期刊文献+
共找到10篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
基于NMOS的低成本双向电平转换电路的设计
1
作者 池海鹏 鲍廷义 《自动化应用》 2024年第S01期31-33,36,共4页
设计了基于NMOS的双向电平转换电路,详细阐述了信号转换过程中具体的电路行为,同时说明了电路应用过程中的注意事项和限制。
关键词 NMOS 电路 电平转换
下载PDF
一种抗负压和抗共模噪声的全集成GaN电平位移电路
2
作者 张永瑜 叶自凯 +4 位作者 石佳伟 秦尧 明鑫 王卓 张波 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期55-60,共6页
设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升... 设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升、下降引起内部电容充放电并导致信号逻辑错误的问题,对高侧部分电路进行设计,实现了抗共模噪声的能力。在200 V GaN工艺下,电平位移电路将0~6 V的输入信号转换至200~206 V。仿真结果表明,该电平位移电路的上升传输延时为4.74 ns,下降传输延时为4.11 ns,抗开关节点负压为-4 V,具有100 V/ns共模噪声抑制能力。 展开更多
关键词 全集成GaN电路 电平位移电路 抗负压 抗共模噪声
下载PDF
一种具有抗dV/dt噪声能力的600 V HVIC
3
作者 郭俊杰 徐申 +2 位作者 常昌远 孙祎轩 叶佳玲 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第4期641-646,共6页
设计了一种改进的电平移位电路。该电路采用交叉耦合结构,在不明显增加电路复杂度的情况下,显著提高了高压栅极驱动集成电路(HVIC)的噪声免疫能力。整个驱动器基于0.35μm 600 V BCD工艺设计。仿真结果表明,设计的HVIC可以实现高达125 V... 设计了一种改进的电平移位电路。该电路采用交叉耦合结构,在不明显增加电路复杂度的情况下,显著提高了高压栅极驱动集成电路(HVIC)的噪声免疫能力。整个驱动器基于0.35μm 600 V BCD工艺设计。仿真结果表明,设计的HVIC可以实现高达125 V/ns的dV/dt噪声免疫能力,并在15 V电源电压下允许VS负电压过冲达到-9.6 V。此外,从理论上分析了改进电平移位电路的本级传输延时。同传统HVIC相比,设计的HVIC整体的传输延时得到了优化,降低到54 ns左右。 展开更多
关键词 电平移位电路 交叉耦合结构 高压栅极驱动集成电路 噪声免疫 传输延时
下载PDF
平板显示器驱动芯片中NLDMOS寄生电容 被引量:2
4
作者 李海松 孙伟锋 +2 位作者 易扬波 俞军军 陆生礼 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1379-1383,共5页
功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件.将该器件应用于平板显示器驱... 功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能.本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性.在不影响NLDMOS直流特性的前提下,通过改变鸟嘴位置,得到具有低寄生电容的高性能器件.将该器件应用于平板显示器驱动芯片高低压转换电路,模拟结果证明该电路的自身功耗降低了34%,高压输出对低压控制信号的扰动减小了32%. 展开更多
关键词 低功耗 鸟嘴 寄生电容 高低压转换电路
下载PDF
半桥驱动器中高压电平位移电路的研究 被引量:9
5
作者 艾俊华 何杞鑫 方绍华 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2005年第1期109-111,共3页
通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性。运用MEDICI器件结构仿真工具对高压器件的结构进行了模拟仿真,达到了600V以上的耐压要求。最后用Hspice对电路进... 通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性。运用MEDICI器件结构仿真工具对高压器件的结构进行了模拟仿真,达到了600V以上的耐压要求。最后用Hspice对电路进行了功能仿真并给出了实验结果。仿真采用0.6滋mBiCMOS工艺。 展开更多
关键词 驱动电路 半桥驱动器 电平位移 高压功率器件
下载PDF
新型的电平移位电路设计 被引量:4
6
作者 范涛 黄强 +1 位作者 杜波 袁国顺 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期138-141,共4页
针对高压驱动电路控制提出了新的具有很大驱动电流和很小静态功耗电平移位栅电压控制电路。该电路主要利用二极管的反向工作特性,结合正反馈电路,分别为输出级PMOS管和NMOS管提供可靠栅驱动信号。该电路采用CSMC的0.5μm工艺实现,测试... 针对高压驱动电路控制提出了新的具有很大驱动电流和很小静态功耗电平移位栅电压控制电路。该电路主要利用二极管的反向工作特性,结合正反馈电路,分别为输出级PMOS管和NMOS管提供可靠栅驱动信号。该电路采用CSMC的0.5μm工艺实现,测试结果表明,所设计的电平转换功能得到实现,且转换速度快。 展开更多
关键词 驱动电路 半桥驱动器 低功耗 电平移位 薄栅氧
下载PDF
基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路设计 被引量:3
7
作者 邵颖飞 鲁征浩 《电子与封装》 2021年第2期90-95,共6页
分析了石英晶体的等效模型和性能参数,设计了一款基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路,主要包括皮尔斯电路、使能控制及隔离电路、偏置电路和整形及电平移位电路。针对数字电路时钟为方波且数字电压域与模拟电压域不同的问题,设计了一个整... 分析了石英晶体的等效模型和性能参数,设计了一款基于皮尔斯振荡器的8 MHz晶振电路,主要包括皮尔斯电路、使能控制及隔离电路、偏置电路和整形及电平移位电路。针对数字电路时钟为方波且数字电压域与模拟电压域不同的问题,设计了一个整形及电平移位电路,将晶体振荡器输出的正弦波整形成方波,且电路实现了双电压域工作。基于华宏0.11μm 4P5M CMOS工艺,使用Cadence Spectre对设计的电路进行仿真。结果显示,当电源电压为3.3 V时,该晶振电路的输出频率为8 MHz,起振时间为0.35 ms,输出波形的占空比为49.89%,工作电流为350μA。 展开更多
关键词 晶振电路 整形电路 电平移位
下载PDF
一种基于BCD工艺的TFT-LCD行驱动电路的设计
8
作者 覃正才 文博 《集成电路应用》 2017年第7期16-20,共5页
基于0.18μm BCD工艺,提出了一种新颖的电平转换电路结构,解决了BCD工艺中高压器件的栅源电压VGS的工作极限为5 V而无法承受40 V高压栅驱动信号的问题,避免高压信号导致器件栅击穿损毁。采用此电平转换电路,设计了270通道的TFT-LCD屏的... 基于0.18μm BCD工艺,提出了一种新颖的电平转换电路结构,解决了BCD工艺中高压器件的栅源电压VGS的工作极限为5 V而无法承受40 V高压栅驱动信号的问题,避免高压信号导致器件栅击穿损毁。采用此电平转换电路,设计了270通道的TFT-LCD屏的行扫描电路。在HHNEC 0.18μm BCD工艺平台上完成芯片试制,芯片功能正确,验证了提出的电平转换电路结构的可行性。 展开更多
关键词 集成电路设计 行扫描电路 TFT-LCD屏 电平转换电路 BCD工艺 栅击穿
下载PDF
一种避免串通电流产生的交叉耦合电荷泵设计 被引量:1
9
作者 来新泉 杜宇 +1 位作者 钟龙杰 刘公绪 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第3期85-88,104,共5页
针对传统电荷泵的串通现象,提出了一种采用非交叠时钟控制的输入范围宽、输出纹波小、能有效避免串通现象产生的高压交叉耦合电荷泵,从而提高电压增益和效益;同时,设计出一种具有负反馈调节能力,可以跟随输入电压调节的移位电平产生电路... 针对传统电荷泵的串通现象,提出了一种采用非交叠时钟控制的输入范围宽、输出纹波小、能有效避免串通现象产生的高压交叉耦合电荷泵,从而提高电压增益和效益;同时,设计出一种具有负反馈调节能力,可以跟随输入电压调节的移位电平产生电路,输出纹波约15mV,具有较高的抗干扰能力.基于0.35μm BCD(bipolar CMOS DMOS)工艺进行电路设计,Spectre仿真结果表明:该电路的工作电压范围为4~24V,可驱动1mA的负载电流,最大升压效率高达99.89%,并且电压增益可以调节. 展开更多
关键词 集成电路 电荷泵 交叉耦合 串通电流 电平转移
原文传递
A high performance 90 nm CMOS SAR ADC with hybrid architecture 被引量:2
10
作者 佟星元 陈剑鸣 +1 位作者 朱樟明 杨银堂 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期51-57,共7页
A 10-bit 2.5 MS/s SAR A/D converter is presented. In the circuit design, an R-C hybrid architecture D/A converter, pseudo-differential comparison architecture and low power voltage level shiflers are utilized. Design ... A 10-bit 2.5 MS/s SAR A/D converter is presented. In the circuit design, an R-C hybrid architecture D/A converter, pseudo-differential comparison architecture and low power voltage level shiflers are utilized. Design challenges and considerations are also discussed. In the layout design, each unit resistor is sided by dummies for good matching performance, and the capacitors are routed with a common-central symmetry method to reduce the nonlinearity error. This proposed converter is implemented based on 90 nm CMOS logic process. With a 3.3 V analog supply and a 1.0 V digital supply, the differential and integral nonlinearity are measured to be less than 0.36 LSB and 0.69 LSB respectively. With an input frequency of 1.2 MHz at 2.5 MS/s sampling rate, the SFDR and ENOB are measured to be 72.86 dB and 9.43 bits respectively, and the power dissipation is measured to be 6.62 mW including the output drivers. This SAR A/D converter occupies an area of 238× 214 μm^2. The design results of this converter show that it is suitable for multi-supply embedded SoC applications. 展开更多
关键词 analog-to-digital converter CMOS integrated circuits level shifters multi-supply SoC high performance
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部