜,通过调整刻蚀功率、角度及时间等工艺参数,低成本且高效率地实现了排列整齐的圆形纳米锥坑阵列的可控化制备。对纳米锥坑的制备过程进行深入研究,发现可通过调节刻蚀角度与偏压功... 采用电感耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)技术刻蚀金刚石薄膜,通过调整刻蚀功率、角度及时间等工艺参数,低成本且高效率地实现了排列整齐的圆形纳米锥坑阵列的可控化制备。对纳米锥坑的制备过程进行深入研究,发现可通过调节刻蚀角度与偏压功率控制氧等离子对金刚石进行高度方向性的刻蚀。荧光检测结果表明,直径为80~120 nm、深度为90~130 nm的纳米锥坑阵列结构可使金刚石薄膜内NV0色心的荧光强度增加21%,SiV-色心的荧光强度增加49%。使用时域有限差分方法对增强原因进行探究,发现纳米锥坑对泵浦激发光有局限作用,并且可在纳米锥坑附近形成法布里-珀罗共振腔,使色心的自发辐射速率加快,进而增加其荧光强度。 展开更多
关键词 纳米锥坑 金刚石薄膜 电感耦合反应离子刻蚀(ICP-rie) 刻蚀方向性 荧光增强
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基于介电泳微流控芯片实现amol级分子量检测
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作者 周博华 林琳 +1 位作者 赖丽燕 李以贵 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第5期770-778,共9页
设计并制作了一种快速检测宫颈癌细胞C4II的微流控芯片。制作的微芯片结构是采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺制备的硅模具为核心的复合结构,微芯片中包含一个10×10的微腔室阵列,单个微腔室底面半径40μm,高度500... 设计并制作了一种快速检测宫颈癌细胞C4II的微流控芯片。制作的微芯片结构是采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺制备的硅模具为核心的复合结构,微芯片中包含一个10×10的微腔室阵列,单个微腔室底面半径40μm,高度500μm,整个微腔室的理论溶液体积达到250 pL。荧光检测系统采用波长(340±15)nm的激发光滤波片和波长(480±30)nm的接收光滤波片的最佳滤光类型,同时利用介电泳(DEP)法浓缩核酸以及采用硅烷偶联法固定核酸探针OMU-opy2来增加荧光强度。实验结果表示,该微流控芯片能检测到有效荧光的样品溶液最低浓度可低至7.8 nmol/L,从而微芯片的RNA分子量检测极限提升至1.9 amol。 展开更多
关键词 微流控芯片 介电泳(DEP) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-rie) 微腔室 核酸探针 滤波片
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InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究 被引量:6
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作者 张国栋 徐淑丽 +2 位作者 赵鸿燕 朱炳金 李小宏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期948-951,共4页
利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损... 利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元(面积23μm×23μm)的动态阻抗(Rd)大于100 MΩ。 展开更多
关键词 INSB 感应耦合等离子 反应刻蚀 台面形貌 I-V曲线
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聚酰亚胺微刻蚀加工工艺研究 被引量:3
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作者 董拴成 苑伟政 +2 位作者 马炳和 邓进军 郝日鹏 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第5期323-327,共5页
研究了RIE刻蚀聚酰亚胺的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度与不同加工工艺参数(包括射频功率、腔室压力、刻蚀气体成分等)之间的相互关系。刻蚀速率与射频功率、腔室压力都呈线性关系,与气体成分的关系是低SF6含量时呈线性,高SF6含量时出现饱... 研究了RIE刻蚀聚酰亚胺的刻蚀速率、刻蚀表面粗糙度与不同加工工艺参数(包括射频功率、腔室压力、刻蚀气体成分等)之间的相互关系。刻蚀速率与射频功率、腔室压力都呈线性关系,与气体成分的关系是低SF6含量时呈线性,高SF6含量时出现饱和。刻蚀面的粗糙度几乎不受腔室压力的影响,而射频功率高于300 W和低SF6含量时粗糙度会急剧上升。采用腔室压力40 Pa、功率275 W、O2流量80 cm3/min、SF6流量20 cm3/min,通过RIE刻蚀获得了深度为39.5μm的微腔结构,为形成柔性基底空腔以及上悬结构等提供了技术基础。此外,对柔性基底固定技术进行了研究,提出了一种有效固定聚酰亚胺膜的新工艺方法。 展开更多
关键词 酰亚胺 等离子体刻蚀 柔性微结构 聚酰亚胺膜固定 微腔成型
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反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响 被引量:2
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作者 郭立建 韩军 +3 位作者 邢艳辉 王凯 赵康康 于保宁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期384-389,共6页
通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体(... 通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C肖特基势垒二极管电学性能的影响。研究表明,刻蚀速率和Si C表面形貌都会受到RF功率、压强和刻蚀气体(SF6和O2)流量的影响。在高的RF功率下,观察到在Si C表面形成的刻蚀损伤(凹陷坑和锥形坑)。研究表明,这些刻蚀损伤的形成和Si C材料自身的缺陷有关,而且这些刻蚀损伤的存在会导致Si C肖特基二极管正反向I-V性能发生恶化。在刻蚀损伤严重的情况下,对比正反向I-V测试结果发现,在0~50 V的绝对电压范围内,正向电流甚至远小于反向电流。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀(rie) 碳化硅(SiC) 肖特基二极管 刻蚀损伤 电流-电压特性
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反应离子刻蚀InSb芯片引入的损伤研究 被引量:2
15
作者 温涛 张影 +1 位作者 肖钰 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期622-624,共3页
应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析。实验证实利用干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法能有效地减少刻蚀引入的缺陷和损伤,获得较好的电学特性,达到低损伤刻蚀InSb材料的目的。
关键词 反应离子刻蚀 INSB 刻蚀损伤 I-V曲线
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电子回旋共振等离子体技术新进展 被引量:2
16
作者 恩云飞 杨银堂 孙青 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期425-434,共10页
叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有密度高、电离度大... 叙述了电子回旋共振(ECR)微波等离子体技术的基本工作原理、主要特点以及发展概况,着重从ECR等离子体实验系统、工艺应用、诊断技术和机理研究等方面对ECR技术进行了讨论。由于ECR微波等离子体技术具有密度高、电离度大、工作气压低、表面损伤小等特点,在反应离子刻蚀(RIE)、等离子体化学气相淀积(CVD)和溅射方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体 刻蚀 VLSI
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EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究 被引量:1
17
作者 任洁 傅莉 +1 位作者 孙玉宝 査钢强 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第4期523-526,共4页
采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气... 采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。 展开更多
关键词 氧气反应离子刻蚀(rie) EPG 535光刻胶 碲锌镉晶片 表面粗糙度 刻蚀速率
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亚微米间距PECVD填隙工艺研究 被引量:1
18
作者 王学毅 王飞 +2 位作者 冉明 刘嵘侃 杨永晖 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第1期60-63,共4页
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金... 将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。 展开更多
关键词 等离子增强化学气相淀积(PECVD) 二氧化硅(SiO2) 反应离子刻蚀(rie) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞
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SF_6/O_2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究 被引量:1
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作者 程正喜 郭育林 周嘉 《微细加工技术》 EI 2007年第1期56-59,共4页
通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而... 通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理。研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小。Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 AL SF6/O2 催化作用
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场致发射阵列制作工艺的研究 被引量:1
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作者 周洪军 尉伟 +5 位作者 洪义麟 徐向东 陶晓明 霍同林 付绍军 裴元吉 《微细加工技术》 2001年第3期14-17,共4页
研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2 绝缘层的去除方法 ,并对这两种方法进行了比较 ,给出了各自的优缺点。
关键词 场致发射阵列 制作工艺 反应离子刻蚀 化学腐蚀 半导体工艺
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