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Improving the fatigue endurance of lead zirconate titanate thin films through PbO interfacial modification
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作者 LEI Rong REN Yanbo +4 位作者 QIAO Lijie GU Hongwei YUE Zhenxing XIE Dan CAO Jiangli 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期68-71,共4页
The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.T... The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.The grain size and the surface roughness of the PZT films increased through PbO interfacial modification.Moreover,the PZT films with PbO interfacial modification had a better crystallographic structure and no evident secondary phases were observed.While the remanent polarization and dielectric constant were reduced,the fatigue endurance was improved.Based on the results,the mechanism for the fatigue endurance improvement was discussed. 展开更多
关键词 ferroelectric thin films FATIGUE lead zirconate titanate chemical modification lead oxide
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Lead zirconate titanate behaviors in an LDMOS
2
作者 翟亚红 李威 +5 位作者 李平 李俊宏 胡滨 霍伟荣 范雪 王刚 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第7期578-581,共4页
The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 3... The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 350 V, but also excellent memory behaviors. A drain current–gate voltage (ID-VG) memory window of about 2.2 V is obtained at the sweep voltages of ±10 V for the 350-V laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS). The retention time of about 270 s is recorded for the LDMOS through a controlled ID-VG measurement. The LDMOS with memory behaviors has potential to be applied in future power conversion circuits to boost the performance of the energy conversion system. 展开更多
关键词 laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) lead zirconate titanate memory behavior RETENTION
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FABRICATION OF PIEZOELECTRIC BIMORPH USING LEAD ZIRCONATE TITANATE THIN FILM DEPOSITED BY HYDROTHERMAL METHOD
3
作者 DU Liqun Lü Yan +1 位作者 DONG Weijie GAO Xiaoguang 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第6期5-8,共4页
In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTi... In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTiOJPbZrO3 in LZT is 53/47, which is around morphotropic phase boundary (MPB). LZT film is composed of cubic particles with the average size of 5 ~ma. Density of thin film is figured out through the datum measured in experiments. The displacement model used to analyze the driving ability of bimorph is set up, and the effect of elastic intermediate layer is taken into account. Piezoelectric coefficient of LZT film is worked out by using the displacement model. Experiments of driving ability show that deformation of bimorph free end does not increase with times of crystal growth processes and the maximum deformation is obtained after two times crystal growth processes. Finally, the ferroelectric property of the bimorph is investigated and coercive voltage of the bimorph is obtained. 展开更多
关键词 Piezoelectric bimorph lead zirconate titanate (LZT) film Hydrothermal method
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Effects of loading contact on electric-power generation of lead zirconate titanate piezoelectric ceramic plate 被引量:1
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作者 Mitsuhiro OKAYASU Tsukasa OGAWA 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CSCD 2019年第4期509-518,共10页
To better understand the generation of electric power for piezoelectric Pb Zr Ti O3(PZT)ceramic plate(?25 mm),an attempt was made to investigate experimentally and numerically electricpower generation characteristics ... To better understand the generation of electric power for piezoelectric Pb Zr Ti O3(PZT)ceramic plate(?25 mm),an attempt was made to investigate experimentally and numerically electricpower generation characteristics during cyclic bending under various loading fixtures(?0–?20 mm),i.e.,different contact areas.Increasing the load-contact area on the PZT ceramic leads to a nonlinear decrease in the generated voltage.Decreasing contact area basically enhances the generated voltage,although the voltage saturates during loading when the contact area is less than?5 mm.A similar voltage is generated for?0 and?5 mm,which is attributed to strain status(ratio of compressive and tensile strain)and material failure due to different stress distribution in the PZT ceramic.On the basis of the obtained electric generation voltage,suitable loading conditions are clarified by loading with the?5 mm fixture,which generates a higher voltage and a longer lifetime of the PZT ceramic.From this approach,it is appeared that the area contact with the area ratio of 0.04(?5 mm/?20 mm)is suitable to obtain the high efficiency of the electric voltage. 展开更多
关键词 PIEZOELECTRIC CERAMIC lead zirconate titanate CERAMIC ELECTRIC power generation
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不同纤维增强对PZT/PVA复合材料性能影响的研究 被引量:1
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作者 姬程飞 宋崇阳 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期114-122,128,共10页
压电陶瓷复合材料较低的力学性能限制其应用。为进一度探究纤维种类及掺量对锆钛酸铅(PZT)/聚乙烯醇(PVA)复合材料性能影响规律,对不同纤维掺量下碳纤维/PZT/PVA、芳纶纤维/PZT/PVA复合材料开展电学及力学性能测试,分析纤维种类、掺量及... 压电陶瓷复合材料较低的力学性能限制其应用。为进一度探究纤维种类及掺量对锆钛酸铅(PZT)/聚乙烯醇(PVA)复合材料性能影响规律,对不同纤维掺量下碳纤维/PZT/PVA、芳纶纤维/PZT/PVA复合材料开展电学及力学性能测试,分析纤维种类、掺量及PZT/PVA体积比对试件介电、压电性能及弯曲、拉伸性能的影响规律,并结合电镜扫描(SEM)分析纤维掺量对试件性能的影响。结果表明,少量的纤维掺量能够提高复合材料的电学性能,过量的纤维使得复合材料结构孔隙结构增加,介质常数和压电常数均减小,介质损耗增大。7%芳纶纤维/0.5PZT/0.5PVA、5%芳纶纤维/0.6PZT/0.4PVA、3%芳纶纤维/0.7PZT/0.3PVA复合材料的介电性能和压电性能较高。芳纶纤维掺量为9%时,芳纶纤维/0.5PZT/0.5PVA、芳纶纤维/0.6PZT/0.4PVA、芳纶纤维/0.7PZT/0.3PVA、芳纶纤维/0.8PZT/0.2PVA复合材料的弯曲强度分别提高了10.72%、14.49%、13.85%及16.78%,拉伸强度分别提高了24.04%、23.94%、27.00%和28.52%。纤维在试件内部形成网状结构从而提升试件力学性能,且由于芳纶纤维不导电,因此可以在复合材料中加入芳纶纤维的数量比碳纤维多,其力学性能也会大大提高。 展开更多
关键词 碳纤维 芳纶纤维 锆钛酸铅/聚乙烯醇 介电性能 压电性能 力学性能 微观结构
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Thermal expansion in lead zirconate titanate
6
作者 Yujun Feng Zhuo Xu Xi Yao 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2002年第16期1351-1355,共5页
The volume anomalies with temperature variations in tin-modified lead zirconate titanate ceramics are investigated. Experimental results show that the volume changes are related to the phase transitions induced with t... The volume anomalies with temperature variations in tin-modified lead zirconate titanate ceramics are investigated. Experimental results show that the volume changes are related to the phase transitions induced with temperature. The magnitude and orientation of crystal volume changes are dependent on the particular phase transition. When antiferroelectrics is transformed to ferroelectrics or paraelectrics the volume expands. Oppositely when ferroelectrics is transformed to antiferroelectrics or paraelectrics the volume contracts. In the transition of antiferroelectric orthorhombic structure to tetragonal structure or ferroelectric low-temperature rhombohedral structure to high-temperature rhombohedral structure, there are also revealed apparent anomalies in the curves of thermal expansion. Among them, the volume strain caused by the transition between antiferroelectrics and ferroelectrics is the biggest in magnitude, and the linear expansion dL/L0 and the expansion coefficient (dL/L0)/dT can reach 2. 展开更多
关键词 lead zirconate titanate THERMAL EXPANSION PHASE transi-tions induced by temperature.
原文传递
四方相锆钛酸铅陶瓷制备及温度稳定性研究
7
作者 杨洋 侯育冬 +2 位作者 杜红亮 张阿梅 侯鸿平 《压电与声光》 CAS 北大核心 2024年第3期351-355,共5页
采用传统固相法制备了Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3)陶瓷,通过调节锆钛摩尔比将其定位于四方区域以改善温度稳定性,并通过优化烧结温度改善电学性能。实验结果表明,当x=0.52时,体系处于四方区域,此时陶瓷的温度稳定性有所提升,在室温~300℃时... 采用传统固相法制备了Pb(Zr_(1-x)Ti_(x))O_(3)陶瓷,通过调节锆钛摩尔比将其定位于四方区域以改善温度稳定性,并通过优化烧结温度改善电学性能。实验结果表明,当x=0.52时,体系处于四方区域,此时陶瓷的温度稳定性有所提升,在室温~300℃时,d33变化率为±14.7%。在1250℃下烧结的Pb(Zr_(0.48)Ti_(0.52))O_(3)陶瓷具有最佳的电学性能:压电常数d_(33)=183 pC/N,居里温度TC=402℃,相对介电常数ε_(r)=1209。 展开更多
关键词 压电陶瓷 锆钛酸铅 四方相 温度稳定性 烧结温度
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ZnO亚微球添加对放电等离子烧结PZT陶瓷结构和性能的影响
8
作者 张志伟 刘志阳 +1 位作者 秦雷 梁立兴 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期19-26,共8页
通过溶剂热法合成由纳米点组成的均匀ZnO亚微球,并将ZnO亚微球添加到PZT5A粉体中进行放电等离子烧结,研究ZnO亚微球添加对PZT陶瓷物相组成、微观结构及电学性能的影响。结果表明:采用放电等离子烧结法能够在900℃保温5 min条件下制备出... 通过溶剂热法合成由纳米点组成的均匀ZnO亚微球,并将ZnO亚微球添加到PZT5A粉体中进行放电等离子烧结,研究ZnO亚微球添加对PZT陶瓷物相组成、微观结构及电学性能的影响。结果表明:采用放电等离子烧结法能够在900℃保温5 min条件下制备出相对密度超过97%的PZT陶瓷。ZnO亚微球的添加有利于PZT陶瓷的烧结和晶粒生长,随着ZnO亚微球添加量的增加,PZT三方相(R)的含量逐渐增大。适量ZnO亚微球的添加能够改善PZT陶瓷的压电性能和介电性能,ZnO质量分数为0.10%时,材料的综合性能最优,在1 kHz频率下,压电常数d_(33)=432 pC/N,机电耦合系数k_(p)=0.56,机械品质因数Q_(m)=69.8,相对介电常数ε_(r)=1360,介电损耗tanδ=0.0227。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电陶瓷 放电等离子烧结 压电性能 介电性能
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玻璃掺杂及烧结工艺对BCZT压电陶瓷的影响
9
作者 周源 曾梦诗 +1 位作者 曹丽嘉 余洪滔 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期20-27,35,共9页
采用传统的固相反应法制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_(3)(BCZT)以及掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT无铅压电陶瓷。首先研究了预烧温度对BCZT陶瓷粉体的影响,其次研究了掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉对BCZT无铅压电陶瓷的烧结性能、介... 采用传统的固相反应法制备了(Ba_(0.85)Ca_(0.15))(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_(3)(BCZT)以及掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT无铅压电陶瓷。首先研究了预烧温度对BCZT陶瓷粉体的影响,其次研究了掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉对BCZT无铅压电陶瓷的烧结性能、介电性能和压电性能的影响。最后通过正交试验确定了其烧结工艺。结果显示BCZT粉体的最佳预烧温度在1100℃。掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉能够有效降低BCZT陶瓷的烧结温度。通过烧结工艺正交实验获得了最佳烧结工艺:1100℃预烧,1350℃烧结,升温速度为2℃/min,保温时间为7 h,在110 min降温至800℃。验证正交试验所得到的结果是掺杂Al-Mg-Ca玻璃粉的BCZT陶瓷的居里温度点的介电常数为12228,压电常数d_(33)为425 p C/N。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 锆钛酸钡钙(BCZT) 正交试验 压电性能
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Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅压电陶瓷的制备与表征
10
作者 贝颂 何宜珂 +1 位作者 马寅博 刘贵山 《大连工业大学学报》 CAS 2024年第4期291-295,共5页
以三氧化二锑、碳酸钡为掺杂原材料,采用固相烧结法制备了Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷。利用XRD、SEM、自动元件分析仪、准静态D33测量仪、精密阻抗分析仪等对介质的物相、微观形貌、机电性能进行了研究。实验结果表明,Sb^(3+)... 以三氧化二锑、碳酸钡为掺杂原材料,采用固相烧结法制备了Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷。利用XRD、SEM、自动元件分析仪、准静态D33测量仪、精密阻抗分析仪等对介质的物相、微观形貌、机电性能进行了研究。实验结果表明,Sb^(3+)和Ba^(2+)共掺杂锆钛酸铅陶瓷具有更好的致密性,当掺杂质量分数为1%的Sb_(2)O_(3)和2%的BaO时,机电性能显著提升,相对介电常数为1854,压电系数为439.6 pC/N,机电耦合系数为66%,居里温度从398℃降至380℃。高的压电系数有利于提升锆钛酸铅所制备电子元器件的接收和发射的灵敏度。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 共掺杂 压电陶瓷 机电耦合系数
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压电式触觉传感器的优化与应用的研究进展 被引量:4
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作者 王俊博 高国伟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第2期165-174,共10页
对有机、无机压电材料在压电性能和机械性能上的优劣进行了简单阐述。对压电材料的改进与制备工艺进行了评述,包括掺杂钛酸钡纳米粒子的聚偏二氟乙烯纤维的制备方法、含不同体积分数锆钛酸铅的聚二甲基硅氧烷复合薄膜的制备方法、可3D... 对有机、无机压电材料在压电性能和机械性能上的优劣进行了简单阐述。对压电材料的改进与制备工艺进行了评述,包括掺杂钛酸钡纳米粒子的聚偏二氟乙烯纤维的制备方法、含不同体积分数锆钛酸铅的聚二甲基硅氧烷复合薄膜的制备方法、可3D打印不进行极化具备一定压电性能的压电传感器系统、通过长丝挤压技术制备液晶聚合物-锆钛酸铅复合材料的制备方法。阐述了通过改进结构和使用复合材料的方式提升压电式触觉传感器性能的发展现状,以及压电触觉传感器在医疗诊断、电子皮肤、人工智能、三维力监测方向上的实际应用,最后对压电式触觉传感器的发展进行了总结与展望。 展开更多
关键词 压电材料 触觉传感器 柔性 压电效应 锆钛酸铅 聚偏二氟乙烯
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基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路 被引量:1
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作者 韩绪冬 孙鹏 +3 位作者 邹铭锐 王宇雷 牛富丽 曾正 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第18期7240-7253,共14页
在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和... 在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和工作温度对吸收电路性能的影响,限制缓冲吸收电路的应用。针对这些问题,该文提出一种基于锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)压电陶瓷的缓冲吸收电路,分析PZT的温度特性,通过建立半桥电路与PZT缓冲吸收电路的高精度交互模型,揭示PZT缓冲吸收电路与SiC器件的耦合规律,利用特征方程-根轨迹方法,定量刻画PZT缓冲吸收电路的参数设计域。对比评估工作温度对多种缓冲吸收电路性能的影响。实验结果表明,所提设计方法能很好地抑制关断电压过冲与振荡,验证设计方法的有效性。相较于传统RC缓冲吸收电路,PZT缓冲吸收电路在工作温度发生变动后,仍然具有很好的抑制效果,且抑制效果随工作温度的上升而不断增强。为SiC功率器件的暂态稳定性分析,以及功率模块和缓冲吸收电路的集成设计,提供有益的参考。 展开更多
关键词 碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管 锆钛酸铅压电陶瓷 缓冲吸收电路 定量设计模型 温度特性
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铌酸钾钠基无铅压电陶瓷纵振换能器 被引量:2
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作者 张秀侦 吴超峰 +2 位作者 姚方周 王轲 柴勇 《应用声学》 CSCD 北大核心 2023年第4期674-682,共9页
高性能环境友好型无铅压电陶瓷及其应用是当前压电材料研究的热点之一。为了探究其在水声换能器领域的应用潜力,该文对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷和锆钛酸铅压电陶瓷纵振式换能器进行了对比研究。依据仿真结果优化结构尺寸,制作了两种换能... 高性能环境友好型无铅压电陶瓷及其应用是当前压电材料研究的热点之一。为了探究其在水声换能器领域的应用潜力,该文对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷和锆钛酸铅压电陶瓷纵振式换能器进行了对比研究。依据仿真结果优化结构尺寸,制作了两种换能器样机并测试了其在空气中和水中的电声性能。测试结果表明,铌酸钾钠基无铅压电陶瓷换能器的谐振频率为35 kHz,最大发送电压响应为151 dB,声源级可达190 dB,在26-67 kHz的频率范围内发送电压响应的起伏不超过-4:5 dB,谐振频率处-3 dB的指向性开角约为76◦。该无铅压电陶瓷换能器具有和锆钛酸铅压电陶瓷换能器相当的发射性能,有望推动无铅压电材料在水声换能器领域的应用进程。 展开更多
关键词 铌酸钾钠 无铅压电陶瓷 锆钛酸铅 换能器
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锆钛酸铅-硅酸盐水泥复合材料的介电和压电性能研究
14
作者 李晔 李伟娜 +2 位作者 李晶 马瑞彦 贾小盼 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期5119-5123,5132,共6页
选择以锆钛酸铅为功能相,普通硅酸盐水泥P.O 42.5为基体材料,采用压制成型法制备了不同体积分数(30%,40%,50%,60%)功能相的锆钛酸铅-硅酸盐水泥复合材料,研究了复合材料的介电性能、压电性能和机电耦合性能。结果表明,50%以下体积含量... 选择以锆钛酸铅为功能相,普通硅酸盐水泥P.O 42.5为基体材料,采用压制成型法制备了不同体积分数(30%,40%,50%,60%)功能相的锆钛酸铅-硅酸盐水泥复合材料,研究了复合材料的介电性能、压电性能和机电耦合性能。结果表明,50%以下体积含量的锆钛酸铅的掺杂,可以使锆钛酸铅相互之间接触的概率增大,连通性得到加强,进而促进电流在锆钛酸铅之间的相互传导;随着锆钛酸铅体积量的不断增大,复合材料的介电常数逐渐升高,介电损耗逐渐降低,压电电压常数和压电应变常数逐渐增大,机电耦合系数K_(t)和机械品质因数Q_(m)先增大后减小;当锆钛酸铅的体积分数为50%时,K_(t)最大为0.15%,Q_(m)最大为33.09;当锆钛酸铅体积分数增加至60%时,分布均匀性变差,复合材料的机电耦合性能减弱。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 硅酸盐水泥 介电性能 压电性能 机电耦合性能
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PZT陶瓷本构行为与断裂性能的相关性研究
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作者 王雪瑶 王武港 +2 位作者 李应卫 彭奇 梁瑞虹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期839-844,I0010-I0013,共10页
铁电陶瓷的力学性能直接决定了其加工性能和铁电器件的可靠性。目前,无论是实验还是理论报道的压电陶瓷材料的断裂韧性都与30年前的报道接近,限制了压电器件在高可靠性要求的情况下的应用。本研究试图揭示可用于优化铁电陶瓷断裂性能的... 铁电陶瓷的力学性能直接决定了其加工性能和铁电器件的可靠性。目前,无论是实验还是理论报道的压电陶瓷材料的断裂韧性都与30年前的报道接近,限制了压电器件在高可靠性要求的情况下的应用。本研究试图揭示可用于优化铁电陶瓷断裂性能的参数。利用单轴压缩方法、裂纹尖端张开位移(Crack-tip opening displacement,COD)技术和单边V型缺口梁(Single-side V-notch beam,SEVNB)技术分别测定三种典型PZT陶瓷的应力-应变曲线、本征断裂韧性和长裂纹断裂韧性。结果表明,本征断裂韧性与材料的杨氏模量正相关,说明提高铁电体的杨氏模量是提高其本征韧性的有效途径。长裂纹断裂韧性与本征韧性和非本征铁弹性畴变/相变增韧有关,说明优化铁电陶瓷的铁弹翻转行为可以改善其非本征效应。软掺杂PZT相较于硬掺杂PZT具有较低的矫顽应力和较高的残余应变,呈现较强的铁弹性翻转和较高的屏蔽韧性;在不同PZT材料中观察到的断裂模式也被认为与材料不同的铁弹性翻转行为有关,软PZT陶瓷呈现沿晶断裂,铁弹性翻转较弱的硬PZT呈现穿晶断裂。综上所述,优化铁电材料的杨氏模量和铁弹翻转行为有望提升其断裂韧性。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 裂纹尖端断裂韧性 铁弹性畴翻转 单边V型缺口梁 断裂模式
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基于PZT薄膜的高频压电式微机械超声换能器的仿真与制备
16
作者 刘亚琦 陈明珠 +8 位作者 张巧珍 赵祥永 王巨杉 唐艳学 王飞飞 王书豪 汪尧进 苗斌 李加东 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2023年第5期597-608,共12页
压电式微机械超声换能器(PMUT)是当前生物医学超声成像领域的研究热点.锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3),PZT)压电薄膜是近年来微机械超声换能器使用的核心压电材料.基于PZT压电薄膜,使用有限元软件COMSOL Multiphysics创建了三维有限元仿... 压电式微机械超声换能器(PMUT)是当前生物医学超声成像领域的研究热点.锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3),PZT)压电薄膜是近年来微机械超声换能器使用的核心压电材料.基于PZT压电薄膜,使用有限元软件COMSOL Multiphysics创建了三维有限元仿真模型,并在(0,1)模态下研究了压电薄膜结构的几何参数,其谐振频率达到222.12 MHz,有效机电耦合系数(keff)为5.13%.采用光刻和刻蚀方法制备了PZT压电薄膜的PMUT单元原型器件.该器件的空腔结构完整,谐振频率在(0,1)模态下为25.87 MHz,仿真与测试结果相似,振动模态较纯,振动位移性能较好.研究结果表明:采用PZT压电薄膜的PMUT在高分辨率、高频医学超声成像中具有较好的应用前景. 展开更多
关键词 压电式微机械超声换能器(PMUT) 高频 锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3) PZT)薄膜 器件制备
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基于锆钛酸铅的低电压驱动MEMS电场传感器研究 被引量:2
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作者 雷虎成 夏善红 +6 位作者 彭春荣 毋正伟 张洲威 刘俊 彭思敏 刘向明 高雅浩 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第1期150-157,共8页
该文提出一种基于锆钛酸铅(PZT)的低电压驱动微机电系统(MEMS)电场传感器。该传感器基于电荷感应原理,其敏感单元由固定电极和可动电极构成。固定电极与可动电极均为感应电极,同时两者又是屏蔽电极。在PZT压电材料的驱动下,可动电极产... 该文提出一种基于锆钛酸铅(PZT)的低电压驱动微机电系统(MEMS)电场传感器。该传感器基于电荷感应原理,其敏感单元由固定电极和可动电极构成。固定电极与可动电极均为感应电极,同时两者又是屏蔽电极。在PZT压电材料的驱动下,可动电极产生垂直于敏感芯片基底的振动并且与固定电极形成交互屏蔽,当存在待测电场时,分别在可动电极和固定电极上产生相位差为180°的感应电流信号。该文进行了传感器的设计和有限元仿真,提出敏感微结构的加工工艺流程,突破了基于PZT压电材料的可动电极MEMS工艺兼容制备技术,完成了敏感芯片制备,对传感器进行了性能测试。该传感器具有工作电压低的突出优点。实验测试表明,在0~50 kV/m电场强度范围内,采用1 V交流驱动电压,电场传感器的灵敏度为0.292 mV/(kV/m),线性度为2.89%。 展开更多
关键词 电场传感器 锆钛酸铅 低电压驱动 微机电系统
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以硝酸氧锆为锆源溶胶-凝胶合成PZT纳米晶的研究 被引量:21
18
作者 刘大格 蔡伟 +2 位作者 张洪喜 吴湘伟 赵连城 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期313-318,共6页
以硝酸氧锆、钛酸四丁酯、醋酸铅为原料,乙二醇为溶剂,用改进的溶胶-凝胶技术,通过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相球形颗粒状PZT纳米晶(Zr/Ti=52/48),实验中发现前驱物间的聚合反应使硝酸氧... 以硝酸氧锆、钛酸四丁酯、醋酸铅为原料,乙二醇为溶剂,用改进的溶胶-凝胶技术,通过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相球形颗粒状PZT纳米晶(Zr/Ti=52/48),实验中发现前驱物间的聚合反应使硝酸氧锆能很好地溶于乙二醇.通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理.通过X射线衍射分析,热重及差热分析,透射电镜显微分析对从凝胶到PZT纳米晶的形成过程及粉体性能进行了表征.实验证明:在415℃PZT开始结晶,450℃恒温2h粉末粒径约为50nm. 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 锆钛酸 钙钛矿相 纳米级 压电陶瓷
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PZT薄膜微图形的制作精度的研究 被引量:8
19
作者 刘秦 林殷茵 +2 位作者 吴小清 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期411-413,共3页
采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高... 采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高保真的从掩膜到薄膜的图形转移,晶粒团聚区域的尺寸基本决定了图形转移的误差。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 薄膜 刻蚀 微观结构 PZT
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三大无铅压电陶瓷体系的最新研究进展 被引量:19
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作者 沈宗洋 李月明 +1 位作者 王竹梅 廖润华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期309-315,共7页
铌酸钾钠((K,Na)NbO3,KNN)系、钛酸铋钠((Bi,Na)TiO3,BNT)系以及锆钛酸钡(Ba(Zr,Ti)O3,BZT)系压电陶瓷是目前研究最广泛的三大无铅压电陶瓷体系。本文主要综述了上述三大无铅压电陶瓷体系在性能增强研究方面的最新进展,并对其未来的发... 铌酸钾钠((K,Na)NbO3,KNN)系、钛酸铋钠((Bi,Na)TiO3,BNT)系以及锆钛酸钡(Ba(Zr,Ti)O3,BZT)系压电陶瓷是目前研究最广泛的三大无铅压电陶瓷体系。本文主要综述了上述三大无铅压电陶瓷体系在性能增强研究方面的最新进展,并对其未来的发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 铌酸钾钠 钛酸铋钠 锆钛酸钡
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