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Improving the fatigue endurance of lead zirconate titanate thin films through PbO interfacial modification
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作者 LEI Rong REN Yanbo +4 位作者 QIAO Lijie GU Hongwei YUE Zhenxing XIE Dan CAO Jiangli 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第1期68-71,共4页
The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.T... The effects of the modification of electrode/ceramic interfaces through a chemical solution deposition-derived PbO buffer layer on the fatigue endurance of lead zirconate titanate(PZT) thin films were investigated.The grain size and the surface roughness of the PZT films increased through PbO interfacial modification.Moreover,the PZT films with PbO interfacial modification had a better crystallographic structure and no evident secondary phases were observed.While the remanent polarization and dielectric constant were reduced,the fatigue endurance was improved.Based on the results,the mechanism for the fatigue endurance improvement was discussed. 展开更多
关键词 ferroelectric thin films FATIGUE lead zirconate titanate chemical modification lead oxide
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Lead zirconate titanate behaviors in an LDMOS
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作者 翟亚红 李威 +5 位作者 李平 李俊宏 胡滨 霍伟荣 范雪 王刚 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第7期578-581,共4页
The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 3... The behaviors of lead zirconate titanate (PZT) deposited as the dielectric for high-voltage devices are investigated experimentally and theoretically. The devices demonstrate not only high breakdown voltages above 350 V, but also excellent memory behaviors. A drain current–gate voltage (ID-VG) memory window of about 2.2 V is obtained at the sweep voltages of ±10 V for the 350-V laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS). The retention time of about 270 s is recorded for the LDMOS through a controlled ID-VG measurement. The LDMOS with memory behaviors has potential to be applied in future power conversion circuits to boost the performance of the energy conversion system. 展开更多
关键词 laterally diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) lead zirconate titanate memory behavior RETENTION
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FABRICATION OF PIEZOELECTRIC BIMORPH USING LEAD ZIRCONATE TITANATE THIN FILM DEPOSITED BY HYDROTHERMAL METHOD
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作者 DU Liqun Lü Yan +1 位作者 DONG Weijie GAO Xiaoguang 《Chinese Journal of Mechanical Engineering》 SCIE EI CAS CSCD 2007年第6期5-8,共4页
In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTi... In order to describe the characteristics of piezoelectric bimorph, properties of lead zirconate titanate (LZT) film are studied by X-ray diffraction (XRD) and scanning eletron microscope (SEM). The ratio of PbTiOJPbZrO3 in LZT is 53/47, which is around morphotropic phase boundary (MPB). LZT film is composed of cubic particles with the average size of 5 ~ma. Density of thin film is figured out through the datum measured in experiments. The displacement model used to analyze the driving ability of bimorph is set up, and the effect of elastic intermediate layer is taken into account. Piezoelectric coefficient of LZT film is worked out by using the displacement model. Experiments of driving ability show that deformation of bimorph free end does not increase with times of crystal growth processes and the maximum deformation is obtained after two times crystal growth processes. Finally, the ferroelectric property of the bimorph is investigated and coercive voltage of the bimorph is obtained. 展开更多
关键词 Piezoelectric bimorph lead zirconate titanate (LZT) film Hydrothermal method
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不同纤维增强对PZT/PVA复合材料性能影响的研究 被引量:1
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作者 姬程飞 宋崇阳 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期114-122,128,共10页
压电陶瓷复合材料较低的力学性能限制其应用。为进一度探究纤维种类及掺量对锆钛酸铅(PZT)/聚乙烯醇(PVA)复合材料性能影响规律,对不同纤维掺量下碳纤维/PZT/PVA、芳纶纤维/PZT/PVA复合材料开展电学及力学性能测试,分析纤维种类、掺量及... 压电陶瓷复合材料较低的力学性能限制其应用。为进一度探究纤维种类及掺量对锆钛酸铅(PZT)/聚乙烯醇(PVA)复合材料性能影响规律,对不同纤维掺量下碳纤维/PZT/PVA、芳纶纤维/PZT/PVA复合材料开展电学及力学性能测试,分析纤维种类、掺量及PZT/PVA体积比对试件介电、压电性能及弯曲、拉伸性能的影响规律,并结合电镜扫描(SEM)分析纤维掺量对试件性能的影响。结果表明,少量的纤维掺量能够提高复合材料的电学性能,过量的纤维使得复合材料结构孔隙结构增加,介质常数和压电常数均减小,介质损耗增大。7%芳纶纤维/0.5PZT/0.5PVA、5%芳纶纤维/0.6PZT/0.4PVA、3%芳纶纤维/0.7PZT/0.3PVA复合材料的介电性能和压电性能较高。芳纶纤维掺量为9%时,芳纶纤维/0.5PZT/0.5PVA、芳纶纤维/0.6PZT/0.4PVA、芳纶纤维/0.7PZT/0.3PVA、芳纶纤维/0.8PZT/0.2PVA复合材料的弯曲强度分别提高了10.72%、14.49%、13.85%及16.78%,拉伸强度分别提高了24.04%、23.94%、27.00%和28.52%。纤维在试件内部形成网状结构从而提升试件力学性能,且由于芳纶纤维不导电,因此可以在复合材料中加入芳纶纤维的数量比碳纤维多,其力学性能也会大大提高。 展开更多
关键词 碳纤维 芳纶纤维 锆钛酸铅/聚乙烯醇 介电性能 压电性能 力学性能 微观结构
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压电阻抗法中PZT片的形状选择研究
5
作者 张耀文 何颖 +1 位作者 赵晶 霍林生 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2024年第4期45-48,52,共5页
压电陶瓷锆钛酸铅(PZT)片是压电阻抗法中普遍使用的传感器,首先,对厚度相同且面积相近的圆形、正方形、矩形、五边形、梯形PZT片对同一钢板上相同损伤及其严重程度的敏感性进行了对比。然后,利用有限元软件COMSOL对各形状PZT片主表面平... 压电陶瓷锆钛酸铅(PZT)片是压电阻抗法中普遍使用的传感器,首先,对厚度相同且面积相近的圆形、正方形、矩形、五边形、梯形PZT片对同一钢板上相同损伤及其严重程度的敏感性进行了对比。然后,利用有限元软件COMSOL对各形状PZT片主表面平面内位移进行了分析研究。结果表明:在压电阻抗法应用中,面积相同的PZT片,圆形、正方形和矩形对损伤及其严重程度的敏感性较优。矩形PZT片对损伤的敏感性具有方向性,对宽度侧的损伤更敏感。就形状这一单一因素而言,压电阻抗法中PZT片的性能差异,取决于其主表面平面内位移一致性。一致性越好,对损伤及其严重程度的识别能力越强。 展开更多
关键词 压电阻抗法 锆钛酸铅片 形状
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ZnO亚微球添加对放电等离子烧结PZT陶瓷结构和性能的影响
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作者 张志伟 刘志阳 +1 位作者 秦雷 梁立兴 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期19-26,共8页
通过溶剂热法合成由纳米点组成的均匀ZnO亚微球,并将ZnO亚微球添加到PZT5A粉体中进行放电等离子烧结,研究ZnO亚微球添加对PZT陶瓷物相组成、微观结构及电学性能的影响。结果表明:采用放电等离子烧结法能够在900℃保温5 min条件下制备出... 通过溶剂热法合成由纳米点组成的均匀ZnO亚微球,并将ZnO亚微球添加到PZT5A粉体中进行放电等离子烧结,研究ZnO亚微球添加对PZT陶瓷物相组成、微观结构及电学性能的影响。结果表明:采用放电等离子烧结法能够在900℃保温5 min条件下制备出相对密度超过97%的PZT陶瓷。ZnO亚微球的添加有利于PZT陶瓷的烧结和晶粒生长,随着ZnO亚微球添加量的增加,PZT三方相(R)的含量逐渐增大。适量ZnO亚微球的添加能够改善PZT陶瓷的压电性能和介电性能,ZnO质量分数为0.10%时,材料的综合性能最优,在1 kHz频率下,压电常数d_(33)=432 pC/N,机电耦合系数k_(p)=0.56,机械品质因数Q_(m)=69.8,相对介电常数ε_(r)=1360,介电损耗tanδ=0.0227。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 压电陶瓷 放电等离子烧结 压电性能 介电性能
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基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路 被引量:1
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作者 韩绪冬 孙鹏 +3 位作者 邹铭锐 王宇雷 牛富丽 曾正 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第18期7240-7253,共14页
在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和... 在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和工作温度对吸收电路性能的影响,限制缓冲吸收电路的应用。针对这些问题,该文提出一种基于锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)压电陶瓷的缓冲吸收电路,分析PZT的温度特性,通过建立半桥电路与PZT缓冲吸收电路的高精度交互模型,揭示PZT缓冲吸收电路与SiC器件的耦合规律,利用特征方程-根轨迹方法,定量刻画PZT缓冲吸收电路的参数设计域。对比评估工作温度对多种缓冲吸收电路性能的影响。实验结果表明,所提设计方法能很好地抑制关断电压过冲与振荡,验证设计方法的有效性。相较于传统RC缓冲吸收电路,PZT缓冲吸收电路在工作温度发生变动后,仍然具有很好的抑制效果,且抑制效果随工作温度的上升而不断增强。为SiC功率器件的暂态稳定性分析,以及功率模块和缓冲吸收电路的集成设计,提供有益的参考。 展开更多
关键词 碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管 锆钛酸铅压电陶瓷 缓冲吸收电路 定量设计模型 温度特性
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基于PZT薄膜的高频压电式微机械超声换能器的仿真与制备
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作者 刘亚琦 陈明珠 +8 位作者 张巧珍 赵祥永 王巨杉 唐艳学 王飞飞 王书豪 汪尧进 苗斌 李加东 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2023年第5期597-608,共12页
压电式微机械超声换能器(PMUT)是当前生物医学超声成像领域的研究热点.锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3),PZT)压电薄膜是近年来微机械超声换能器使用的核心压电材料.基于PZT压电薄膜,使用有限元软件COMSOL Multiphysics创建了三维有限元仿... 压电式微机械超声换能器(PMUT)是当前生物医学超声成像领域的研究热点.锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3),PZT)压电薄膜是近年来微机械超声换能器使用的核心压电材料.基于PZT压电薄膜,使用有限元软件COMSOL Multiphysics创建了三维有限元仿真模型,并在(0,1)模态下研究了压电薄膜结构的几何参数,其谐振频率达到222.12 MHz,有效机电耦合系数(keff)为5.13%.采用光刻和刻蚀方法制备了PZT压电薄膜的PMUT单元原型器件.该器件的空腔结构完整,谐振频率在(0,1)模态下为25.87 MHz,仿真与测试结果相似,振动模态较纯,振动位移性能较好.研究结果表明:采用PZT压电薄膜的PMUT在高分辨率、高频医学超声成像中具有较好的应用前景. 展开更多
关键词 压电式微机械超声换能器(PMUT) 高频 锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3) pzt)薄膜 器件制备
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PZT陶瓷本构行为与断裂性能的相关性研究
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作者 王雪瑶 王武港 +2 位作者 李应卫 彭奇 梁瑞虹 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第7期839-844,I0010-I0013,共10页
铁电陶瓷的力学性能直接决定了其加工性能和铁电器件的可靠性。目前,无论是实验还是理论报道的压电陶瓷材料的断裂韧性都与30年前的报道接近,限制了压电器件在高可靠性要求的情况下的应用。本研究试图揭示可用于优化铁电陶瓷断裂性能的... 铁电陶瓷的力学性能直接决定了其加工性能和铁电器件的可靠性。目前,无论是实验还是理论报道的压电陶瓷材料的断裂韧性都与30年前的报道接近,限制了压电器件在高可靠性要求的情况下的应用。本研究试图揭示可用于优化铁电陶瓷断裂性能的参数。利用单轴压缩方法、裂纹尖端张开位移(Crack-tip opening displacement,COD)技术和单边V型缺口梁(Single-side V-notch beam,SEVNB)技术分别测定三种典型PZT陶瓷的应力-应变曲线、本征断裂韧性和长裂纹断裂韧性。结果表明,本征断裂韧性与材料的杨氏模量正相关,说明提高铁电体的杨氏模量是提高其本征韧性的有效途径。长裂纹断裂韧性与本征韧性和非本征铁弹性畴变/相变增韧有关,说明优化铁电陶瓷的铁弹翻转行为可以改善其非本征效应。软掺杂PZT相较于硬掺杂PZT具有较低的矫顽应力和较高的残余应变,呈现较强的铁弹性翻转和较高的屏蔽韧性;在不同PZT材料中观察到的断裂模式也被认为与材料不同的铁弹性翻转行为有关,软PZT陶瓷呈现沿晶断裂,铁弹性翻转较弱的硬PZT呈现穿晶断裂。综上所述,优化铁电材料的杨氏模量和铁弹翻转行为有望提升其断裂韧性。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 裂纹尖端断裂韧性 铁弹性畴翻转 单边V型缺口梁 断裂模式
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Effects of loading contact on electric-power generation of lead zirconate titanate piezoelectric ceramic plate 被引量:1
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作者 Mitsuhiro OKAYASU Tsukasa OGAWA 《Journal of Advanced Ceramics》 SCIE CSCD 2019年第4期509-518,共10页
To better understand the generation of electric power for piezoelectric Pb Zr Ti O3(PZT)ceramic plate(?25 mm),an attempt was made to investigate experimentally and numerically electricpower generation characteristics ... To better understand the generation of electric power for piezoelectric Pb Zr Ti O3(PZT)ceramic plate(?25 mm),an attempt was made to investigate experimentally and numerically electricpower generation characteristics during cyclic bending under various loading fixtures(?0–?20 mm),i.e.,different contact areas.Increasing the load-contact area on the PZT ceramic leads to a nonlinear decrease in the generated voltage.Decreasing contact area basically enhances the generated voltage,although the voltage saturates during loading when the contact area is less than?5 mm.A similar voltage is generated for?0 and?5 mm,which is attributed to strain status(ratio of compressive and tensile strain)and material failure due to different stress distribution in the PZT ceramic.On the basis of the obtained electric generation voltage,suitable loading conditions are clarified by loading with the?5 mm fixture,which generates a higher voltage and a longer lifetime of the PZT ceramic.From this approach,it is appeared that the area contact with the area ratio of 0.04(?5 mm/?20 mm)is suitable to obtain the high efficiency of the electric voltage. 展开更多
关键词 PIEZOELECTRIC CERAMIC lead zirconate titanate CERAMIC ELECTRIC power generation
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Thermal expansion in lead zirconate titanate
11
作者 Yujun Feng Zhuo Xu Xi Yao 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2002年第16期1351-1355,共5页
The volume anomalies with temperature variations in tin-modified lead zirconate titanate ceramics are investigated. Experimental results show that the volume changes are related to the phase transitions induced with t... The volume anomalies with temperature variations in tin-modified lead zirconate titanate ceramics are investigated. Experimental results show that the volume changes are related to the phase transitions induced with temperature. The magnitude and orientation of crystal volume changes are dependent on the particular phase transition. When antiferroelectrics is transformed to ferroelectrics or paraelectrics the volume expands. Oppositely when ferroelectrics is transformed to antiferroelectrics or paraelectrics the volume contracts. In the transition of antiferroelectric orthorhombic structure to tetragonal structure or ferroelectric low-temperature rhombohedral structure to high-temperature rhombohedral structure, there are also revealed apparent anomalies in the curves of thermal expansion. Among them, the volume strain caused by the transition between antiferroelectrics and ferroelectrics is the biggest in magnitude, and the linear expansion dL/L0 and the expansion coefficient (dL/L0)/dT can reach 2. 展开更多
关键词 lead zirconate titanate THERMAL EXPANSION PHASE transi-tions induced by temperature.
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路面用PZT/沥青压电复合材料的制备及性能 被引量:15
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作者 谭忆秋 钟勇 +2 位作者 吕建福 欧阳剑 周水文 《建筑材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第6期975-980,共6页
以锆钛酸铅PZT-5H为压电相,沥青为基体,采用热压成型法制备0-3型PZT/沥青压电复合材料.分析了此复合材料的制备工艺、极化条件及PZT的体积分数对压电应变常数d33的影响,测试了其介电性能,并完成了动态荷载作用下压电响应的测试.结果表明... 以锆钛酸铅PZT-5H为压电相,沥青为基体,采用热压成型法制备0-3型PZT/沥青压电复合材料.分析了此复合材料的制备工艺、极化条件及PZT的体积分数对压电应变常数d33的影响,测试了其介电性能,并完成了动态荷载作用下压电响应的测试.结果表明:优化的制备工艺为成型压应力10MPa,成型时间3min;最佳的极化条件是极化电场强度为3kV/mm,极化时间为10min,极化温度为50℃;PZT的最佳体积分数为75%;沥青基压电复合材料的相对介电常数εr及压电应变常数d33分别为32.95和53.7pC/N,荷载响应稳态输出电压为7.2V,其储存的能量为259.2μJ. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 沥青压电复合材料 制备工艺 极化条件 压电性能 沥青路面
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新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 被引量:6
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作者 夏冬林 刘梅冬 +3 位作者 曾亦可 李军 黄焱球 刘少波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1156-1160,共5页
采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.S... 采用新型sol-gel技术在 Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为 2~60μm的PZT铁 电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电、铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂 纹、高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度 是25μC/cm2.矫顽场是40kV/cm. 展开更多
关键词 sol-gel技术 介电性能 铁电性能 铁电陶瓷 pzt铁电厚膜 制备 溶胶-凝胶方法
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高取向度PZT铁电薄膜的研制 被引量:6
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作者 王西成 曹伟 +1 位作者 田杰 莫小洪 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期16-18,共3页
用无机盐替代锆的醇盐,通过Sol-Gel方法,合成均匀、稳定的PZT溶胶。采用Pt/Ti/SiO2/Si基片并加入PT过渡层,经快速热处理,制备出沿(100)高度定向的PZT陶瓷薄膜,此薄膜具有良好的铁电性能。
关键词 锆钛酸铅 溶胶-凝胶 铁电薄膜 薄膜
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以硝酸氧锆为锆源溶胶-凝胶合成PZT纳米晶的研究 被引量:21
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作者 刘大格 蔡伟 +2 位作者 张洪喜 吴湘伟 赵连城 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期313-318,共6页
以硝酸氧锆、钛酸四丁酯、醋酸铅为原料,乙二醇为溶剂,用改进的溶胶-凝胶技术,通过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相球形颗粒状PZT纳米晶(Zr/Ti=52/48),实验中发现前驱物间的聚合反应使硝酸氧... 以硝酸氧锆、钛酸四丁酯、醋酸铅为原料,乙二醇为溶剂,用改进的溶胶-凝胶技术,通过优化工艺条件制备了组成在准同型相界点附近的钙钛矿相球形颗粒状PZT纳米晶(Zr/Ti=52/48),实验中发现前驱物间的聚合反应使硝酸氧锆能很好地溶于乙二醇.通过溶胶的红外光谱分析给出了溶胶、凝胶形成的机理.通过X射线衍射分析,热重及差热分析,透射电镜显微分析对从凝胶到PZT纳米晶的形成过程及粉体性能进行了表征.实验证明:在415℃PZT开始结晶,450℃恒温2h粉末粒径约为50nm. 展开更多
关键词 溶胶凝胶法 锆钛酸 钙钛矿相 纳米级 压电陶瓷
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PZT薄膜微图形的制作精度的研究 被引量:8
16
作者 刘秦 林殷茵 +2 位作者 吴小清 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第6期411-413,共3页
采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高... 采用典型的半导体光刻工艺用BHF/HNO3溶液成功地刻蚀了PZT(52/48)薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明,在薄膜中晶粒团聚区域和周围区域的刻蚀速率存在着差异,晶粒小的薄膜有利于获得高保真的从掩膜到薄膜的图形转移,晶粒团聚区域的尺寸基本决定了图形转移的误差。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 薄膜 刻蚀 微观结构 pzt
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PZT铁电厚膜声纳换能器阵列的研制 被引量:6
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作者 夏冬林 刘梅冬 +2 位作者 曾亦可 陈实 赵修建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期196-199,共4页
对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究。最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础。
关键词 锆钛酸铅(pzt) 铁电厚膜 铁电声纳换能器 湿法化学刻蚀
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PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 被引量:6
18
作者 夏冬林 刘梅冬 +1 位作者 赵修建 周学东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期354-360,共7页
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单... 以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/siO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030. 展开更多
关键词 锆钛酸铅 pzt铁电薄膜 电性能 PT种子层 SOL-GEL法 热处理 电滞回线 I-V特性 介电常数
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硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究 被引量:6
19
作者 赵宏锦 刘建设 +3 位作者 任天令 刘燕翔 刘理天 李志坚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2001年第4期290-292,共3页
采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了... 采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了有关 PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题 ,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 刻蚀工艺 pzt薄膜 硅基
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机械力化学合成纳米晶PZT的研究 被引量:6
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作者 吴其胜 高树军 +1 位作者 张少明 杨南如 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期1197-1201,共5页
通过研究PbO-ZrO2-TiO2机械力化学过程,探明了机械力化学法制备PZT纳米粉体的工艺条件。在一定操作参数的条件下(公转转速250 r/min,自转转速为62.5 r/min)粉磨60 b,能够制备出10~30 nm PZT纳米粉体。采用XRD,DTA,SEM,TEM对不同粉磨时... 通过研究PbO-ZrO2-TiO2机械力化学过程,探明了机械力化学法制备PZT纳米粉体的工艺条件。在一定操作参数的条件下(公转转速250 r/min,自转转速为62.5 r/min)粉磨60 b,能够制备出10~30 nm PZT纳米粉体。采用XRD,DTA,SEM,TEM对不同粉磨时间的混合粉体进行表征分析。发现机械力化学合成纳米粉体经过颗粒细化、晶粒尺寸减小、晶格畸变、混合物粉体无定形化、固相反应等阶段。铅黄型PbO经高能球磨晶型转变为密陀僧型PbO,混合物粉体保持化学计量。 展开更多
关键词 机械力化学 锆钛酸铅 纳米晶 固相反应
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